• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.6
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• pp.505-509
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• 1997

FRAM(Ferroelectric Random Access memory)에의 응용을 위해 rf magnetron sputtering법을 이용하여 SrB $i_{2}$T $a_{2}$ $O_{9}$(SBT)박막을 증착하였다. 사용된 기판은 Pt/Ti/Si $o_{2}$Si이었으며 50$0^{\circ}C$에서 증착한 후 80$0^{\circ}C$의 산소 분위기 하에서 1시간 동안 열처리하였다. 증착시 증착 압력을 변화시켜 가면서 이에 따른 특성의 변화를 고찰하였다. 박막내의 Bi와 Sr의 부족을 보상하기 위해 20mole%의 Bi $O_{2}$와 30mole%의 SrC $O_{3}$를 과잉으로 넣어 타겟을 제조후 사용하였고 박막들의 두께는 300nm의 두께를 가지며 증착압력에 따라 다른 미세 구조르 보였다. 10mtorr에서 증착한 박막의 조성은 S $r_{0.6}$B $i_{3.8}$Ta/ sub 2.0/ $O_{9.0}$이었다. 이 SBT 박막의 잔류 분극(2 $P_{r}$)과 보전계(2 $E_{c}$)값은 각각 인가 전압 5V에서 18.5 $\mu%C/$\textrm{cm}^2$과 150kV/cm이었고, signal/noise비는 3V에서 4.6을 나타내었다. 5V의 bipolar pulse하에서 $10^{10}$cycle까지 피로 현상이 나타나지 않았으며, 누설 전류 밀도는 133kV/cm에서 약 1x$10^{-7A}$$\textrm{cm}^2$의 값을 보였다.을 보였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.71-71
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• 2000

본 연구에서는 차세대 마이크로파 유전체 소자로서의 응용을 목적으로 펄스 레이저 방식에 의하여 증착된 MgTiO3 박막의 전기적 특성을 종합적으로 연구 분석하였다. 이를 바탕으로 MgTiO3 박막의 유전손실 등과 같은 열화를 야기시키는 박막 내부 또는 박막과 기판간의 결함의 특성을 파악하여 열화 메카니즘을 분석하였다. MgTiO3는 마이크로파 영역에서의 우수한 유전특성과 같은 낮은 유전손실을 가지며, 온도 안정성 또한 우수하다. 현재까지 벌크 세라믹 MgTiO3 의 응용 광범위하게 연구되어 왔으나 박막의 제조공정 및 전기적 특성 분석은 미흡한 형편이다. 따라서 벌크 세라믹과는 특성이 상이한 박막의 전기적 특성분석 및 연구가 필요하다. 분석을 위한 소자의 기본 구조로서 Metal-Insulator-Semiconductor(MIS) 구조를 채택하였다. MgTiO3 박막을 증착하기 위한 기판으로는 n형 Si(100)기판과 p형 Si(100)기판을 사용하였고, Si 기판 위에 급속 열처리기 (RTP)를 이용하여 SiO2를 ~100 두께로 성장시킨 것과 성장시키지 않은 것으로 구분하여 제작하였다. MgTiO3 박막은 펄스 레이저 증착 방식(PLD)에 의하여 약 2500 두께로 증착되었으며, 200mTorr 압력의 산소 분위기 하에서 기판의 온도를 40$0^{\circ}C$~55$0^{\circ}C$까지 5$0^{\circ}C$간격으로 변화시키며 제작하였다. 상하부의 전극 금속으로는 Al을 이용하였으며, 열증발 증착기로 증착하였다. 증착된 MgTiO3 박막의 결정구조를 확인하기 위하여 XRD 분석을 수행하였으며, 박막의 전기적 특성을 분석하기 위해 Boonton7200 C-V 측정기와 HP4140P를 이용한 경우에는 C-V 곡선에 이력현상이 나타났으나, MgTiO3/SiO2를 이용한 경우에는 이력현상이 나타나지 않았고, 유전율은 감소하는 것으로 나타났다. I-V 측정 결과, 절연층으로 MgTiO3/SiO2를 이용한 경우에는 MgTiO3만을 절연층으로 사용한 경우에 비해 동일한 전계에서 낮은 누설전류 값을 가짐을 알 수 있었다. 또한 박막의 증착온도가 증가함에 따라서 C-V 곡선의 위치가 양의 방향으로 이동함을 확인하였다. 위의 현상은 기판의 종류에 관계없이 발생하는 것으로 보아 벌크 또는 계면에 존재하는 결함에 의한 것으로 추정된다. 현재 C-V 곡선의 이동 원인과 I-V 곡선의 누설전류 메카니즘을 분석 중에 있으며 그 결과를 학회에서 발표할 예정이다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.10a
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• pp.71-72
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• 2006

플라스틱 기판 위에 유도 결합 플라즈마 화학적 기상 증착장치 (Inductively Coupled Plasma Chemicai Vapor Deposition, ICP-CVD) 를 사용하여 실리콘 산화막 ($SiO_2$)을 증착하고, 엑시머레이저 어널링 (Excimer Laser Annealing, ELA) 과 $N_{2}O$ 플라즈마 전처리를 통해, 전기용량-전압(Capacitance-Voltage, C-V) 특성과 항복 전압장 (Breakdown Voltage Field) 과 같은 전기적 특성을 개선시켰다. 에너지 밀도 $250\;mJ/cm^2$ 의 엑시머 레이저 어닐링은 실리콘 산화막의 평탄 전압 (Flat Band Voltage) 을 0V에 가까이 이동시키고, 유효 산화 전하밀도 (Effective Oxide Charge Density)를 크게 감소시킨다. $N_{2}O$ 플라즈마 전처리를 통해 항복 전압장은 6MV/cm 에서 9 MV/cm 으로 향상된다. 엑시머 레이저 어닐링과 $N_{2}O$ 플라즈마 전처리를 통해 평탄 전압은 -9V 에서 -1.8V 로 향상되고, 유효 전하 밀도 (Effective Charge Density) 는 $400^{\circ}C$에서 TEOS 실리콘 산화막을 증착하는 경우의 유효 전하 밀도 수준까지 감소한다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.4
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• pp.360-366
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• 2000

$Sr_xBi_{2.4}Ta_2O_9$ (SBT) thin films of 150 nm thickness were prepared using LSMCD (Liquid Source Misted Chemical Deposition) process with variation of the Sr/Ta mole ratio of 0.35~0.65, and their crystalline phase, microstructure, ferroelectric properties and leakage current characteristics were investigated. Ferroelectric characteristics of the LSMCD-derived SBT films were optimized at the Sr/Ta moleratio of 0.425. The remanent polarization (2Pr) and coercive field (Ec) of the SBT film with the Sr/Ta mole ratio of 0.425 were measured as 15.01 $\mu$C/$ \textrm{cm}^2$ and 41 kV/cm at an applied voltage of $\pm$5 V respectively. LSMCD-derived SBT films with the Sr/Ta mole ratio of 0.35~0.5 exhibited leakage current densities lower than $10^{-5} A/\textrm{cm}^2$ at an applied field of 100 kV/cm, and excellent fatigue-free characteristics of the remanent polarization decrement less than 1% after $10^{10}$ switching cycles at$\pm$5 V.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.21 no.6
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• pp.198-203
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• 2011

The electronic structure of ferrimagnetic spinel oxide of $FeV_2O_4$ has been investigated by employing soft x-ray absorption spectroscopy (XAS) and soft x-ray magnetic circular dichroism (XMCD). The Fe 2p and V 2p XAS spectra show that the valence states of Fe and V ions are ${\sim}Fe^{2.3+}$ mixed-valent states and ${\sim}V^{3+}$ states, respectively. In Fe 2p XMCD spectra, finite XMCD signals are observed for divalent $Fe^{2+}$ states only, but not for $Fe^{3+}$ states. This finding indicates that the magnetic moments of $Fe^{2+}$ ions are ordered ferromagnetically but that those of $Fe^{3+}$ ions are cancelled, implying that $Fe^{2+}$ ions play an important role in determining magnetic properties of $FeV_2O_4$.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.31 no.3
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• pp.225-230
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• 1987

Electrical conductivity of $CdO-La_2O_3$ system containing 0.8mol% of CdO was measured from 500 to $900^{\circ}C$ at oxygen partial pressures of $10^{-7}\;to\;10^{-1}$ atm. Plots of log ${\sigma}$ vs. 1/T at constant $PO_2$ are found to be linear and the activation energy appears to be 0.97eV. The log ${\sigma}$vs. log $PO_2$ is found to be linear at oxygen pressures of $10^{-7}\;to\;10^{-1}$ atm and $500{\sim}900^{\circ}C$. The conductivity dependence on $PO_2$ at the above temperature range is given by ${\sigma}\;{\alpha}\;PO_2^{1/4}$. The defect structure in this system is believed to be complex, i.e., ${V_{La}}^{'''}$ and $V\"{o}$. The interpretations of conductivity dependences on temperature and $PO_2$ are presented and conduction mechanism is proposed to explain the data.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.21 no.8
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• pp.711-714
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• 2008

Metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors were fabricated to investigate the plasma damage caused by reactive ion etching (RIE) on (100) oriented silicon-on-insulator (SOI) substrates. The thickness of the top-gate oxide, SOI, and buried oxide layers were 10 nm, 50 nm, and 100 nm, respectively. The MOS/SOI capacitors with an etch-damaged SOI layer were characterized by capacitance-voltage (C-V) measurements and compared to the sacrificial oxidation treated samples and the reference samples without etching. The measured C-V curves were compared to the numerical results from corresponding 2-dimensional (2-D) structures by using a Silvaco Atlas simulator.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.8 no.4
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• pp.567-572
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• 1998

The crystalline structure of $LaTi_{0.8}V_{0.2}O_3$ solid solutions, prepared by arc-melting palletized mixtures of predried $La_2O_3,\;V_2O_3,\;TiO_2$, and Ti, was investigated by transmission electron microscopy and computer image simulation. Computer image simulations were performed by the multislice method for a wide range of sample thickness and defocusing value. The structure of $LaTi_{0.8}V_{0.2}O_3$ was determined as a $GdFeO_3$-type orthorhombic $(a\approx5.58{\AA},\;b\approx7.89{\AA},\;and\;c\approx5.58{\AA})$ with a space group $P_{nma-}$. No evidence of ordering of Ti and V atoms in $SaTi_{0.8}V_{0.2}O_3$ was found.

• Journal of the Korea Society of Computer and Information
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• v.27 no.8
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• pp.169-176
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• 2022

With the continuous development of technologies related to 5G, artificial intelligence, and autonomous vehicle systems, standards and services for V2X and C-ITS environments are being studied a lot. BSM (basic safety message) was adopted as a standard for exchanging data between vehicles based on data collected and generated by vehicle systems in a V2V environment. In this paper, we propose a framework that can safely store BSM messages and effectively check the stored messages using Event-Sourcing and CQRS patterns. The proposed framework can securely store and manage BSM messages using hash functions. And it has the advantage of being able to check the stored BSM data in real time based on the time series and to reproduce the state.

• Journal of Applied and Pure Mathematics
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• v.6 no.1_2
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• pp.55-69
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• 2024

Let a graph G = (V, E) be a (p, q) graph. Define $${\rho}=\{\array{{\frac{p}{2}} && p\;\text{is even} \\ {\frac{p-1}{2}} && p\;\text{is odd,}}$$ and M = {±1, ±2, … ± 𝜌} called the set of labels. Consider a mapping λ : V → M by assigning different labels in M to the different elements of V when p is even and different labels in M to p - 1 elements of V and repeating a label for the remaining one vertex when p is odd. The labeling as defined above is said to be a pair mean cordial labeling if for each edge uv of G, there exists a labeling $\frac{{\lambda}(u)+{\lambda}(v)}{2}$ if λ(u) + λ(v) is even and $\frac{{\lambda}(u)+{\lambda}(v)+1}{2}$ if λ(u) + λ(v) is odd such that ${\mid}\bar{\mathbb{s}}_{{\lambda}_1}-\bar{\mathbb{s}}_{{\lambda}^c_1}{\mid}\,{\leq}\,1$ where $\bar{\mathbb{s}}_{{\lambda}_1}$ and $\bar{\mathbb{s}}_{{\lambda}^c_1}$ respectively denote the number of edges labeled with 1 and the number of edges not labeled with 1. A graph G with a pair mean cordial labeling is called a pair mean cordial graph. In this paper, we investigate the pair mean cordial labeling behavior of some union of graphs.