• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.12 no.6
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• pp.201-205
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• 2002

The tunneling magnetoresistance (TMR) of a ramp-edge type junction has been studied. The samples with a structure of NiO(60)/Co(10)/NiO(60)/Si$_3$N$_4$(2-6)/NiFe(10) (nm) were prepared by the sputtering and etched by the electron cyclotron (ECR) argon ion milling. Nonlinear I-V characteristics was obtained from a ramp-type tunneling junctions having the dominant difference between zero and ＋90 Oe perpendicular to the junction edge line. The voltage dependence of TMR was stable up to a bias volt of $\pm$10 V with a TMR ratio of about -10%, which may be very peculiar magnetic tunneling properties with asymmetric tunneling process between wedge Co pinned layer and NiFe free layer.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.218-218
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• 2010

유기물과 무기물이 결합한 유기물/무기물 나노복합체는 차세대 전자 소자 제작에 있어 저전력 및 높은 생산성으로 인해 유용한 소재로 각광받고 있다. 유기물/무기물 나노복합체에 사용되는 물질 중에서 코어-쉘 구조의 나노 입자를 사용한 나노복합체는 나노 입자의 쉘에 의한 메모리 특성의 변화로 인해 차세대 메모리 소자에 응용하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 코어-쉘 나노 입자가 분산되어 삽입된 고분자 박막 구조를 사용한 비휘발성 메모리의 쉘에 의한 메모리 특성 변화에 대한 연구는 비교적 미미하다. 본 연구에서는 CdTe-CdSe 나노 입자가 Poly(9-vinylcarbazol) (PVK) 박막에 분산된 구조를 기억층으로 사용하는 비휘발성 메모리 소자의 제작과 CdSe 쉘 층에 의한 메모리 특성의 변화에 대한 관찰을 수행하였다. 코어-쉘 나노입자에서 쉘의 역할을 알기 위하여 CdTe-CdSe 나노 입자와 CdTe 나노 입자를 각각 PVK에 톨루엔을 사용하여 녹여 나노 입자가 분산된 용액들을 제작하였다. 두 용액을 p-Si 기판 위에 스핀 코팅으로 도포한 후에 열을 가해 나노복합체를 형성하고 Al을 게이트 전극으로 증착한다. 제작된 두 가지 Al/CdTe-CdSe나노 입자＋PVK/p-Si 소자와 Al/CdTe나노 입자＋PVK/p-Si 소자는 정전용량-전압 (C-V) 측정 결과 히스테리시스 특성이 관찰되었다. CdTe-CdSe 나노 입자를 포함한 소자의 C-V 곡선의 flatband voltage shift는 0.5 V이고, CdTe 나노입자를 포함한 소자의 C-V 곡선의 flatband voltage shift는 1.1 V이다. CdTe-CdSe 나노 입자가 포함된 소자와 CdTe 나노 입자가 포함된 소자의 flatband voltage shift의 차이가 나타나는 원인에 대하여 에너지 밴드 대역도를 사용하여 설명하였다. 본 연구결과는 코어-쉘 나노 입자를 사용하는 비휘발성 메모리 소자에서 쉘에 의한 메모리 특성 변화에 대한 정보를 제공할 것이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.191-191
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• 2007

유효 산화막 두께가 약 2.0nm 정도의 $ZrO_2$ 절연막 위에 Ta-Mo 금속 합금과 Ru-Zr 금속 합금을 Co-sputtering 방법을 이용하여 여러 가지 일함수를 갖는 MOS capacitor를 제작하여 전기적 재료적 특성에 관하여 연구를 하였다. 그 결과 각각의 금속 합금 게이트는 4.1eV 에서 5.1eV 사이의 다양한 일함수를 나타냈으며, $400^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, $600^{\circ}C$, $700^{\circ}C$, $800^{\circ}C$ RTA 후의 C-V특성 곡선 및 I-V 측정을 통하여 누설전류를 확인하였다. 그 결과 Ta-Mo 금속 합금의 경우 스퍼터링 파워가 100W/70W에서 NMOS에 적합한 일함수를 가졌으며, Ru-Zr 금속 합금의 경우 스퍼터링 파워가 50W/100W에서 NMOS에 적합한 일함수를 가졌다. 열처리 후의 C-V특성 곡선에서도 정전용랑 값이 거의 변하지 않았으며 평탄 전압의 변화도 거의 없었다. 누설전류 특성에서는 물리적 두께가 비슷한 기존의 $SiO_2$ 절연막에서 실험결과와 비교하여 약 100배 정도 감소되었음을 알 수 있었다. 또한 기존의 실험들에서 나타난 열처리 후의 $ZrO_2$ 절연막과 Si 기판 사이의 Interfacial layer 의 동반 두께 증가로 인한 전기적 특성 저하가 나타나지 않는 줄은 특성을 보여준다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.2
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• pp.136-143
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• 2000

$SrBi_2Ta_2O_9;(SBT)$ films were deposited on p-type Si(100) at room temperature by rf magnetron sputtering method to confirm the possibility of application of $Pt/SBT/Pt/Ti/SiO_2/Si$ structure (MFM) for destructive read out ferroelectric RAM (random access memory). Their structural characteristics with the various annealing times and Ar/$O_2$ gas flow ratios in sputtering were observed by XRD (X-ray diffractometer) and the surface morphologies were observed by FE-SEM (field emission scanning electron microscopy), and their electrical properties were observed by P-V (polarization-voltage measurement) and I-V (current-voltage measurement). The Ar/$O_2$ gas flow ratios of sputtering gas were changed from 1 : 4 to 4 : 1 and SBT thin films were deposited at room temperature. The films show (105), (110) peaks of SBT by XRD measurement. SBT thin films deposited at room temperature were crystallized by furnace annealing at 80$0^{\circ}C$ in oxygen atmosphere during either one hour or two hours. Among their electrical properties, P-V curves showed shaped hysteresis curves, but the SBT thin films showed the asymmetric ferroelectric properties in P-V curves. When Ar/$O_2$ gas flow ratios are 1 : 1, 2: 1, the leakage current density values of SBT thin films are good, those values of 3 V, 5 V, and 7 V are respectively $3.11\times10^{-8} \textrm{A/cm}^2$, $5\times10^{-8}\textrm{A/cm}^2$, $7\times10^{-8}\textrm{A/cm}^2$.After two hours of annealing time, their electrical properties and crystallization are improved.

• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
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• v.37 no.1
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• pp.60.1-60.1
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• 2012

구경 3.6m의 캐나다-프랑스-하와이 망원경(Canada-France-Hawaii Telescope, CFHT)의 주 초점에 설치된 CFH12K CCD 카메라를 이용하여 늙은 산개성단 NGC 1245와 NGC 2506에 대한 V와 I필터를 이용한 CCD측광을 수행하였다. 관측된 영역은 NGC 1245는 84'${\times}$82', NGC 2506은 42'${\times}$81'이고, 한계등급 V ${\approx}$ 23등급까지 관측하였다. 이론적인 등연령곡선을 사용하여 NGC 1245와 NGC 2506에 대해 각각 물리량 E(B-V) = 0.2, 0.03, (V-M_V)_0 = 12.5, 12.5, log(age) = 9.0, 9.3으로 구하였다. 이로부터 MV ${\approx}$ 10등급까지의 광도함수와 질량함수를 구하였다. NGC 1245와 NGC 2506의 질량함수의 기울기를 각각 ${\Gamma}$ = -1.26${\pm}$0.04, ${\Gamma}$ = -1.27${\pm}$0.07로 얻었고, 이들의 기울기는 태양부근의 낱별의 질량함수의 기울기에 비해 완만하다. 이는 성단에서 질량이 작은 별들의 질량 증발에 의한 역학적 진화의 효과로 보인다. 본 발표에서는 관측 내용과 그 결과를 소개하고자 한다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.1 no.3
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• pp.269-277
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• 1988

P형 Si(100)로 제작한 MOS 커패시터에 $Co^{60}$-.gamma.선을 주사한 후 고주파 C-V특성 곡선으로 부터 방사선 조사에 의해 유발된 산화막안의 트랩전하의 거동 및 Si- $SiO_{2}$계면에서의 트랩밀도 분포의 변화를 검토하였다. 산화막 느랩전하는 .gamma.선 흡수선량 증가와 더불어 증가하다가 $10^{7}$ rad 부근에서부터 서서히 포화하는 경향이 나타났으며 게면트랩밀도의 분포모양은 흡수선량의 증가와 더불어 전형적인 이그러진 W자형에서 넓혀진 V자형 분포로 변화하였으나 최소값은 항상 진성페르미준위( $E_{i}$)부근에 있었으며 그 밀도는 1.0*$10^{11}$~7.5*$10^{11}$[개/$cm^{2}$/eV]로 계산되었다. 또한, 일정 바이어스전압하에서의 조사선량에 따른 $V_{fb}$ 의 변화는 현저하지는 않았으나 바이어스 전압을 +12V로 인가할 때 변화방향의 반전상태가 관측되었다. 그 이유로는 Si측의 계면 부근에서 일어난 눈사태 전자가 산화막내로 주입됨에 따라 도너형 양전하의 수가 감소되기 때문으로 추정되었다.되었다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2013.07a
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• pp.234-235
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• 2013

PV cell model은 PV simulator를 제작하거나 시뮬레이션 Software를 통하여 PV 발전시스템을 분석하기 위하여 필요하다. PV cell의 I-V 특성곡선은 PV cell의 특성을 결정짓는 중요한 요소이며, 전기적으로 다이오드정수($I_o$, $v_t$)와 광전류원($I_{ph}$) 그리고 직렬저항($R_s$) 및 션트저항($R_{sh}$)으로 모델링 가능하다. 광 전류원은 일사량에 비례하여 그 값을 추정할 수 있으나 나머지 변수인 다이오드정수($I_o$, $v_t$)와 직렬저항($R_s$) 및 션트저항($R_{sh}$)은 제조사 데이터시트에서 제공하는 3개의 대표적인 운전점인 개방회로 전압($V_{oc}$), 단락회로 전류($I_{sc}$), 그리고 최대출력에서의 전압/전류($V_{MPP}/I_{MPP}$)를 기초로 수학적으로 해를 구하여야만 한다. 본 논문에서는 저자가 제안하는 K-알고리즘의 수학적 도출 과정과 수치해석적 특성을 고찰한다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2006.11a
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• pp.118-121
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• 2006

현재 PDP는 차세대 대형 평판 표시장치로서 각광을 받고 있으며 빠른 속도로 개발이 진행되고 있다. AC PDP에서 가장 큰 문제인 화질과 휘도 및 방전효울의 향상 그리고 전력손실의 저감 등 높은 contrast의 실현, 제품 가격의 저하 등에 관한 문제이다. 본 연구에서는 벽전압 전달곡선을 이용한 동작�v성에 대해 고찰하고자 한다. 동작특성 주파수가 변화할 때 방전 개시전압이 감소하나 메모리 마진은 거의 동일함을 보였다. Duty 비를 0.5, 0.75, 0.9로 변화시키면 방전개시전압은 각각 216V, 213V, 206V로 감소하는 경향이 있지만, 방전유지전압은 153V로 거의 일정하였다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2000.11b
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• pp.148-151
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• 2000

In recent years, security is essential factor of our safe network community. Therefore, data encryption/ decryption technology is improving more and more. Elliptic Curve Cryptosystem proposed by N. Koblitz and V. Miller independently in 1985, require fewer bits lot the same security, there is a net reduction in cost, size, and time. In this paper, we design high speed underlying field arithmetic processor for elliptic curve cryptosystem. The targeting device is VIRTEX V1000FG680 and verified by Xilinx simulator.

• Proceedings of the KWS Conference
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• 2004.05a
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• pp.321-323
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• 2004

전자 제품에 사용되는 부품 ㆍ소재의 신뢰성 품질 평가를 위해 정밀한 모터의 제어기술, 첨단신호처리 기술, 압전소자 기술의 발달로 미세변화 계측의 재현성, 고분해능, 표면과 내부의 이미지관찰, 또한 미소부위에서 재료의 누설탄성표면파의 음속측정이 가능한 초음파현미경에 대한 연구가 최근 들어 활발히 진행되고 있다. (중략)