• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.23-25
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• 2001

In this work, the $Ta_2O_5$ thin films were deposited on Pt/n-Si substrate by reactive magnetron sputtering and the RTA treatment at temperatures range from 650 to $750^{\circ}C$ in $O_2$ and vacuum. X-ray diffraction analysis, FE SEM, dielectric properties and leakage current density have been used to study the structural and electrical properties of the $Ta_2O_5$ thin films. XRD result showed that as- deposited films were amorphous and the annealed films crystallized (<$700^{\circ}C$) into ${\beta}-Ta_2O_5$. The crystallinity increased with temperature in terms of an increase in the intensity of the diffracted peaks(${\beta}-Ta_2O_5$) and annealing in oxygen reduced defect dang1ing Ta-O bonds. As deposited $Ta_2O_5$ films show the leakage current density $10^{-7}$ to $10^{-8}$ (A/$cm^2)$ at low electric fields (<200 kV/cm) However, it was found leakage current density of $Ta_2O_5$ thin films decreased with $O_2$ ambient annealing. The dielectric constant of the as deposited $Ta_2O_5$ thin films was ${\varepsilon}_r$ $9{\sim}11$ but the dielectric constant was increased after RTA treatment in $O_2$ ambient more then in vacuum.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.337-337
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• 2012

단일 결정의 Ge 박막은 0.67 eV의 작은 밴드갭을 가지고 있기에 장파장의 빛을 흡수하기 위한 목적으로 태양전지 분야에서 집중적인 연구가 진행되어지고 있다. 또한, Si에 비하여 높은 전하 이동도를 가지고 있기에 박막 트랜지스터로의 응용 연구들이 진행되고 있는 중이다. 전자 소자로써 큰 효과를 가지고 오기 위해서는 양질의 Ge 결정박막을 성장하여야 한다. 이를 위하여 다양한 공정 방법으로 Ge 박막의 결정성 향상에 대한 연구들을 진행하고 있다. 그중 본 연구에서는 ICP-assisted DC sputtering 방법을 이용하여 저온(${\sim}230^{\circ}C$) Ge 박막 결정성장에 대한 연구를 진행하였다. Ge 박막을 유리기판(Eagle 2000) 위에 증착하였으며, $6{\times}10^{-6}$ Torr 이하의 기본 압력에서 공정을 진행하였다. 7 mTorr의 Ar 분위기에서 타겟에 인가되는 전압 및 전류를 변화 시키며 Ge 박막 증착에 미치는 영향에 대해서 연구를 진행하였다. 기본적인 DC sputtering 방법을 이용하여 박막을 증착하였을 경우 증착한 모든 샘플에서 결정성을 확인하였으며, 낮은 전압에서도 결정화가 일어나는 것을 확인 할 수 있었다. 또한 전압을 증가시켜도 결정화 정도가 일정하게 유지됨을 확인 할 수 있었다. 다만 이 경우에는 결정의 방향이 랜덤하게 형성되었으며, DC sputtering 방법을 이용하여 저온에서 공정을 진행하였기에 박막은 수십 nm의 columnar grain을 형성하였다. ICP를 이용한 DC sputtering 방법을 이용하여 박막을 증착 하였을 경우, 일정 전압 이하에서는 비정질의 Ge 박막이 균일하게 형성됨을 확인 할 수 있었으며, 이후 결정화 정도가 타겟에 인가되는 전압에 비례하여 증가하였다. 또한, 이때 증착된 Ge 박막은 단일 결정으로 형성되었음을 확인 할 수 있었다. 이는 박막 성장시 ICP에 의해서 생성된 Ar 이온이 표면으로 가속화됨으로 인하여 Ge 박막 표면에서 channeling 효과가 나타남으로 인하여 <110> 방향으로 결정이 정열된 것으로 보인다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.83-83
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• 2009

우수한 압전성을 가지는 PZT는 인체에 유해한 다량의 PbO을 함유하여 심각한 환경문제를 야기함은 물론 제조 공정 중 PbO 휘발 억제 시설 구비에 따른 경제적 부담 등 문제점이 지적되었다. 따라서 환경오염 및 가격경쟁력을 갖추기 위해 현재 무연 조성 세라믹스에 대한 많은 연구가 진행되고 있다. 최근 비납계 압전 세라믹의 연구는 비스무스 레이어형과 페로브스카이트 형 비납계 세라믹스의 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 $(Na,K)NbO_3$ 계는 페로브스카이트 구조를 가지는 비납계 세라믹으로 현재 많은 연구가 진행되고 있다. 이 물질은 PZT계와 유사하게 상전이(morphotropic phase boundary:MPB)영역을 가지고 있 으며 이 영역에서 높은 압전 특성을 보여주고 있다. 최근 $Na_{0.5}K_{0.5}NbO_3$에 $LiTaO_3$를 치환하여 우수한 압전 특성을 지니는 조성이 개발되고 있지만, 보통 소성법으로 제조된 세라믹스는 PZT계 세라믹스와 비교하여 특성이 떨어진다. 본 연구에서는 압전성이 우수한 $(Na_{0.44}K_{0.52}Li_{0.44})(Nb_{0.90}Sb_{0.06}Ta_{0.04})O_3$ 조성에 도너 도핑과 억셉터 도핑을 한 다음 전기기계결합계수, 압전상수, 유전상수의 변화를 평가하고, hardener 와 softener 특성이 본조성에서 나타나는지를 관찰하였다. 실험방법은 보통 소성법을 사용하였으며, 분쇄와 혼합은 직경 3 mm zirconia ball을 사용하여 볼밀 하였다. $850^{\circ}C$ 에서 5h 하소 후 $1100{\sim}1200^{\circ}C$ 에서 소결하고, 두께 1 mm로 연마한 다음 silver paste를 $650^{\circ}C$ 에서 소부하여 전극을 형성하였다. 제작된 시편은 $90^{\circ}C$의 실리콘유에서 3~4 kV/mm의 전계를 가해 20분간 분극 처리를 수행하였다. 제작된 시편의 압전전하 상수 값은 d33-meter(APC-8000)를 이용하여 측정하였고, 유전율, 전기기계결합계수 및 기계적품질계수 등은 임피던스 분석기 (impedance/gain phase analyzer)를 이용하여 특성을 측정 하였다. 또한 전압-분극 특성의 평가에는 강유전특성 측정기(ferroelectric tester: Precision-LC, Radiant Technologies, USA)를 이용하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.302-302
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• 2012

본 연구에서는 아크 소스를 이용하여 TiAlN을 코팅하였으며 공정 변수 중 질소 유량에 다른 TiAlN 박막의 물성 변화를 관찰하였다. TiAlN은 고경도 난삭재의 고능률 절삭 분야에 사용되어 공구의 수명을 향상하기 위한 표면처리 소재로 각광을 받고 있다. TiAlN 박막은 아크 소스에 장착된 TiAlN 타겟(Ti-50 at %Al)을 사용하여 스테인리스 강판 위에 코팅 하였으며 이 때 기판과 타겟 간의 거리는 약 30 cm이었다. 기판을 진공용기에 장착하고 ${\sim}10^{-6}$ torr까지 진공배기를 실시한 후 아르곤 가스를 진공용기 내로 공급하여 공정 압력인 $7{\times}10^{-4}$ torr로 제어한다. 공정 압력에서 아크 소스에 약 70 A의 전류를 인가하여 아크를 발생시키고 기판 홀더에 약 -400 V의 직류전압을 인가하여 약 5분간 청정을 실시하였다. 기판의 청정이 끝나면 기판에 인가된 전압을 차단하고 질소 가스를 진공용기에 공급하여 TiAlN을 코팅하였다. 질소 유량이 30 sccm일 경우 TiAlN 박막의 경도가 약 2510 Hv로 가장 높았으며, 질소의 유량이 40 sccm 이상으로 증가할 경우 TiAlN 박막의 경도는 1500 Hv로 주목할 만한 변화는 없었다. 질소 유량이 증가하면 TiAlN 박막의 색상은 회색에서 어두운 보라색으로 변화하였고 주사전자현미경 분석을 통해서 거대 입자(macro particle)가 감소하는 경향을 확인할 수 있었으며 이는 질소 유량이 증가할수록 TiAlN 박막의 표면조도 또한 증가하는 분석결과와 일치하였다. X-선 회절 분석을 통해 질소 유량이 30 sccm 이상에서 박막의 질화가 일어나고 2500 Hv 이상의 경도를 가지는 최적 조건임을 확인하였으며, 이는 절삭 공구 등과 같이 고경도 유지를 위한 코팅 분야에 적용이 가능할 것으로 판단된다. 본 연구에서 얻어진 결과를 바탕으로 질소 유량 외에 다른 공정 조건을 변화시켜 TiAlN 코팅을 실시한다면 다양한 색상 구현, 고경도, 내마모성 등 TiAlN 박막의 기능성을 향상할 수 있을 것으로 예상된다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제27권9호
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• pp.1297-1304
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• 2006

A systematic study of the structure, energetics and spectral characteristics of substituted aminoketenes $R(NH_2)$C=C=O (R = H, $CH_3$, $NH_2$, OH, $OCH_3$, CH=$CH_2$, C$\equiv$CH, CN, CHO, NO, $NO_2$) which are highly reactive and transient intermediates in synthesis has been conducted by ab initio calculations at the MP2/6- 31G*//MP2/6-31G* level. Twenty four stable isomers of the eleven substituted aminoketenes having dihedral angles $\phi NH_2\sim120{^{\circ}}$ and $60^{\circ}$ have been identified and their optimized geometries and energies obtained. Electrostatic and steric effects on the molecular geometries have been analyzed. While the $\pi$-acceptor groups lead to planar conformations, the electron-donor groups give rise to non-planar conformations. Isodesmic substituent stabilization energies relative to alkenes have been calculated and correlation with group electronegativities established. Role of induction effect by the substituent groups and resonance effects in charge distribution in the molecules has been analyzed. An analysis of the asymmetric stretching frequencies and intensities of the C=C=O group shows that affect of non-$\pi$ acceptor substituents on the frequency is determined by the field effect (F) and resonance effect (R) parameters, the calculated intensities I (km/mol.) are correlated to group electronegativities $x$ of the substituents by the relationship I = 640.2–100.1 $x$ (r = 0.92). The $\pi$-acceptor substituents increase the intensity which may be explained in terms of their delocalizing effect on the negative charge at the $C_{\beta}$ atom.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제27권9호
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• pp.1439-1444
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• 2006

A $Cu^{2+}$ ion-selective membrane microelectrode has been fabricated from poly vinyl chloride (PVC) matrix membrane containing a new symmetrical hexadentate Schiff,s base 2-{1-(E)-2-((Z)-2-{(E)-2-[(Z)-1-(2-hydroxyphenyl)ethylidene]hydrazono}-1-methylpropylidene)hydrazono]ethyl}phenol (HDNOS) as a neutral carrier, Potassium tetrakis(4-chlorophenyl) borate (KTpClPB) as an anionic excluder and o-nitrophenyloctyl ether (NPOE) as a plasticizing solvent mediator. The microelectrode displays linear potential response in the concentration range of $1.0\;{\times}\;10^{-5}-1.0\;{\times}\;10^{-11}$ M of $Cu^{2+}$. The microelectrode exhibits a nice Nernstian slope of 25.9 ${\pm}$ 0.3 mV $decade^{-1}$ in the pH range of 3.1-8.1. The sensor has a relatively short response time in whole concentration ranges ($\sim$5 s). The detection limit of proposed sensor is $5.0\;{\times}\;10^{-12}$ M (320 pg/L), and it can be used over a period of eight weeks. The practical utility of the sensor has been demonstrated by using it as an indicator electrode in the potentiometric titration of $Cu^{2+}$ with EDTA. The proposed membrane electrode was used for the direct determining of $Cu^{2+}$ content in black and red pepper, and in waste water samples.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제27권7호
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• pp.1005-1008
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• 2006

The reaction of $AgClO_{4}$ with acyclic potential tridentate N,N,N',N',N''-pentamethyldiethylenetriamine (pmdeta) has given colorless crystals suitable for X-ray crystallography. The crystal structure ($P2_{1}$/n, a = 14.413(1) $\AA$, b = 25.270(2) $\AA$, c = 16.130(1) $\AA$, b = $103.012(1){^{\circ}}$, V = 5723.7(8) A$\AA^{3}$, Z = 4, R = 0.0349) has been solved and refined. Three silver(I) ions connect four pmdeta ligands to produce discrete complex of $[Ag_3(pmdeta)_4](ClO_4)_3$. A pmdeta ligand is bridged to three silver(I) ions, and three other pmdeta ligands are chelated to each silver(I) center in a tridentate mode. Thus, the product is a rare tri-nuclear silver(I) complex with two different chemical environments. $^{13}C$ NMR and $MAS\;^{13}$C NMR indicate that the tri-nuclear silver(I) complex is not rigid in solution. The contact angles and thermal analyses of the complex are measured and discussed.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.375.2-375.2
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• 2016

그래핀(Graphene)은 원자 한 층 두께의 얇은 특성에 기인하여 우수한 투과도(~97.3%)를 나타내며, 높은 전자 이동도($200,000cm^2V^{-1}s^{-1}$)로 인하여 전기 전도도가 우수한 2차원 전자소재이다. 또한 유연하고 우수한 기계적 물성을 가지고 있어 실제로 다양한 소자에서 활용되고 있다. 그래핀을 이용하여 다양한 소자로 응용하기 위한 과정 중 하나인 포토리소그래피 공정(Photolithography process)은 원하는 패턴을 만들기 위해 제작하고자 하는 기판 위에 포토레지스트(Photoresist)를 코팅하는 과정을 거치게 된다. 하지만 이러한 과정은 소자 제작에 있어서 포토레지스트 잔여물을 남기게 된다. 그래핀 위에 남은 포토레지스트 잔여물은 그래핀의 우수한 전기적 특성을 저하시켜 소자특성에 불이익을 주게 된다. 본 연구에서는 수소 플라즈마를 이용하여 그래핀 위에 남은 중합체(Polymer) 잔여물을 제거한다. 사용한 그래핀은 화학 기상 증착법(Chemical vapor deposition)을 이용하여 성장시켰으며, PMMA(Poly(methyl methacrylate))를 이용하여 이산화규소(silicon dioxide) 기판에 전사하였다. 그래핀의 손상 없이 중합체 잔여물을 제거하기 위해 플라즈마 처리시간을 15초부터 1분까지 늘려가며 연구를 진행하였으며, 플라즈마 처리 시간에 따른 중합체 잔여물의 제거 정도와 그래핀의 보존 여부를 확인하기 위해 라만 분광법(Raman spectroscopy)과 원자간력현미경(Atomic force microscopy)을 사용하였다. 본 연구 결과를 통해 간단한 플라즈마 처리로 보다 나은 특성의 그래핀 소자를 얻게 됨으로써, 향상된 특성을 가진 그래핀 소자로 산업적 응용 가능성을 높일 수 있을 것이라 생각된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.368-368
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• 2016

그래핀(Graphene)은 탄소 원자가 6각 구조로 이루진 2차원 알려진 물질 중 가장 얇은(0.34 nm) 두께의 물질이며 그 밴드구로조 인해 우수한 전자 이동도($200000cmV^{-1}s^{-1}$)를 가지고 있며, 이외에도 기계적, 화학적으로 뛰어난 특성을 가진다. 대면적화 된 그래핀을 성장시키기 위한 방법으로는 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition)이 있다. 하지만 실제 여러 전이금속에서 합성되는 그래핀은 다결정으로, 서로 다른 면 방향을 가진 계면에서 전자의 산란이 일어나며, 고유의 우수한 특성이 저하되게 된다. 따라서 전자소재로 사용되기 위해서는 단결정의 대면적화 된 그래핀에 대한 연구가 지속적으로 이루어지고 있다. 앞서의 두 문제점 중, 단결정의 그래핀 합성에 크게 영향을 미치는 요인으로는 크게 합성 온도, 촉매 기판의 탄소 용해도, 촉매 표면에서의 탄소 원자의 확산성이 있다. 본 연구에서는 구리, 니켈, 실리콘에 비해 탄소 용해도가 낮으며, 탄소 원자의 높은 확산성으로 인해 단결정의 단층 그래핀을 합성에 적합하다고 보고된 저마늄(Germanium) 기판을 사용하여 그래핀을 합성하였다. 단결정의 그래핀을 성장시키기 위해 메탄(Methane; $CH_4$)가스의 주입량과 수소 가스의 주입량을 제어하여 성장 속도를 조절 하였으며, 성장하는 그래핀의 면방향을 제어하고자 하였다. 표면의 산화층(Oxidized layer)을 제거하기 위하여 불산(Hydrofluoric acid)를 사용하였다. 불산 처리 후 표면의 변화는 원자간력현미경(Atomic force microscopipe)을 통하여 분석하였다. 합성된 그래핀의 특성을 저 에너지 전자현미경(Low energy electron microscopy), 광전자 현미경(Photo emission electron microscopy), 라만 분광법(Raman spectroscopy), 원자간력현미경(Atomic force microscopy)와 투과전자현미경 (transmission electron microscopy)을 이용하여 기판 표면의 구조와 결정성을 분석하였다.

• 한국조경학회지
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• 제38권5_2호
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• pp.163-175
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• 2010

This study is based on the viewing characteristics of mountain landscapes. It investigates whether the current landscape management-related regulations are efficient in terms of the viewing characteristics of the mountain landscape against Bukhansan Mountain in which the conventional landscape management techniques were used. In addition, some viewing characteristics of mountain landscapes, such as distance from the view point to the target mountain, angle of elevation, altitude, gradient, have been analyzed and 3 cases of viewing condition have been simulated. The following results were obtained: i) Mountain landscapes can be managed up to 7~8 times of the mountain height with a $5{\sim}9^{\circ}$ of elevation angle. ii) In the Natural Landscape District which is situated on the hillside, it is reasonable to include altitude, gradient as criteria for regulation. iii) According to a simulation of the construction permit height by viewing distance, it was confirmed that buildings can be constructed up to 111.55m when viewing the 20% ridge, 150.75m when viewing the 50% ridge and 189.05m when viewing the 70% ridge. iv) The construction permit height varies depending on the landscape analysis method that is used and the application conditions. It is therefore unfair to apply height limit regulations to all buildings without considering the geographical features or viewing characteristics. v) It is unreasonable to apply 2~3 management techniques to the same area for landscape management. Therefore, we recommend the Focused Landscape Management Area based on the landscape master plan as a integrating mountain landscape management techniques.