Journal of Electrical Engineering and information Science
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제2권4호
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pp.106-110
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1997
A new SOI NMOSFET with a 'LOCOS-like' shape self-aligned polysilicon gate formed on the recessed channel region has been fabricated by a mix-and-match technology. For the first time, a new scheme for implementing self-alignment in both source/drain and gate structure in recessed channel device fabrication was tried. Symmetric source/drain doping profile was obtained and highly symmetric electrical characteristics were observed. Drain current measured from 0.3${\mu}{\textrm}{m}$ SOI devices with V\ulcorner of 0.77V and Tox=7.6nm is 360$mutextrm{A}$/${\mu}{\textrm}{m}$ at V\ulcorner\ulcorner=3.5V and V\ulcorner=2.5V. Improved breakdown characteristics were obtained and the BV\ulcorner\ulcorner\ulcorner(the drain voltage for 1 nA/${\mu}{\textrm}{m}$ of I\ulcorner at V=\ulcorner\ulcorner=0V) of the device with L\ulcorner\ulcorner=0.3${\mu}{\textrm}{m}$ under the floating body condition was as high as 3.7 V. Problems for the new scheme are also addressed and more advanced device structure based on the proposed scheme is proposed to solve the problems.
In this work, we fabricated a gas-sensing device based on porous silicon(PS), and its I-V and C-V properties were investigated for sensing alcohol vapor. The structure of the sensor consists of thin Au/Oxidized porous silicon/porous silicon/Silicon/Al, where the silicon substrate is etched anisotropically to be prepared into a membrane shape. As the result, I-V curves showed typical tunneling property, and C-V curves were shaped like those of a MIS (metal-insulator- semiconductor) capacitor, where the capacitance in accumulation was increased with alcohol vapor concentration.
Wind load acting on a standalone structure is different from that acting on a similar structure which is surrounded by other structures in close proximity. The presence of other structures in the surrounding can change the wind flow regime around the principal structure and thus causing variation in wind loads compared to a standalone case. This variation on wind loads termed as interference effect depends on several factors like terrain category, geometry of the structure, orientation, wind incident angle, interfering distances etc., In the present study, a three building configuration is considered and the mean pressure coefficients on each face of principle building are determined in presence of two interfering buildings. Generally, wind loads on interfering buildings are determined from wind tunnel experiments. Computational fluid dynamic studies are being increasingly used to determine the wind loads recently. Whereas, wind tunnel tests are very expensive, the CFD simulation requires high computational cost and time. In this scenario, Artificial Neural Network (ANN) technique and Support Vector Regression (SVR) can be explored as alternative tools to study wind loads on structures. The present study uses these data-driven approaches to predict mean pressure coefficients on each face of principle building. Three typical arrangements of three building configuration viz. L shape, V shape and mirror of L shape arrangement are considered with varying interfering distances and wind incidence angles. Mean pressure coefficients (Cp mean) are predicted for 45 degrees wind incidence angle through ANN and SVR. Further, the critical faces of principal building, critical interfering distances and building arrangement which are more prone to wind loads are identified through this study. Among three types of building arrangements considered, a maximum of 3.9 times reduction in Cp mean values are noticed under Case B (V shape) building arrangement with 2.5B interfering distance. Effect of interfering distance and building arrangement on suction pressure on building faces has also been studied. Accordingly, Case C (mirror of L shape) building arrangement at a wind angle of 45º shows less suction pressure. Through this study, it was also observed that the increase of interfering distance may increase the suction pressure for all the cases of building configurations considered.
About functional parameters of a LED/UVLED (Light Emitting Diode/Ultra Violet LED), one of the most important parameters is the I-V characteristic. By researching factors affect to the I-V characteristic of uvled, we found that beside of the structure of the device itself, there is the influence of the electrode materials, electrode shapes, the process of wiring and packaging. In this work, we want to improve the performance of UVLED to find out the optimal mask design principles. The study is based on theoretical mathematical models, as well as the use of simulation software tool Comsol. From all results obtained, the team has improved mask design to manufacture electrodes for GaN-based UVLED. Electrode masks are designed by three softwares, which are Intellisuite, Klayout and AutoCad. Intellisuite masks would be used in fabrication simulation while Klayout and AutoCad are used to fabricate electrodes in experiments. As well as, we silmulated the structure of an uvled 355nm emission wavelength by TCAD software, in order to compare with uvled sample that has the same emission wavelength.
The wedge type rail clamp compresses the rails with small clamping force at first, and with large clamping force when the wind speed increases because of the wedge working. If the supporter is not installed in the rail clamp with V-type wedge when the wind speed increases more and more, the structure will occur overload which leads the structure to fracture. But in the clamp with U-type wedge the supporter is not necessary because the tangential angle of the wedge increases as the sliding distance increases. The proper shape of U-type wedge is determined by the initial clamping force and the tangential angle of the wedge. Accordingly we, first carry out the finite element analysis in order to analyze the relation between the sliding distance and the wedge angle. Next we suggest the proper shape of U-type wedge as analyze the relation between the radius of curvature and the sliding distance.
This study aims to find the safe vent area to prevent a destruction of building by gas explosion in a building. Explosion vessel which used in this experiment is 1/5 scale down model of simple livingroom and its dimension is 100cm in length 60cm in width and 45cm in height. Liquified petroleum gas(LPG) was injected to the vessel to the concentration of 4.5vol%, and injection rate were varied in 1L/min or 4L/min. Gas mixture was ignited by the 10kV electric spark. For analysis the characteristics of vented explosion pressure according to the vent size and vent shape, its size and shape were varied. From the experiment, it was found that explosion pressure in the vented explosion :in affected by the gas injection rate, vent area and vent shape. And the vent area to volume ratio(S/V) to prevent the building destruction by explosion pressure, it is recommended that the design of vent area happened by the explosion should be above 1/500cm in S/V. And if the vent area has complicate structure in same area, vented explosion pressure will be higher than a single vent, and possibility of building destruction will increase. Therefore to effectively vent the explosion pressure for protect a building and residents from the gas explosion hazards, the same vent area should have a singular and constant shape in the cross-sectional area of the vessel.
We optimized the structure of a fully depleted optical thyristor (DOT) to achieve the faster switching speed and the lower power consumption by the depletion of charge at the lower negative voltage. The fabricated optical thyristor shows sufficient nonlinear s-shape I-V characteristics with the switching voltage of 2.85 V and the complete depletion voltage of -8.73 V. In this paper, using a finite difference method (FDM), we calculate the effects of parameters such as doping concentration and thickness of each layer to determine the optimized structure in the view of the fast and low-power-consuming operation.
Aluminum and its alloys have been widely used in various fields because of low weight, high strength, good conductivity, and low price. It is well known that aluminum alloys that cause natural oxide film can inhibit corrosion in wet, salty environments. However, these oxides are so thin that corrosion occurs in a variety of environments. To prevent this problem, an electrochemical anodizing technique was applied to the aluminum alloy surface to form a thick layer of oxide and a unique oxide shape, such as a hierarchical pore structure simultaneously combining large and small pores. The shape of the structures was implemented using stepwise anodization voltages such as 40 V for mild anodizing and 80 V for hard anodizing, respectively. To maximize water repellency, it is crucial to the role of surface structures shape. And a hydrophobic thin film was coated by 1H, 1H, 2H, 2H-Perfluorodecyltrichlorosilane (FDTS) to minimize surface energy of the structure surface. Thus, such nanoengineered superhydrophobic surface exhibited a high water contact angle and excellent corrosion resistance such as low corrosion current density and inhibition efficiency.
We present lateral actuated piezoelectric actuator using U-shaped PZT strip and lever structure for the RF switch application. In the previous study of RF switch, they used horizontal contact switch fabricated by thin film metals. However, thin film metals could not generate large contact force due to low stiffness. In this work, we suggest lateral contact switch which makes large contact force by increasing stiffness. In addition, we use PZT actuator for the high force actuation. Generally actuator using thin film PZT moves to the vertical direction due to the neutral axis shift. Therefore we need lateral motion generation mechanism based on the thin film PZT actuator. In order to increase lateral motion of thin film PZT actuator, we use U-shaped PZT actuator using residual stress control. Also, thin film PZT actuator can generate very small lateral motion of 120${\times}$10$^{-6}$${\mu}{\textrm}{m}$/V for d$_{31}$ mode, thus we suggest lever structure to increase stroke amplification. From the experimental study, fabricated PZT actuator shows maximum lateral displacement of 1 ${\mu}{\textrm}{m}$, and break down voltage of the thin film PZT actuator is above 16V.
One of the most important issues in AC PDP is the improvement of luminous efficiency. One possible method is to develop new sustain electrode shape showing high luminous efficiency. In this study, a new electrode shapehas a bridge is proposed in order to solve this problem. The experimental results show that the test panel with the suggested new electrode shape shows high luminance efficiency by 35.35% and low sustain voltage by 17V compared with the conventional structure.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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