• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.04a
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• pp.27-29
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• 2009

본 연구에서는 Titanate Nanotube (TNT)를 LBL-SA (layer-by-layer self-assembling) method을 이용하여 전기변색 (electrochromism device, ECD) 소자에 적용하고자 하였다. TNT 분말은 10M NaOH와 $TiO_2$를 혼합한 후 autoclave에서 130$^{\circ}C$, 48시간 동안 수열합성하여 제조하였다. 주사전자현미경 (SEM)으로 TNT 분말의 형상을 관찰한 결과, 직경 20$\sim$30nm, 길이 500$\sim$600nm의 튜브 형상을 나타내었으며, X-선 회절시험 (XRD) 결과 층상구조로 확인되었다. 코팅 물질의 표면 전하를 이용한 LBL-SA method에 적용시키기 위해 수용액 중에서 TNT 입자 표면 전하를 TBAOH (tetrabutylammonium hydroxide)를 적정하여 제타 전위 값이 -40mV로 최대가 되도록 하였으며, 이때 pH 값은 9로 나타났다. 2전극 시스템을 이용하여 cycle voltammetry를 측정한 결과, -0.5$\sim$-1.5V 영역에서 산화환원전위 피크가 뚜렷하게 나타났으며, 짙은 갈색으로 변색되는 것을 확인하였다. 본 연구 결과로서 TNT 박막은 전기를 인가하였을 때 n-type 반도체 성질을 갖는 것으로 나타났으며, 앞으로 display 연구 분야에 적용할 수 있을 것으로 주목된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.11d
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• pp.918-920
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• 1999

Recently, the ceramics of high permittivity are applied to DRAM and FRAM. In this study, (Ba, Sr)$TiO_3$ (BST) ceramics thin films were prepared by Sol-Gel method. BST solution was made and spin-coated on Pt/$SiO_2$/Si substrate at 4000[rpm] for 10 seconds. Coating process was repeated 3 times and then sintered at $750[^{\circ}C]$ for 30 minutes. Each specimen was analyzed structure and electrical characteristics. Thickness of BST ceramics thin films are about $2000[\AA]$. Dielectric constant and loss of thin films was little decreased at $1[kHz]{\sim}1[MHz]$. Dielectric constant and loss to frequency were 250 and 0.02 in BST3. In accordance with applied voltage, property of leakage current was stability when the was $0{\sim}3$[V]. According to voltage, leakage current was increased exponentially at $4{\sim}7$[V].

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2006.05a
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• pp.225-231
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• 2006

.고상반응법 (solid state reaction)합성된 ZnS:Mn,Cu,Cl 형광체는 약 $20^{\sim}25{\mu}m$ 의 구형이고, Cubic/hexagonal 구조를 보였다. Electroluminescent device(ELD)는 실크 스크린된 형광층(ZnS:Mn,Cu,Cl)/유전체층 ($BaTiO_3$)으로 구성되었으며, 각층은 $30^{\sim}50{\mu}m,\;50^{\sim}60{\mu}m$ 정도로 도포 하였다. 100 V-400 Hz 의 구동조건에서, ELD 의 백색 발광은 450 nm, 480 nm 픽에서 각각 $Cl_s{\to}Cu^{+}\;_{Zn},\;Cl_s{\to}Cu^{2+}\;_{Zn}$ 전이에 의해 중첩된 청색, 녹색 밴드의 발광과, 580 nm 픽에서 Mn 의 $^{4}T_1{\to}^{6}A_1$ 전이에 의한 황색 밴드의 발광으로 이루어진다. Cu 농도의 증가에 따라 450 nm 의 발광 밴드의 휘도는 감소하며 580 nm 의 발광 밴드의 휘도가 증가하였고 발광 휘도가 향상되었다. 즉, 색온도가 높은 cold white(10000 K)에서 색온도가 낮은 Warm white(3000 K) 로 변한다. 이것은 450 nm 의 발광 밴드가 580 nm 의 발광 밴드에 흡수되는 에너지 전이 (Energy transfer) 현상에 기인한다. ZnS:Mn,Cu,Cl 의 Mn 1.5 wt %, Cu 2.5 wt.% 에서 최적 발광 휘도를 보이며, 100 V-400 Hz 에서 약 $12cd/cm^2$이였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.18 no.5
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• pp.272-276
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• 2008

In submicron MOSFET devices, maintaining the ratio between the channel length (L) and the channel depth (D) at 3 : 1 or larger is known to be critical in preventing deleterious short-channel effects. In this study, n-type SOI-MOSFETs with a channel length of $0.1\;{\mu}m$ and a Si film thickness (channel depth) of $0.033\;{\mu}m$ (L : D = 3 : 1) were virtually fabricated using a TSUPREM-4 process simulator. To form functioning transistors on the very thin Si film, a protective layer of $0.08\;{\mu}m$-thick surface oxide was deposited prior to the source/drain ion implantation so as to dampen the speed of the incoming As ions. The p-type boron doping concentration of the Si film, in which the device channel is formed, was used as the key variable in the process simulation. The finished devices were electrically tested with a Medici device simulator. The result showed that, for a given channel doping concentration of $1.9{\sim}2.5\;{\times}\;10^{18}\;cm^{-3}$, the threshold voltage was $0.5{\sim}0.7\;V$, and the subthreshold swing was $70{\sim}80\;mV/dec$. These value ranges are all fairly reasonable and should form a 'magic region' in which SOI-MOSFETs run optimally.

• Environmental Analysis Health and Toxicology
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• v.24 no.1
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• pp.1-8
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• 2009

In this study, we obtained the fertilized eggs from goldfish(Carassius auratus) and observed normal developmental stage(from fertilized eggs to larvae) in non-exposed groups. Goldfish embryos at 3 h postfertilization(hpf) were statically exposed for 1 h to either dimethylsufoxide(DMSO, 0.1%, v/v) or TCDD($0.5{\mu}g/L$). Toxicity and morphological changes were characterized from 3 to 120 h postfertilization(hpf). Egg mortality($0{\sim}48$ hpf) and hatching ratio($72{\sim}83$ hpf) in TCDD-exposed group were significantly different from control groups. However, pericardial edema was first observed at 72 hpf, followed by the onset of yolk sac edema and mortality. In addition, goldfish embryos-larvae exposed to TCDD significantly increased TCDD-related gene such as CYP1A($24{\sim}72$ hpf) and AhR2(72 hpf). This is the first study about in-depth characterization of TCDD-induced developmental toxicity in goldfish(Carassius auratus).

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.104-104
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• 1999

Cerium dioxide 박막의 포토루미네슨에 관해서는 Cerium 4f band에서 oxygen 2p band로의 transition에 의한 발광(400nm) 현상이 보고되었다. 또한 Indium Oxide 박막의 발광(637nm0 현상이 보고되었다. 본 연구에서는 3족인 Indium을 Si/In/CeO2/Si 구조와 CeO2/Si 구조에 도핑하여 포토루미네슨스 현상을 관찰하였다. E-beam evaporator를 사용하여 Silicon(111) 기판에 Cerium dioxcide 박막을 성장시킨 경우의 두가지 시료를 분석하였다. 포토루미네슨스 관찰을 위해서 Ge-Cd laser (325nm)가 사용되었으며 Indium의 도핑양과 분포 상태를 알기 위해 SIMS와 ADP를 이용하여 분석하였다. Indium양에 대한 포토루미네슨스 변화와 열처리 후의 indium의 분포의 변화에 의한 포토루미네슨스 변화를 관찰하였다. 상온에서 In/CeO2/Si 시료와 Si/In/CeO2/Si 시료에 대한 포토루미네슨스 현상을 관찰한 결과 Si/In/CeO2/Si 시료에서만 500nm(2.5eV)에서 발광 현상이 관찰되었다. 도핑된 indium은 ADP에서는 검출되지 않고 SIMS에서만 검출되어 ADP의 detection range(1-0.1%) 이하의 양이 도핑된 것으로 추측된다. 도핑된 Indium의 양이 증가할수록 포토루미네슨스의 Intensity가 증가하였다. 또한 열처리(110$0^{\circ}C$, 1min) 후 포토루미네슨스의 peak위치가 390nm(3.18eV)로 변화하였다. Si/In/CeO2/Si에서 포토루미네슨스 현상이 관측되고 Intensity가 indium의 양에 의존하므로 완전하지 못한 Cerium dioxide의 CeOx 구조와 indium과의 결합이 포토루미네슨스의 원인으로 추측된다. 열처리 후 SIMS의 분석결과 indium의 분포가 변화하였으며 이는 포토루미네슨스의 변화의 원인으로 판단된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1995.07c
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• pp.1111-1113
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• 1995

To improve latch up characteristics of IGBT, this paper proposed new structure with reverse channel. IGBT proposed by this paper were designed on SOI substrate, $p^+$-substrate, and $n^+$-substrate, respectively. As a result of the simulation, we had achieved high latch up voltage and high conduction current density at IGBT with proposed structure. Latch up voltage of Conventional IGBT was 2.5V but IGBT with proposed structure was latched up at $5{\sim}94V$, respectively. And was showed high conduction current desity($10^4{\sim}10^7A/cm^2$)

• Publications of The Korean Astronomical Society
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• v.6 no.1
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• pp.27-37
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• 1991

두 스칼라장 $\phi_1$, $\phi_2$를 사용한 원시 검은 구멍 생성모형을 살펴보았다. $\phi_1$은 Linde의 혼돈 인플레이션장을, 그리고 $\phi_2$는 SU(5) 대통일 이론의 Higgs장을 사용하였다. 인플레이션은 $\phi_1$에 의해서 일어난다고 가정하였는데, 재가열(reheating) 온도가 $\phi_2$장의 임계온도(${\sim}1.31{\times}10^{14}GeV$)보다 높을 경우 재가열 직후에 검은 구멍이 생성됨을 알 수 있었다. 재가열 온도가 $1.48{\times}10^{14}GeV$정도 되면, 질량이 1kg쯤인 검은 구멍이 생성되는데, 현재의 지평선에 해당되는 당시의 영역 내에서 생성되었던 검은 구멍들의 총 질량이 ${\sim}10^{55}g$($\approx$현재 우주의 지평선 질량)이 되어, 그 증발과정이 우주론적으로 중요해질 수 있다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 2002.08a
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• pp.27-30
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• 2002

10-bit 해상도, 10MS/s의 ADC를 Stage 당 1.5-Bit의 Resolution을 가지는 Redundant signed digit(RSD) 방식의 파이프라인 구조를 이용하여 설계하였다. Error Correction Logic을 사용함으로써 비교기를 Coarse하게 설계하였고 잔류 전압 증폭기의 최적 Scaling을 통하여 일반적인 ADC에 비해 성능 저하 없이 효율적으로 소비 전력을 감소시켰다. 또한, Charge Pump의 선택적 사용을 통해 기생 커패시턴스의 영향을 최소화함으로써 잔류전압 증폭기의 출력 전압 특성을 향상 시켰다. 삼성 0.35u CMOS 공정 파라미터를 이용하여 입력 전압 $-1{\sim}1V$, 공급 전압 $-1.5{\sim}1.5V$에서 18.73mW로 설계하였으며 HSPICE로 시뮬레이션 하였다.

• Environmental Analysis Health and Toxicology
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• v.23 no.3
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• pp.195-200
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• 2008

Hydroxylated polychlorinated biphenyl (OH-PCBs)는 PCB의 CYP-dependent oxidation의 대사물로서 잠재적 독성이 강하고 지질친화성을 가지며 생물군에 지속적인 축적성을 나타낸다. OH-PCBs의 해독화 효능을 조사하기 위하여 channel catfish 간에서 glucuronidation을 통한 해독작용 가능성을 평가하고 biphenyl 구조에 다양한 염소치환의 구조적 차이점에 따른 영향을 비교 분석하여 보았다. Kinetic parameters에서 $K_m$과 $V_{max}$는 $192{\sim}871{\mu}M$, $869{\sim}1774$ pmo1/min/mg으로써 4'-OH-PCB35와 4'-OH-PCB69이 가장 높은 속도의 glucuronidation을 나타냈으며, 구조적 차이점에서 phenolic group에 한 개의 염소치환이 존재할 경우보다 두 개의 염소치환이 존재할 경우에 OH-PCBs(p<0.001)의 glucuronidation에 대한 $V_{max}$를 현저하게 낮추는 결과를 보였다.