• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.13 no.10
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• pp.2154-2162
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• 2009

This paper describes a scalar multiplier for Elliptic curve cryptography for smart card security. The scaler multiplier has 163-bits key size which supports the specifications of smart card standard. To reduce the computational complexity of scala multiplication on finite field, the non-adjacent format (NAF) conversion algorithm which is based on complementary recoding is adopted. The scalar multiplier core synthesized with a 0.35-${\mu}m$ CMOS cell library has 32,768 gates and can operate up to 150-MHz@3.3-V. It can be used in hardware design of Elliptic curve cryptography processor for smartcard security.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2009.06a
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• pp.899-900
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• 2009

• Journal of the Korean Geotechnical Society
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• v.24 no.6
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• pp.5-16
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• 2008

This study investigated the existing theoretical backgrounds in order to examine the stability control method of lateral flow caused by the Plasticity of soils when unsymmetrical surcharge works on polluted soils and then compared and analyzed the results measured through model tests. Ultimate bearing power of ML and $ML_{p1}$ and $ML_{p2}$ obtained at surcharge(q)-settlement$(S_v)$ curve showed similar trends to ultimate bearing power obtained from control chart of deflection $(S_v-Y_m)$ by Tominaga.Hashimoto, that of $S_v-(Y_m/S_v)$ by Matsuo.Kawamura and that of $(q/Y_m)-q$ by Shibata.Sekiguchi and so it is considered that it has no problem in actual applicability. ${S_v-(Y_m/S_v)}$ of control chart of $ML_{p1}$ by Matsuo.Kawamura showed smaller value than ultimate bearing capacity value from surcharge-settlement curve $(q-S_v)$. Expression of ML of fracture baseline at stability control charge by Matsuo Kawamura is ${S_v=3.21exp}\{-0.48(Y_m/S_v)\}$ and expression of $ML_{p1}$ is ${S_v=3.26exp}\{-0.96(Y_m/S_v)\}$ and expression of $ML_{p2}$ is ${S_v=6.33exp}\{-0.45(Y_m/S_v)\}$.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.26 no.6
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• pp.38-47
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• 1989

A purely analytical model for HEMT's based on a two dimensional charge control simul-ation[4] is proposed. In this model proper treatment of diffusion effect of electron transport along a 2-DEG (two dimensional electron gas) channel is perfoemed. This diffusion effect is shown to effectively increase the bulk mibility and threshold voltage of the I-V curves compared to the existing models. The channel thickness and gate capacitance are expressed as functions of gate voltages covering subthreshold characteristics of HEMT's analytically. By introducing the finite channel opening and an effiective channel-length modulation, the solpe of the saturation region of the I-V curves ws modeled. The smooth transition of the I-V curves at linear-to-saturation regions of the I-V curves was possible using the continuous Troffimenkoff-type of field dependent mobility. Furthermore, a correction factor f was introduced to account for the finite transition section forming between a GCA and a saturated section. This factor removes large discrepancies in the saturation region of the I-V curve predicted by existing l-dimensional models.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07c
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• pp.1295-1296
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• 2006

수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(a-Si:H TFT)의 이력 현상이 능동형 유기 발광 다이오드(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode) 디스플레이 패널을 구동할 경우에, 발생할 수 있는 잔상(Residual Image) 문제를 단위 소자 및 회로에서 실험을 통하여 규명하였다. 게이트 시작 전압을 바꾸어 VGS-ID 특성을 측정할 경우, 게이트 시작 전압이 5V에서 시작한 VGS-ID 곡선이 10V에서 시작한 VGS-ID 곡선에 비해 왼쪽으로 0.15V 이동하였다. 이러한 결과는 게이트 시작 전압의 차이에 의해 발생한 트랩된 전하량(Trapped Charge) 변화로 설명할 수 있다. 또한, 인가하는 게이트 전압 간격을 0.5V에서 0.05V로 감소시켰을 때 전하 디트래핑 비율의 변화(Charge De-trapping Rate)로 인하여, 이력 현상(Hysteresis Phenomenon)으로 인한 단위 소자에서의 문턱전압의 변화가 0.78V에서 0.39V로 감소함을 관찰하였다. 제작된 2-TFT 1-Capacitor의 ANGLED 화소에서 (n-1)번째 프레임에서의 OLED 전류가 (n)번째 프레임에서의 OLED 전류에 35%의 전류오차를 발생시키는 것을 측정 및 분석하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.04c
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• pp.230-232
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• 2008

본 논문은 정상상태에서의 태양광 PV 모듈의 출력특성을 가지며 일사량과 온도의 변화에 따라 가 변하는 I-V 곡선의 특성을 나타내는 태양광 어레이 시뮬레이터의 제작에 관한 연구 결과이다. 본 시뮬레이터는 태양전지의 I-V 곡선상의 동작점을 실시간으로 표시하여, 가변하는 일사량과 온도를 설정하는 유저 인터페이스를 Labview 프로그램으로 구현하였으며 직류 프로그래머블 전원장치(DC programmable power supply)를 GPIB로 연결하여 구현하였다. 정상 부하조건 뿐만 아니라 개방조건, 단락조건에서도 동작하는 태양전지 동작점 추적 알고리즘을 개발하였으며 실험을 통하여 제안한 알고리즘의 효용성을 확인하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.3
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• pp.12-12
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• 2001

PLZT(10/30/70), PLT(10) 및 PZT(30/70) 와 같은 강유전체 박막의 이력곡선을 field-dependent polarization 모델을 이용하여 시뮬레이션하고, 측정한 실험적 결과와 비교, 분석하였다. PZT(30/70) 박막의 경우, 5V 이상의 인가전압에서 분극의 포화현상이 둔감하게 나타나고 시뮬레이션 값과의 차이도 심해 강유전체 분극이 순수한 dipole 외에도 다양한 전하의 영향을 받아 형성된다는 사실을 알 수 있다. 또, quasi-MFISFET 소자의 드레인 전류는 field-dependent polarization 모델의 강유전체 이력곡선에서 얻은 파라미터를 square-law FET 모델에 적용시켜 효과적으로 추출하였고, 모델링 결과는 실험값과 유사하였다. 그리고, quasi-MFISFET 소자의 gate 에 -10V의 ′write′ 전압을 인가한 상태에서 PZT(30/70) 박막을 사용한 경우, PLZT(10/30/70), PLT(10) 박막 보다 빨리 채널이 형성되었는데, 그 원인은 강유전체 박막에 따른 retention 특성에서 PZT(30/70) 박막의 분극 감소가 PLZT(10/30/70), PLT(10) 박막의 분극 감소 보다 약 3∼4 배 이상 크다는 점에서 찾을 수 있다.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2015.03a
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• pp.83-90
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• 2015

본 연구에서는 Poisson-Nernst-Plank (PNP) 식의 해를 구할 수 있는 Edison web-based Poisson-Nernst-Plank (EPNP) Solver를 이용하여 나노포어의 이온선택성 및 박막의 유전율, 그리고 이온 농도가 이온 전류와 이온전도도에 미치는 영향에 대해 알아보았다. 계산 결과로부터 나노포어의 이온선택성에 의해 양이온이 이온전류에 미치는 영향이 매우 크며, top buffer와 bottom buffer의 농도가 증가할수록 이온 전도도 (ion conductance)가 비선형적으로 증가함을 알 수 있었다. top buffer와 bottom buffer 간에 농도 차가 있을 때는 농도 차와 나노포어의 이온선택성에 의해 형성되는 Nernst 전위의 영향으로 I-V 곡선이 비대칭적 형태임을 알 수 있었다. 또한, 나노포어의 상대 유전율을 증가시킬 때 I-V 곡선에서의 양이온 전류는 감소했지만 음이온의 전류는 증가하는 경향을 보였다. 이는 나노포어 내에 배열된 쌍극자에 의한 영향과 전하를 가진 입자가 유전경계 (dielectric boundary)에 접근하면서 형성되는 상전하에 의한 영향이 동시에 존재하기 때문임을 알 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.07c
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• pp.2082-2084
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• 2005

I-V 특성 곡선의 2차 미분을 통해서 얻어지는 전자 에너지 분포 함수를 정확하게 구하기 위해서는 스무딩 과정이 반드시 필요하다. 대표적인 스무딩 방법으로 가우시안 확률 밀도 함수를 instrument함수로 이용하는 가우시안 스무딩이 있다. 본 연구에서는 시스템에 따라서 instrument함수가 다르다는 점에 착안하여, 여러 가지 다른 종류의 확률 밀도 함수를 instrument함수로 사용 스무딩에 적용하여 확률 밀도 함수에 따른 노이즈 제거 및 전자 에너지 분포 함수의 정확도를 비교하였고. 동시에 대표적인 범용 스무딩 방법인 사비츠키-골래이 스무딩, Polynomial fitting과도 그 결과를 비교 분석하였다.

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 2000.10a
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• pp.31-31
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• 2000