• 제목/요약/키워드: V.M.D

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고유전율 게이트 산화막을 가진 적층형 3차원 인버터의 일함수 변화 영향에 의한 문턱전압 변화 조사 (Investigation of threshold voltage change due to the influence of work-function variation of monolithic 3D Inverter with High-K Gate Oxide)

  • 이근재;유윤섭
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2022년도 추계학술대회
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    • pp.118-120
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    • 2022
  • 본 논문은 M3D(Monolithic 3-Dimension) Inverter의 소자 구조에서 메탈 게이트의 WFV(Work-function Variation)의 영향에 따른 임계전압의 변화에 대하여 조사했다. 또한 PMOS 위에 NMOS가 적층된 인버터의 전기적 상호작용에 따른 임계전압의 변화를 조사하기 위해 PMOS에 0과 1 V의 전압을 인가하여 전기적 상호작용을 조사하였다. 사용된 메탈 게이트의 평균 일함수에 대한 임계전압의 변화량은 0.1684 V로 측정되었고, 표준편차는 0.00079 V가 조사 되었다.

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인터뷰 - T$\ddot{U}$V S$\ddot{U}$D Korea/라이너 블록 Reiner Block 대표이사

  • 한국원자력산업회의
    • 원자력산업
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    • 제29권7호
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    • pp.58-60
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    • 2009
  • 시험 검사 인증 기술 컨설팅 분야의 세계적인 서비스 기업인 T$\ddot{U}$V S$\ddot{U}$D 그룹의 한국 법인인 T$\ddot{U}$V S$\ddot{U}$D Korea가 최근 원자력 기기 및 시스템 설계 엔지니어링 기업인 (주)GNEC를 인수, 합병하면서 국내 원자력 시장에 성큼 진출하는 한편 우리나라 원자력사업의 해외 시장 진출을 적극적으로 도울 계획을 세우고 있다. 라이너 블록 사장은 GNEC 인수 후 기자회견을 통해 "원자력 기기 및 설계, 교육 및 엔지니어링 서비스 등 관련 기술 지원에 앞장서 국내 에너지 산업의 활성화에 앞장서는 것을 물론 국내 원자력 산업의 해외 진출을 지원하면서 중국, 인도 및 중국 등 아시아 시장에 적극 진출할 것" 이라고 말하고 "원전 관련 기술을 갖고 있는 다른 기업에 대해서도 향후 인수 합병(M&A)에 나설 계획"이라고 밝혔다. T$\ddot{U}$V S$\ddot{U}$D Korea가 GNEC 인수를 마무리한 시점인 지난 10월 19일, 한강이 내려다보이는 여의도 대한생명 63빌딩 12층 T$\ddot{U}$V S$\ddot{U}$D Korea 사장실에서 라이너 블록 사장을 만났다. 인터뷰 자리에는 이번 GNEC 합병에 큰 역할을 한 김두일 T$\ddot{U}$V S$\ddot{U}$D 고문이 배석하여 인터뷰를 도왔다.

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코이어 배지를 이용한 착색단고추 수경재배 시 적정 급액농도 (Optimum Concentration of Supply Nutrient Solution in Hydroponics of Sweet Pepper using Coir Substrates)

  • 김호철;차승훈;김철수;이혜진;이용범;배종향
    • 생물환경조절학회지
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    • 제17권3호
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    • pp.210-214
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    • 2008
  • 코이어 배지(코코넛 분말:섬유=70%:30%, v/v)를 이용한 착색단고추 수경재배에서 공급 배양액의 적정 농도를 구명하자 EC 2.5, 3.0, 3.5 및 $4.0dS{\cdot}m^{-1}$의 농도를 공급하였다. 생육 기간 동안 배양액의 급액 농도에 따른 슬라브 내의 EC는 급액 농도가 높아지면 증가하는 경향을 보였으며, 수분 함량은 반대의 경향을 보였다. 배액의 pH는 안정적이었으며, EC는 급액 농도 EC $4.0dS{\cdot}m^{-1}$에서 EC $7.3dS{\cdot}m^{-1}$로 높았을 뿐만 아니라 표준편차와 변이계수도 높았다. 초장은 급액농도 간 큰 차이를 나타내지 않았다. 광합성율은 급액 농도 EC $4.0dS{\cdot}m^{-1}$에서 전반적으로 높았다. 과중은 급액 농도 EC $4.0dS{\cdot}m^{-1}$에서 가장 무거웠으며, 과형은 급액 농도 EC $3.5dS{\cdot}m^{-1}$에서 정사각형에 가까웠다.

전압 레귤레이터를 내장한 이동통신용 VCO(Voltage Controlled Oscillator) 설계 (Design of VCO(Voltage Controlled Oscillator) for mobile communication with a built-in voltage regulator)

  • 조현묵
    • 한국음향학회지
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    • 제16권4호
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    • pp.76-84
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    • 1997
  • 본 논문은 이동통신기기의 핵심부품중 하나인 VCO를 IC로 설계한 내용을 기술하였다. 설계한 VCO는 배리캡을 사용한 LC 동조형발진기로 구현하였다. 사용한 발진소자중 인덕터는 실리콘 IC 구현상의 난점[8]으로 인해 외부로 구성하고 나머지부분을 모두 IC화 하였다. 제작하는데 사용된 마스크 수는 15개이며 칩 사이즈는 1150um${\times}$780um이다. 제작한 VCO IC를 테스트한 결과 전원전압 5V에서 제어전압을 1V에서 3V로 변화시킬때 880MHz 영역에서 동작하였으며 주파수 천이는 425KHz/V, 주파수 편이는 1.97MHz/T, 캐리어 레벨은 -7dBm, 전류소모는 16.7mA이었다. 또한, 위상 잡음은 50KHz 오프셋에서 -80dBc/Hz 이며 중심주파수에 대한 하모닉응답은 -41dBm 이다. 향후 송수신단을 단일 칩화하기 위해서는 외부회로도 실리콘 기판위에 구현할 수 있는 실리콘 MMIC[1][8]에 대한 연구가 수행되어야 할 것이다.

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Comparison of Drain-Induced-Barrier-Lowering (DIBL) Effect by Different Drain Engineering

  • Choi, Byoung-Seon;Choi, Pyung-Ho;Choi, Byoung-Deog
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.342-343
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    • 2012
  • We studied the Drain-Induced-Barrier-Lowering (DIBL) effect by different drain engineering. One other drain engineering is symmetric source-drain n-channel MOSFETs (SSD NMOSs), the other drain engineering is asymmetric source-drain n-channel MOSFETs (ASD NMOSs). Devices were fabricated using state of art 40 nm dynamic-random-access-memory (DRAM) technology. These devices have different modes which are deep drain junction mode in SSD NMOSs and shallow drain junction mode in ASD NMOSs. The shallow drain junction mode means that drain is only Lightly-Doped-Drain (LDD). The deep drain junction mode means that drain have same process with source. The threshold voltage gap between low drain voltage ($V_D$=0.05V) and high drain voltage ($V_D$=3V) is 0.088V in shallow drain junction mode and 0.615V in deep drain junction mode at $0.16{\mu}m$ of gate length. The DIBL coefficients are 26.5 mV/V in shallow drain junction mode and 205.7 mV/V in deep drain junction mode. These experimental results present that DIBL effect is higher in deep drain junction mode than shallow drain junction mode. These results are caused that ASD NMOSs have low drain doping level and low lateral electric field.

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광대역 종합 통신망 응용을 위한 8b 52 MHz CMOS 서브레인징 A/D 변환기 설계 (An 8b 52 MHz CMOS Subranging A/D Converter Design for ISDN Applications)

  • 황성욱;이승훈
    • 전기전자학회논문지
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    • 제2권2호
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    • pp.309-315
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    • 1998
  • 본 논문에서는 광대역 종합 통신망 응용을 위한 8b 52 MHz CMOS 서브레인징 (subranging) A/D 변환기 (analog-to-digital converter : ADC)를 제안한다. 제안된 A/D 변환기는 새로운 방식의 동작 순서 기법을 사용하여 기존의 이중 채널 서브레인징 A/D 변환기 동작에 존재하는 홀딩 시간 (holding time)을 제거함으로써 신호 처리 속도 (throughput rate)를 50 % 향상시켰다. 또한, 하위 비트 A/D 변환기에서의 잔류 전압처리에 인터폴레이션 (interpolation) 기법을 이용하여 A/D 변환기의 비교기에 사용되는 프리앰프의 수를 50 % 수준으로 줄임으로써 면적을 감소시켰다. 시제품 A/D 변환기는 0.8 um n-well double-poly double-metal CMOS 공정으로 제작되었고, 측정 결과, 5 V 전원 전압과 52 MHz 샘플링 주파수에서는 230 mW, 3 V 전원 전압 및 40 MHz 샘플링 주파수에서는 60 mW의 전력을 각각 소모한다.

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10-bit 40-MS/s 저전력 CMOS 파이프라인 A/D 변환기 설계 (A 10-bit 40-MS/s Low-Power CMOS Pipelined A/D Converter Design)

  • 이시영;유상대
    • 센서학회지
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    • 제6권2호
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    • pp.137-144
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    • 1997
  • 본 논문에서 설계된 시스템은 ${\pm}2.5\;V$ 또는 +5 V의 환경에서 40 MS/s의 샘플링 속도로 약 70 mW의 정전력을 소비하는 고속 신호 처리용 CMOS 10 비트 파이프라인 A/D 변환기이다. 제안된 A/D 변환기는 각 단 사이의 신호를 빠르게 처리하고, 비교기 옵셋에 대한 넓은 보정 범위를 허용하기 위해 단당 1.5 비트 구조를 사용하였다. 고속 저전력 파이프라인 A/D 변환기의 설계를 인해 특별한 성능을 가진 연산 증폭기를 필요로 함에 따라 기존의 폴디드-캐스코드 구조를 기본으로한 이득 향상 구조의 연산 증폭기를 설계하였다. 특히, 연산 증폭기 자동 설계 도구인 SAPICE의 자체 개발로 최적의 성능을 가진 연산 증폭기를 구현하였다. 그리고 신호 비교 시에 소비되는 전력을 감소시키기 위해 정전력을 거의 소비하지 않는 비교기를 채용하였다. 제안된 A/D 변환기는 $1.0{\mu}m$ n-well CMOS 공정을 이용하였으며 ${\pm}0.6$ LSB의 DNL, +1/-0.75 LSB의 INL, 그리고 9.97 MHz의 입력 신호에 대해 56.3 dB의 SNDR의 특성을 보였다.

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$Y_{2}O_{3}$가 첨가된 $Pr_{6}O_{11}$계 ZnO 바리스터의 d.c. 스트레스에 따른 안정성 (Stability of $Pr_{6}O_{11}$-Based ZnO Varistors Doped with $Y_{2}O_{3}$ under d.c. Stresses)

  • 윤한수;류정선;남춘우
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.551-554
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    • 2000
  • The stability of $Pr_6$$O_{11}$-based ZnO varistors doped with $Y_2$$O_3$ was investigated under various d.c. stresses. The varistors were sintered at $1350^{\circ}C$ for 1h in the addition range of 0.0 to 4.0 mol% $Y_2$$O_3$. The varistors doped with $Y_2$$O_3$ exhibited much higher nonlinearity than that without $Y_2$$O_3$. In Particular, the varistors containing 0.5 mol% $Y_2$$O_3$ showed very excellent V-I characteristics, which the nonlinear exponent was 51.19 and the leakage current was 1.32 $\mu\textrm{A}$. And these varistors also showed an excellent stability, which the variation rate of the varistor voltage and the nonlinear exponent were -0.80% and -2.17%, respectively, under 4th d.c. stress, such as (0.80 $V_ {1mA}$/$90^{\circ}C$/12h)+(0.85 $V_{1mA}$/$115^{\circ}C$/12h)+(0.90 $V_{1mA}$/$120^{\circ}C$/12h)+(0.95 $V_{1mA}$/$125^{\circ}C$/12h). Consequently, since $Pr_ 6$$O_{11}$-based ZnO varistors doped with 0.5 mol% $Y_2$$O_3$ have an excellent stability as well as good nonlinearity, it is expected to be usefully used to develop the superior varistors in future.

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유속계 검정용수로에 관한 연구 (A study on the flume for a current meter rating)

  • 정준석;박정응
    • 물과 미래
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    • 제6권2호
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    • pp.30-37
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    • 1973
  • The coefficient of the current meter generally determined by the maker Its coefficient is subject to being changed with time. Therefore the coefficient of the current meter has to be checked up before it is ready to be used Such an inspection is termed a current meter rating The current meter equipped an electronic apparatus and all the others are to be rated in a rating flume. The price current meter which is most widely used for measuring flow velocities ranging between 0.3m/sec and 3.5m/sec has been used in this study. The length of the flume and the optimum range of the rating in the cross section are determined in the range of 20∼120cm deep, 50∼160cm wide of the flume. In this study, the 23 different kinds of the current meter rating enabled us to determine the constants a and b of the following equation. V=an+b(m/sec) where, n is number of revolution per second(n=N/T) V is velocity(v=D/T) The above constant can be determined by the least squares method and plotting, using the velocity(V=D/T) and the number of revolution per second(n=N/T) obtained from the running distance(D), time(T), the number of revolutin(N), and the running number(m). From the experiments the following conclusions are drawn: 1) The rating flume is large enough if the flume is 110∼120cm deep, and 40∼50m long. 2) The optimum depth for rating of a current meter is in the range of h=40∼50cm.

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자동차 연비향상을 위한 복합재료 적용 타당성에 관한 연구 (Study on the Suitability of Composite Materials for Enhancement of Automotive Fuel Economy)

  • 주연진;권영철;최흥섭
    • Composites Research
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    • 제32권5호
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    • pp.284-289
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    • 2019
  • 본 논문에서는 KIA K3 (1.6) 가솔린 자동차의 연비(km/liter)식을 동력학적 힘-모멘트 평형 방정식, 구동력 및 에너지 방정식을 구성하고 분석하여 유도하였다. 이를 통해 차량의 속도(V), 자동차 총 중량(M), 타이어-노면의 롤링저항계수($C_r$), 도로 경사각(${\theta}$)과 항력계수($C_d$), 차량의 횡단면적(A)과 같은 공기역학적 매개변수가 자동차의 연비에 미치는 영향을 분석하였다. 또한 경량금속합금, 섬유강화 플라스틱 복합재료와 같은 대체재료가 기존 자동차의 강재, 주철재를 대체하여 차량의 무게를 줄일 수 있는 가능성 등을 Ashby의 재료지수 방법으로 조사하였다. 본 연구를 통해 다음과 같은 결과를 얻었다. 고속(100km/h)에서 연비에 가장 큰 영향을 미친 매개변수는 그 크기순으로 자동차의 속도 V와 공기역학적 매개변수인 $C_d$, A, ${\rho}$ 및 동력학적 매개변수인 $C_r$, M의 순서로 조사되었다. 반면에 저속(60 km/h)에서는 동력학적 매개변수로는 V, M, $C_r$의 순서로, 공기역학적 매개변수로는 $C_d$, A, ${\rho}$ 순으로 영향을 미침을 확인하였다.