• 제목/요약/키워드: V/III 비율

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Effect of Testosterone Propionate on the Economic Traits of the Silkworm, Bombyx mori L.

  • Magadum, V.B.;Magadum, S.B.
    • 한국잠사곤충학회지
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    • 제35권1호
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    • pp.69-72
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    • 1993
  • Testosterone Propionate가 가잠의 실용형질에 미치는 영향 다화성계통의 1종인 Pure Mysore 품종에 대한 testosterone propionate(TP)의 농도별 (1, 5, 10$\mu$g/ml) 투여효과를 조사하였다. TP의 처리는 유충 3, 4, 5령의 36시간째 투여구(처리-1), 4, 5령의 48시간째 투여구(처리-2) 및 5령 72시간째 투여구(처리-3)의 3개 시험구를 설정하여 농도별로 피부에 침투하였다. 실험 결과 모든 시험구에서 TP 처리는 산란성에 증대효과를 보였으나, 화용비율 및 발아비율은 대조구에 비해 떨어지고 있었다.

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망간-철 산화물을 이용한 PVdF 나노섬유복합막의 제조 및 비소 제거 특성 평가 (Preparation of PVdF Composite Nanofiber Membrane by Using Manganese-Iron Oxide and Characterization of its Arsenic Removal)

  • 윤재한;장원기;박예지;이정훈;변홍식
    • 멤브레인
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    • 제26권2호
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    • pp.116-125
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    • 2016
  • 본 연구에서는 비소(arsenic, As) 제거 특성을 가진 망간-철 산화물(manganese-iron oxide, MF)을 제조하고, 이를 poly vinylidene fluoride (PVdF)와 복합화를 진행하여 As(III)와 As(V)를 동시에 제거가 가능한 수처리용 나노섬유복합막(polymer nanofiber membrane with Mn-Fe, PMF) 제조에 관한 기초 연구를 진행하였다. Transmission electron microscope(TEM) 분석을 통해 MF 소재의 형상 및 구조를 확인하였으며, PMF 복합막의 수처리용 분리막으로의 활용가능성을 조사하기 위하여 기계적 강도, 기공크기, 접촉각 및 수투과도 분석을 진행하였다. 측정결과로부터 망간과 철 비율이 같은 PMF11 복합막의 기계적 강도가 가장 높은 결과값($232.7kgf/cm^2$)을 나타낸 것을 확인할 수 있었다. 또한, MF 소재의 도입에 따라 기공 크기가 점차 줄어드는 경향성을 확인할 수 있었으며, 특히, 철 산화물의 조성비가 증가할수록 기공크기가 감소하는 경향성을 보여주었다. 수투과도 측정결과 MF 소재의 도입에 따라 PVdF 나노섬유막에 비해 약 10~60% 이상 향상되는 결과를 나타내었다. 제조된 MF 소재 및 PMF 복합막의 비소 제거 특성평가를 통해 As(III)와 (V)의 동시 제거 가능하며, 특히, MF01 샘플의 경우 As(III)와 (V)에 각각 93, 68%의 가장 높은 흡착제거율을 나타내었다. 따라서 본 연구에서는 제조된 MF소재 및 PMF 복합막을 통해 수처리용 분리막의 기능성 향상을 위한 기초연구 자료로 활용할 수 있을 것으로 기대된다.

한국수도품종의 형태변이에 관한 연구 -제2보 한국수도품종의 변천에 따른 외부형태 및 수량구성요소의 변이 (Studies on the Varietal Variation in Morphology of, the Korean Rice Cutivars -II. Varietal variation in morphology of vegetative organs and in yield components along the periodical changes of the Korean rice varieties-)

  • 이은웅;김광호;권용웅
    • 한국작물학회지
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    • 제7권1호
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    • pp.71-78
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    • 1969
  • 한국수도품종의 시대적 변천에 따른 그들 품종의 외부형태와 수량 및 수량구성요소의 변이를 살펴보고저 년대별 주요품종3개씩 18개품종을 시료로 하여 6개품종군 ${\circled1}$ 1907년대 품종(재래품종)을 1군 ${\circled2}$1907~1930년항까지의 품종(도입일본품종)을 II군 ${\circled3}$1930~1960년항까지의 품종중 도입일본품종을 III군, 국내육성품종을 IV군 ${\circled4}$1960년이후 현재까지의 재배품종중 도입일본품종을 V군, 국내육성품종을 VI군으로 구분하여 시험조사하였는데 그 결과는다음과 같다. 1. 신장절위는 엽신장은 1군이 가장 길고 품종의 변천과 함께 짧아지는 경향을 보였고 지엽각은 예각의 방향으로 변천되어 왔으며 총엽면적은 I군에 비하여 II~V군은 모두 작은 수치를 보였는데 일반적으로 상부절위의 엽면적이 특히 작아진 경향을 보였으며 엽면적지수는 반대로 I군이 가장 낮은 값을 보였다. 2. 엽초장 및 엽초중은 I군에 비하여 III~V군은 작은 수치를 보였는데 II~VI군간에는 일정한 경향이 없었고 절간장은 I군이 길고 그밖의 군에서는 짧았는데 시대적 품종의 변천에 따라서 상위부의 절간장이 짧아지는 경향이었다. 절간중은 I군이 매우 크고 그밖의 군은 작은데 시대적 품종의 변천에 따라서 대체로 가벼워지는 경향이었다. 3. 수량구성요소의 품종군간 변이는 간장, 수장 및 I수정화수는 I군 및 III군이 높은 수치를 보였고, 1주수수, 등열비율 및 정조천엽중은 IV, V 및 VI군이 높은 값을 보였다. 시대적 품종의 변천에 따라서는 일정한 경향은 없지만 대체적으로 최근의 재배품종인 V군 및 VI군이 간장 및 수장이 짧아졌고 등열비율 및 정조천엽중은 증대되었으며 수수 및 I수입수sms 중위의 값을 보여주고 있다. 4. 고간중은 Irns이 가장 가벼웠고 그 외 품종군은 서로 비슷하였으며 정조중은 VI군이 가장 높은 치를 보였고 II군, III군, IV군 및 V군은 서로 비슷하게 중간치를 보였으며 I군이 가장 낮은 수치를 보였다. 조/고 비율은 VI군이 가장 높았고 I군이 가장 낮았다. 5. 공시한 품종군중 IV군, V군 및 VIrnsdms 수수, 일수평균완전입수 및 정조수입중이 평형있게 수량을 구성하고 있음이 밝혀졌다.

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전자빔 조사를 이용한 CIGS 박막 결정화 특성 (Rapid crystallization of Cu-In-Ga-Se precursors by electron beam irradiation)

  • 임선경;김영만;정채환
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.278-279
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    • 2015
  • CIGS 전구체는 각각 DC와 RF power로 셀레늄(Se)이 포함된 CuSe 타겟과 $(In,Ga)Se_2$ 타겟을 이용하여 스퍼터링 기법으로 증착한 후에 고속결정화 특성을 위해 전자빔을 조사하였다. 전자빔의 가속 전자의 강도(DC power)는 2.5~3.5keV로 조정하고 조사시간은 300초, RF power는 200W로 고정하였다. SEM image에서 전구체의 두께가 가속 전자의 강도에 따라 100~200nm의 손실됨을 확인할 수 있었다. XRD data 결과에서 3keV에서 조사된 샘플에서 가장 높은 (112) 피크의 특정 배양성을 보여 높은 결정화특성을 나타내었다. 조성비간의 변화를 보기 위해 XRF data 분석결과 전구체와 샘플간의 조성비의 차이는 그리 크지 않으나 I/III 족 비가 3 keV에서 가장 이상적인 비율이라 알려져 있는 1.0을 보였다.

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Ni/GaN Schottky 장벽 다이오드에서 Ga 분자선량변화에 따른 결함 준위 연구

  • 오정은;박병권;이상태;전승기;김문덕;김송강;우용득
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.460-460
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    • 2013
  • 본 연구는 Si (111) 기판위에 Ga 분자선량을 변화시켜 GaN 박막을 molecular beam epitaxy 법으로 성장하고, Schottky 장벽 다이오드를 제작한 후에 deep level transient spectroscopy (DLTS) 법을 통하여 깊은 준위 결함에 대하여 조사하였다. 성장 시 Ga 분자선량은, 그리고 Torr로 달리하여 V/III 비율을 변화시켰고, Schottky 장벽 다이오드 제작을 위하여 e-beam evaporator를 사용하여 metal을 증착하였다. Schottky 접촉에는 Ni (20 nm)/Au (100 nm)를 증착하였고, ohmic 접촉에는 Ti (20 nm)/Au (100 nm)를 증착하고 I-V, C-V 그리고 DLTS를 측정하였다. DLTS 신호를 통해 GaN 박막 성장 과정에서 형성되는 깊은 결함의 종류를 확인하였으며, 열처리 등의 처리 및 측정 조건변화에 따른 결함의 거동과 종류 및 원인에 대하여 분석 설명하였다.

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RTA 방법에 의해 Zn 도핑된 InP의 오믹저항 특성연구 (Study on Ohmic resistance of Zn-doping InP using RTA method)

  • 김효진;김인성;김태언;김상택;김선훈;기현철;이경민;양명학;고항주;김회종
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.237-238
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    • 2008
  • 본 연구에서는 APD 소자 제작시 주로 쓰이는 RTA에 의한 Zn 확산방법에 사용할 경우 undoped InP의 V/III비율에 따른 Zn원자의 확산, 도핑, 오믹저항의 성장을 조사하였다. RTA에 의한 확산 및 활성화 열처리 시 도핑 농도의 프로파일은 확산열처리만 한 경우보다 활성화 처리한 경우 더 커짐을 볼 수 있었다. SIMS 결과 활성화 처리 후 표면쪽에 Zn원자의 약간의 결핍현상을 보이는 데 이는 표면쪽에 Zn원자의 탈착이 약간 이루어지는 것으로 보인다. 이 원인은 결과적으로 오믹저항의 증가를 가져왔다.

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천관산의 식물상 (The Flora of Mt. Cheongwan)

  • 김동철;정영재
    • 한국환경생태학회지
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    • 제25권3호
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    • pp.253-266
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    • 2011
  • 천관산의 관속식물은 89과 221속 270종 47변종 6품종의 총 323분류군으로 구성되어 있었다. 특기할 식물로는 멸종위기야생식물 II급인 히어리 1종이 분포하였고, 한국특산식물은 6과 6속 5종 1품종 총 6분류군이 생육하며, 구계학적 특정식물은 I등급 29종, II등급 2종, III등급 6종, IV등급 2종, V등급 1종으로 총 40종의 식물이 분포하였다. 귀화율은 3.72%, 도시화지수는 4.14%로 확인되어 비교적 낮은 비율로 나타났다.

CVPE(Chloride Vapor Phase Epitaxy)법에 의한 GaN 박막성장 연구 (GaN Thin Flims Grown by CVPE(Chloride Vapor Phase Epitaxy) Method)

  • 오태효;박범진
    • 한국결정학회지
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    • 제8권2호
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    • pp.81-88
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    • 1997
  • GaN와 $NH_3$를 source gas로 사용하여 (0001) sapphire 기판에 CVPE(Chloride Vapor Epitaxy)방법으로 GaN 박막을 성장시킨후 그 특성을 조사하였다. 성장온도 $970^{\circ}C$ 부터 $1040^{\circ}C$ 영역에서 source gas의 유량비를 변화하면서 최적증착조건을 구현하였고, GaN증착이전에 $NH_3$ 가스로써 질화전처리를 하였다. 수행된 실험조건범위내에서 최적증착조건은 증착온도 $1040^{\circ}C$에서 질화전 처리 3분으로 III/V source gas의 유량비율이 2일 때 였으며, 이때의 XRD분석에서의 FWHM값은(0001) peak에서 약 0.32deg를 나타내었다. GaN박막성장속도는 이때 약 $1040^{\circ}C$였다.

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MBE 법으로 선택적 성장된 GaN 나노선의 광/구조 특성 조사

  • 이상태;전승기;최효석;김문덕;오재응;김송강;양우철
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.355-355
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    • 2012
  • Si (111) 기판 위에 polystyrene (PS) bead를 사용하여 만들어진 약 100 nm 나노 구멍에 GaN나노선을 molecular beam epitaxy 법으로 성장하였다. 성장 온도와 III/V 비율 변화에 대하여 성장된 GaN 나노선의 모양과 광학적 특성은 scanning electron microscopy (SEM)와 photoluminescence (PL) 등으로 조사하였으며, InN/GaN 이종접합 및 InGaN p-n 다이오드구조를 성장하여 atomic force microscopy의 tip 접촉방법으로 전기적 특성을 조사하였다. PL 측정 결과 성장온도가 높아지면 Ga 빈자리와 관계된 3.28 eV의 donor acceptor pair (DAP) 신호와 3.42 eV의 stacking faults (SF) 결함에 기인된 발광 신호세기가 감소하는 결과를 SEM으로부터 나노선 폭 및 길이는 좁아지면서 짧아지는 것을 관측하였다. 또한 nitrogen 원자양이 증가하면서 Ga 빈자리와 관련된 3.28 eV DAP 신호가 증가하는 것을 관측하였다. 이들 결과로부터 GaN 나노선의 SF 발광 신호관련 원인에 대하여 논의 하였다. AFM을 이용한 I-V 측정으로부터 성장조건 변화에 따른 GaN 나노선 및 p-n 접합 나노선의 전도 특성을 조사하여 나노선의 소자 응용에 대한 기본적인 물리특성을 규명하였다.

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第四紀 後期 英陽盆地의 自然環境變化 (The Late Quaternary Environmental Change in Youngyang Basin, South Eastern Part of Korea Penninsula)

  • 윤순옥;조화룡
    • 대한지리학회지
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    • 제31권3호
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    • pp.447-468
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    • 1996
  • 영양부근 반변천이 절단감입곡류를 하여 생신 구유로상에 약 7m 두께의 토탄지가 형성되어 있다. 이 토탄지를 대상으로 boring 자료분석과 화분분석을 실시하여 토탄지의 지형발달과 제4기 식생 및 기후환경변화를 검토하였다. 구유로상(연지와 원당지 일대)에 토탄지가 형성된 것은 주위산지에서 공급된 선상지성 퇴적물에 의해 구유로가 막혀 습지가 형성되었기 때문에 가능했던 것으로 볼 수 있다. 토탄층은 그 특징에 따라 하부층과 상부층으로 구분되며, 이들 사이에는 부정합관계가 있다. 탄소 연대측정자료, 각 화분분대 화분조성상의 특징, 토탄퇴적속도 등으로 볼 때, 하부토탄층은 대략 60,000년 BP경부터 퇴적되기 시작하여 만빙기까지, 상부토탄층은 완신세 중기경부터 거의 현재까지 형성된 것으로 추정된다. boring지점 1(YY1)과 지점 2(YY2)의 토탄층 화분분석결과는 수목류의 우점시기로 대비할 때, 총 다섯개의 화분대(화분대 YYI, YYII, YYIII, YYIV와 YYV)와 12개의 아분대로 구분되었다. 두지점 간에는 퇴적상 뿐 아니라 화분조성에서도 일견 차이가 있다. 즉, 공통적으로 화분대 III이 존재했으나 화분대 I, II는 주상도 YY1에서만, 화분대 IV와 V는 주상도 YY2에서만 나타났다. 하부토탄층은 화분대 I, II, III시기를 포함하며, NAP시기로서 쑥(Artemisia)속, 오이풀(Sanguisorba)속, 미니라과(Umbelliferae), 벼과(Gramineae)와 사초과(Cyperaceae)등 초본류의 비율이 월등히 높고, 한냉기 수목으로 출현하는 가문비나무(Picea)속, 소나무(Pinus)속, 자작나무(Betula)속 등의 목본류를 포함하며, 이들 목본류의 절대화분량은 상부토탄층에 비해 극히 적어 산림밀도가 낮은 Wurm빙기의 식생경관을 나타내었다. 상부토탄층은 화분대 IVb, V시기를 포함하며, AP시기로서 Pinus와 Quercus 등이 높은 비율로 나타내고 절대 화분량도 많아, 홀로세 온난기의 삼림경관를 나타내었다. 각 화분대 및 아분대 우점수목의 기후환경에 대응하는 생태적 특징으로 작성한 가상 기온변화곡선의 내용은 다음과 같다: 화분대 I은 Butula우점기로서 약 57,000년 BP까지 형성되었으며, 상대적 한냉기로 간주된다. 화분대 II는 EMW우점시기로서 $57,000{\sim}43$,000년 BP에 형성되었으며, Alt Wurm에서 mittel W${\"{u}}$rm으로 전환되는 Interstadial로 간주된다. 화분대 III은 43,000~15,000년 BP간의 가장 오랜 시기를 포함하며, mittel Wurm${\sim}$Jung Wurm기에 해당한다. 한냉기인 화분대 III시기 중에는 Betula, Pinus, Picea 등의 목본류가 교대로 우점하는데, YY1에서 Quercus 와 Picea의 화분조성 변화로 볼 때 아분대 IIId시기가 가장 한냉하였을 것으로 추정된다. 화분아분대 IVa는 하부 화분대와 상부 화분대간의 전환기층으로서 피나무(Tilia)속 우점기로 나타나며, Holocene에 해당하는 화분대 IVb와 V는 약 7,000년 BP부터 현재까지 식생변화로 각각 Quercus와 Pinus가 우점하는 시기로 한국 동해안의 曺(1979)의 화분대 I과 II에 각각 대비된다. Bartlein et al.(1986)의 diagram을 통해 볼 때, 영양지역의 Wurm빙기 최성기의 7월 평균기온은 현재보다 약 10${^\circ}$C 더 낮았을 것으로 추측된다.

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