Bae, Soohyun;Park, Sungeun;Kim, Young Do;Park, Hyomin;Kim, Soo Min;Kim, Seongtak;Kim, Hyunho;Tark, Sung Ju;Kim, Dongwhan
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2011.05a
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pp.121.1-121.1
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2011
현재 상용화되고 있는 단결정 실리콘 태양전지는 알루미늄 페이스트를 이용하여 후면의 전 영역에 전계를 형성한다. 최근에는 고효율을 얻기 위하여 후면에 패시베이션 효과와 장파장에 대한 반사도를 증가 시키는 SiNx막을 증착 후, 국부적으로 전계를 형성하는 국부 후면 전극(Local back surface field)기술이 연구되고 있다. 본 연구에서는 전면만 텍스쳐 된 단결정 실리콘 웨이퍼를 이용하였다. Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD)를 이용하여 전,후면에 SiNx를 증착 하였고 후면의 국부적인 전극 패턴 형성을 위하여 SiNx 식각용 페이스트를 사용한 스크린 프린팅 기술을 이용하였다. 스크린 프린팅을 이용하여 패턴이 형성된 후면에 알루미늄을 인쇄 한 후 Rapid Thermal Process(RTP)를 이용하여 소성 공정 조건을 변화시켰다. 소성 조건 동안 형성되는 후면 전계층은 peak 온도와 승온속도, 냉각 속도에 따라 형상이나 특성이 변화하기 때문에 소성 조건을 변화시키며 국부적 후면 전계 형성의 최적화에 관한 연구를 수행하였다. 패이스트를 이용하여 SiNx를 식각 후 광학 현미경(Optical Microscopy)을 사용하여 SiNx의 식각 유무를 살펴보았고, RTP로 형성된 국부 전계층의 형성 두께, 주변 부분의 형상을 살피기 위해 도핑 영역을 혼합수용액으로 식각하여 주사 전자 현미경(SEM)을 이용하여 관찰 하였다. 또한 후면의 특성을 살펴보기 위해 분광 광도계(UV/VIS/NIR Spectrophotometer)를 사용하여 후면 SiNx층의 유무에 따른 반사도를 비교, 측정 하였다.
Son, Seung-Ik;Lee, Sang Woon;Son, Chang Sik;Hwang, Donghyun
Current Photovoltaic Research
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v.8
no.1
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pp.33-38
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2020
Single-phased SnS thin films have been prepared by RF magnetron sputtering at various deposition pressures. The effect of deposition pressure on the structural and optical properties of polycrystalline SnS thin films was studied using X-ray diffraction (XRD), field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and ultraviolet-visible-near infrared (UV-Vis-NIR) spectrophotometer. The XRD analysis revealed the orthorhombic structure of the SnS thin films oriented along the (111) plane direction. As the deposition pressure was increased from 5 mTorr to 15 mTorr, the intensity of the peak on the (111) plane increased, and the intensity decreased under the condition of 20 mTorr. The binding energy difference at the Sn 3d5/2 and S 2p3/2 core levels was about 324.5 eV, indicating that the SnS thin film was prepared as a pure Sn-S phase. The optical properties of the SnS thin films indicate the presence of direct allowed transitions with corresponding energy band gap in the rang 1.47-1.57 eV.
To date, carbon and nitrogen co-doped photocatalysts (CN-$TiO_2$) for environmental application focused mainly on the aqueous phase to investigate the decomposition of water pollutants. Accordingly, the present study explored the photocatalytic performance of CN-$TiO_2$ photocatalysts for the purification of indoor-level gas-phase aromatic species under different operational conditions. The characteristics of prepared photocatalysts were investigated using X-ray diffraction, scanning emission microscope, diffuse reflectance UV-VIS-NIR analysis, and Fourier transform infrared (FTIR) analysis. In most cases, the decomposition efficiency for the target compounds exhibited a decreasing trend as input concentration (IC) increased. Specifically, the average decomposition efficiencies for benzene, toluene, ethyl benzene, and xylene (BTEX) over a 3-h process decreased from 29% to close to zero, 80 to 5%, 95 to 19%, and 99 to 32%, respectively, as the IC increased from 0.1 to 2.0 ppm. The decomposition efficiencies obtained from the CN-$TiO_2$ photocatalytic system were higher than those of the $TiO_2$ system. As relative humidity (RH) increased from 20 to 95%, the decomposition efficiencies for BTEX decreased from 39 to 5%, 97 to 59%, 100 to 87%, and 100 to 92%, respectively. In addition, as the stream flow rates (SFRs) decreased from 3.0 to 1.0 L $min^{-1}$, the average efficiencies for BTEX increased from 0 to 58%, 63 to 100%, 69 to 100%, and 68 to 100%, respectively. Taken together, these findings suggest that three (IC, RH, and SFR) should be considered for better BTEX decomposition efficiencies when applying CN-$TiO_2$ photocatalytic technology to purification of indoor air BTEX.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.316-316
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2008
Using an evaporation method, $SiO_2$ was deposited as a buffer layer between a flexible PET substrate and a ITO film deposited by DC magnetron sputtering and electro-optical properties were investigated with thickness variance of $SiO_2$ layers. After coating a $SiO_2$ layer and a ITO film, the ITO/$SiO_2$/PET was heated up to $200^{\circ}C$ and the resistivity and the transmittance were measured by hall effect measurement system and UV/VIS/NIR spectroscopy. As a result of depositing a $SiO_2$ buffer layer, the resistivity increased and the transmittance and adhesion property were enhanced than ITO films with no buffer layers and the resistivity was lowered as $SiO_2$ thickness increased from 50 $\AA$ to 100 $\AA$. It was found that the transmittance was independent of annealing temperature variance in $150^{\circ}C{\sim}200^{\circ}C$ and the resistivity decreased as the temperature increased and especially decreasing rate of the resistivity was higher as the buffer layer thickness was thinner. So under optimized depositing of $SiO_2$ buffer layers and post-annealing of ITO/$SiO_2$/PET, ITO films with enhanced adhesion, electro-optical properties can obtained.
Park, Yeon Ju;Liu, Lichun;Yoo, Sang-Hoon;Park, Sungho
Journal of Electrochemical Science and Technology
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v.3
no.2
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pp.57-62
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2012
In this report, we demonstrate that the longitudinal localized surface plasmon resonance mode can be suppressed when the nanorods were in dumbbell shape. The seed nanorods were synthesized by electrochemical deposition of metals into the pores of anodic aluminum oxide templates. The dumbbell-like nanorods were grown from seed Au-Ni-Au nanorods by a rate-controlled seed-mediated growth strategy. The selective deposition of Au atoms onto Au blocks of Au-Ni-Au nanorods produced larger diameter of Au nanorods with bumpy surface resulting in dumbbell-like nanorods. The morphology of nanorods depended on the reduction rate of $AuCl_4^-$, slow rate producing smooth surface of Au nanorods, but high reduction rate producing bumpy surface morphology. Through systematic investigation into the UV-Vis-NIR spectroscopy, we found that the multiple localized surface plasmon resonance (LSPR) modes were available from single-component Au nanorods. And, their LSPR modes of Au NRs with bumpy surface, compared to the smooth seed Au NRs, were red-shifted, which was obviously attributed to the increased electron oscillation pathways. While the longitudinal LSPR modes of smoothly grown Au NRs were blue-shifted except for a dipole transverse LSPR mode, which can be interpreted by decreased aspect ratio. In addition, dumbbell-like nanorods showed an almost disappeared longitudinal LSPR mode. It reflects that the plasmonic properties can be engineered using complex nanorods structure.
Optical fiber sensors have been used to detect small amounts of chemical species. In this work, a new thin polymer-clad fiber sensor is developed. Polyaniline is chemically synthesized and thin clad layers of the polymer are easily deposited on optical fiber by dip-coating technique. The optical property of polyaniline as a sensing material is analyzed by UV-Vis-NIR. The light source is stabilized He-Ne laser at 635 nm wavelength with 1 mW power. The light power transmitted through the optical fiber is measured with a spectrophotometer. By selecting a fixed incident angle, variation of transmitted light intensity through the optical fiber can be detected as gas molecules absorbed in the polyaniline clad layer. Among the various gases, the fabricated optical fiber sensor shows good sensitivity to $NH_{3}$ gas. The optical fiber sensors was shown more improved properties than polymer based sensors which measure conductivity changes.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.279.1-279.1
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2014
글래스(glass), 폴리머 또는 쿼츠와 같은 투명기판은 렌즈, 디스플레이, 광검출기, 광센서, 발광다이오드 및 태양전지와 같은 광 및 광전소자 분야에서 널리 사용되고 있다. 이러한 소자들의 경우, 광추출 또는 광흡수 효율을 향상시키는 것이 매우 중요하다. 그러나 투명기판의 경우, 약 1.5의 굴절율로 인해 표면에서 4% 반사가 발생되는데, 이러한 광학적 손실은 소자의 성능을 저하시키는 원인이 된다. 따라서, 글래스와 공기 경계면에서 발생되는 광손실을 줄이기 위한 효율적인 무반사 코팅이 필요하다. 최근, 우수한 내구성 뿐만 아니라, 광대역 파장 및 다방향성에서 무반사 특성을 보이는 서브파장 주기를 갖는 나노구조(subwavelength structures)의 형성 및 제작 공정에 관한 연구가 보고되고 있다. 이러한 나노구조는 경사 굴절율 분포를 가지는 유효 매질을 형성하기 때문에 투명기판 표면에서의 Fresnel 반사로 인한 광손실을 줄일 수 있다. 또한, 무반사 서브파장구조를 형성하기 위한 패터닝 방법으로, 간단/저렴하고 대면적 제작이 용이한 열적 응집 공정을 이용한 자가정렬된 금속 나노입자 형성 기술이 널리 사용되고 있다. 따라서 본 실험에서는 열적 응집현상에 의해 형성된 비주기적 금 나노입자 식각 마스크 패턴 및 유도결합 플라즈마 장비를 이용하여 글래스 기판 위에 무반사 서브파장 나노구조를 제작하였다. 금 나노패턴 및 제작된 글래스 서브파장 나노구조의 식각 프로파일은 주사전자현미경을 사용하여 관찰하였으며, UV-Vis-NIR 스펙트로미터를 사용하여 빛의 투과율을 측정하였다. 또한, 제작된 샘플들에 대해서, 표면 접촉각 측정 장비를 이용하여 표면 wettability를 조사하였다.
We prepared 8 samples of non-silver and silver-added master alloys containing silicon to confirm the existence of nickel-silicides. We then prepared products made of 14K and 18K white gold by using the prepared master alloys containing 0.25, 0.35, and 0.50 wt% silicon to check for nickel release. We then employed the EN 1811 testing standard to investigate the nickel release of the white gold products, and we also confirmed the color of the white gold products with an UV-VIS-NIR-color meter. We observed $NiSi_x$ residue in all master alloys containing more than 0.50 wt% Si with EDS-nitric acid etching. For the white gold products, we could not confirm the existence of $NiSi_x$ through XRD after aqua-regia etching. In the EN 1811 test, only the white gold products with 0.25 wt% silicon master alloys successfully passed the nickel release regulations. Moreover, we confirmed that our white gold products showed excellent Lab indices as compared to those of commercial white gold ones, and the silver-added master alloys offered a larger L index. Our results indicate that employing 0.25 wt% silicon master alloys might be suitable for white gold products without nickel-silicide defects and nickel release problems.
High Pressure High Temperature (HPHT) treatment can significantly change the color of diamonds. We studied the variation of the optical properties according to the nitrogen arrangement in natural brown diamonds of various types (type IaAB, type IaB, type IaA > B, type IaA < B, IaA = B) after HPHT treatment. The diamonds with different arrangements of nitrogen were annealed at temperatures in the range $1700-1800^{\circ}C$ under a stabilizing pressure of 5 GPa. HPHT treated samples were analyzed using UV-Vis-NIR, FT-IR, and PL spectroscopy. The absorption and luminescence spectra were measured to compare the variations of nitrogen arrangement in the natural brown diamonds before and after HPHT treatment. After HPHT treatment, the brown coloration in all types of diamonds was reduced and a decrease in the peaks related to the A-aggregate of nitrogen was more predominant than the B-aggregate. Furthermore, the peaks related to N3 (415.4 nm), H4 (496.4 nm), and platelet decreased and the peaks related to H3 (503.2 nm) and G-band increased after HPHT treatment. In conclusion, spectroscopic analysis of natural brown diamonds after HPHT treatment showed that a yellow color was produced by absorption in the H3 centers and a green color was generated by interaction between absorptions of the H3 and H2 centers.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07a
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pp.420-423
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2003
[ $TiO_2$ ] thin films were fabricated by DC magnetron sputtering system at by controlling deposition times, ratios of $Ar:O_2$ partial presser ratio and substrate conditions. And the surface, cross-section morphology, microstructure, and composition ratio of the films were analyzed by FE-SEM, TEM and XPS. Besides, the optical absorption and transmittance of the $TiO_2$ films were measured by a UV-VIS-NIR Spectrophotometer, and photocatalytic properties were studied by G C Analyzer & Data Analysis system. As the result, when $TiO_2$ thin film was made at deposition time of 120[min] and $Ar:O_2$ ratio of 60:40, the best structural and optical properties among many thin films could be accepted. The best results of properties were as follows: thickness; $360{\sim}370[nm]$, grain size; 40[m], gap between two peak binding energy, $5.8{\pm}0.05[eV]$ ($2p_{3/2}$ peak and $2p_{1/2}$ peak of Ti was show at $458.3{\pm}0.05[eV]$ and $464.1{\pm}0.05[eV]$ respectively), binding energy; $530{\pm}0.05\;[eV]$, opticalenergy band gap; 3.4[eV].
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[게시일 2004년 10월 1일]
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