• 전자공학회논문지D
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• 제35D권2호
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• pp.52-59
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• 1998

The ZnS:Mn thin film electroluminescent(TFEL) devices fabricated by ALE system were investigated. Yellow-orange light emission was observed when the applied voltage exceeded 134 V and luminance increased sharply as the applied voltage increased. Luminance of 568 Cd/c $m^{2}$ was obtained under 1 KHz sinusoidal voltage wave application at the peak applied voltage of 230 V. The peak wavelength of the emissionwas 577 nm. The C-V, Q-V, $Q_{t}$ - $F_{p}$ , L- $Q_{cond}$, and V- $Q_{pol}$ have been measured under theapplication of the trapezoidal wave with its pulse width varying 0 to 75 .mu.sec. The phoshor and the insulator capacitance of the TFEL device under test were 24.3 nF/c $m^{2}$ and 9 nF/c $m^{2}$, respectively. It was observed that the threshold voltage changed from 137V to 100V as the pulse width varied from 0 to 75 .mu.sec. The L- $Q_{cond}$ characteristics showed that the light emission increased in proportion to the $Q_{cond}$. The luminance increased from 386 Cd/ $m^{2}$ to 607 Cd/ $m^{2}$ when the $Q^{+}$$_{cond}$ increased from 1.3 .mu.C/c $m^{2}$ to 2.3 .mu.C/c $m^{2}$. The V- $Q_{pol}$ characteristics showed that the V was inversely proportional to $Q_{pol}$./. th/ was inversely proportional to $Q_{pol}$./. pol/./.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1533-1535
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• 2000

The design and fabrication technologies of pulse power reversely switched-on dynistor have been developed 1200V/120kA pulse power reversely switched-on dynistor device have been designed by analytically and numerically using commercial modeling S/W The important characteristics of reversely switched-on dynistors are breakover voltage $V_{BO}$, commutative peak voltage before steady state $V_m$, on-state voltage in steady state $V_o$, turn-off time $t_q$, dV/dt capability.

• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제6권1호
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• pp.161-166
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• 2003

본 논문에서는 블루투스에서 사용할 0.25$\mu\textrm{m}$ CMOS 공정을 이용한 고이득 저잡음 증폭기를 설계하였다. 설계한 저잡음 증폭기는 캐스코드 인버터를 이용하였으며, 레퍼런스 전압원을 가지고 쵸크 인덕터를 사용하지 않는 1단으로 설계하였다. 기존 1단으로 설계된 저잡음 증폭기의 10~15dB의 낮은 전력이득을 개선한 구조이다. 설계된 2.4GHz 저잡음 증폭기는 2.2dB의 NF값과 21dB의 높은 전력이득을 가지고 있으며, 2.5V 공급 전원에서 255mW 소모전력을 갖는다

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권8호
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• pp.35-40
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• 1997

To suppress the short channel effects in nMOSFET with 0.1.mu.m channel length, we have fabricated and characterized the ISRC n MOSFET with several process condition. When the recess oxide thickness is 100nm and the channel dose for threshold voltge adjustment is 6*10$^{12}$ /c $m^{-2}$ , B $F_{2}$$^{+}$, the maximum transconductance at $V_{DS}$ =2.0V is 455mS/mm and the BIDL is kept within 67mV. By comparing the ISRC n MOSFET with the conventioanl SHDD (shallowly heavily dopped drain) nMOSFET, we verify the suppression of short channel effects ISRC structure.e.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.12-15
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• 2000

In this paper, we have fabricated the PHEMT's with AlGaAs/InGaAs/GaAs and measured characteristics of DC and frequencies. The PHEMT's has a 0.35$\mu\textrm{m}$ gate length, gate width of 60$\mu\textrm{m}$ and 80$\mu\textrm{m}$, and fingers of 2 and 4. From the measurements results for the 60$\mu\textrm{m}$ ${\times}$ 2 PHEMT's, we obtained 1.2V of Vk, -3.5V of Vp, 46mA of Idss, 221mS/mmof gm, and 3.6dB of S$\sub$21/ gain, 45GHz of f$\sub$T,/ 100GHz of fmax. And, in case of 80$\mu\textrm{m}$ ${\times}$ 4 PHEMT's, we obtained 1.2V of Vk, -4.5V of Vp, 125mA of Idss, 198mS/mm of gm, and 2.0dB of S$\sub$21/ gain. 44GHz of f$\sub$T/, 70GHz of fmax at 35GHz frequency. Also, MAG are decreased as a number of finger are Increased.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• 제22권3호
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• pp.211-222
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• 2005

Results of 6 nights of CCD VR photometry of the nova-like variable V603 Aquilae (Nova Aquilae 1918) obtained at the Mallorcian 35-cm telescope in July 2004 are reported. The ephemeris for the superhump maximum is Max.HJD=2453213.60546(96)+0.14813(10)E. The waves with $3.^d9,\;1.^d4,\;0.^d135$ are statistically significant, which may be interpreted as the negative superhump-orbital, the beat periods (negative superhump- positive superhump) and the negative superhump with low amplitude, respectively. Another possible time-scale is $0.^d8,$ which has no coincidence with the beat periods. Quasi-periodic oscillations with an effective period of 18 minutes have been detected, which are close to 15.6 minutes reported by some authors. Their effective semi-amplitudes are $^m.045\;and\;0^m.051$ for V and R, respectively. This corresponds to the 0.12 mag excess in the color index V-R as compared with the mean color, which can be understood as the pulsed emission in the hotter inner parts of the accretion disk, similar to that observed in TT Ari and MV Lyr.

• 정보처리학회논문지A
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• 제12A권6호
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• pp.499-506
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• 2005

최근에 하이퍼큐브의 망비용을 개선한 하이퍼-스타 연결망 HS(m,k)이 제안되었다. 본 논문에서는 정규연결망 하이퍼-스타 HS(2n,n)의 이분할 에지수가 최대(2n-2,n-1)임을 보이고, 병렬경로 집합을 이용하여 k-광역지름이 dist(u, v)+4이하이고, HS(2n,n)의 고장지름이 D(HS(2n+n))+2 이하임을 보인다. dist(u,v)는 임의의 두 노드 u와 v 사이의 최단 거리를 나타내고, D(HS(2n,n))는 HS(2n,n)의 지름을 나타낸다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권5호
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• pp.1-10
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• 2006

본 논문에서는, 1.8V 8-bit 500MSPS CMOS A/D 변환기를 제안한다. 8-bit 해상도, 고속의 샘플링과 입력 주파수, 그리고 저 전력을 구현하기 위하여 Cascaded-Folding Cascaded-Interpolation type으로 설계되었다. 또한 본 연구에서는 고속 동작의 문제점들을 해결하기 위하여 새로운 구조의 Digital Encoder, Reference Fluctuation을 보정하기 위한 회로, 비교기 자체의 Offset과 Feedthrough에 의한 오차를 최소화하기 위한 Averaging Resistor, SNR을 향상시키기 위한 Distributed Track & Hold를 설계하여 최종적으로 500MSPS의 A/D 변환기 출력 결과를 얻을 수가 있다. 본 연구에서는 1.8V의 공급전압을 가지는 $0.18{\mu}m$ 1-poly 5-metal N-well CMOS 공정을 사용하였고, 소비전력은 146mW로 Full Flash 변환기에 비해 낮음을 확인할 수 있었다. 실제 제작된 칩은 측정결과 500MSPS에서 SNDR은 약 43.72dB로 측정되었고, Static상태에서 INL과 DNL은 각각 ${\pm}1LSB$ 로 나타났다. 유효 칩 면적은 $1050um{\times}820um$의 면적을 갖는다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제42권11호
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• pp.61-66
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• 2005

본 논문은 WLAN에 이용되는 상위 6비트 온도계 코드의 전류원 셀 매트릭스와 중간 2비트 온도계 코드의 전류원, 그리고 하위 2비트 이진 가중치 코드의 서브 블록으로 구성된 10비트 210MHz의 CMOS 전류구동 디지털-아날로그 데이터 변환기(DAC)을 설계하였다. 제안된 새로운 글리치 억제회로는 입력된 신호의 교차되는 위치를 조절함으로써, 글리치 에너지를 최소화하도록 설계하였다. 또한 제안된 10비트 DAC는 CMOS $0.35{\mu}m$ 2-poly 4-metal 공정을 이용하여 설계하였으며, 유효 칩 면적은 5mm2이다. 제안된 10비트 DAC 칩의 측정결과, 변환속도는 210MHz, DNL/INL은 각각 ${\pm}0.7LSB/{\pm}1.1LSB$이며, 글리치 에너지는 $76pV{\cdot}sec$이고, SNR은 50dB, SFDR은 53dB((a)200MHz), 전력소비는 83mW((a)3.3V)로 측정되었다.

• 분석과학
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• 제20권2호
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• pp.109-114
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• 2007

본 연구에서는 폴리머 재질로부터 시료를 분리하기 위하여 속실렛 추출방법과 용해-침전법이 적용되어졌다. 속실렛 추출의 경우 DCM, Toluene, THF, Acetone/Hexane (1:4, v/v)의 용매가 높은 효율을 나타내는 반면, ethyl ether, acetone/ethyl ether (1:4, v/v), acetone/hexane (1:1, v/v), DCM/hexane (1:1, v/v) 용매는 낮은 효율을 보였다. 용해-침전 방법의 경우 용해를 위해 사용된 용매에 따른 차이는 없었다. 다층실리카겔 컬럼과 플로리실 컬럼의 분획실험 결과 각각 hexane 250 mL와 70 mL로 최적 용래량이 결정되었다. 실제 폐 플라스틱 분석 결과 N.D.~1028 ppm인 것으로 조사되었다.