원자력 발전소에서 발생되는 제염폐수에 함유된 Oxalic acid와 Citric acid를 고급산화방법(Advanced Oxidation Process) 중의 하나인 $UV/H_2O_2$를 적용하여 이들 물질의 분해특성 및 최적처리조건을 파악하고자 하였다. 이를 위하여 각각의 물질에 대하여 $H_2O_2$나 UV를 단독사용할 경우, pH 및 과산화수소의 주입량 변화, Oxalic acid와 Citric acid의 농도변화에 따른 분해특성에 대하여 조사하였다. $H_2O_2$나 UV만으로도 완전분해가 가능한 반면 Citric acid는 같은 파장의 UV만으로는 분해가 잘되지 않는 것으로 조사되었다. 또한 과산화수소와는 두 물질 모두 반응성이 없는 것으로 조사되었다. 산화공정에서 반응속도상수, 반응시간, 제거효율, 과산화수소 소모량 등에 대한 결과를 종합한 결과 Oxalic acid의 경우 pH 4 이하의 낮은 pH에서, Citric acid는 pH 4~6 정도의 약산성 부근에서 높은 분해효율을 나타내는 것으로 조사되었다. 최적 pH에서는 과산화수소의 주입량이 증가할수록 두 물질 모두 제거효율이 증가하는 것으로 조사되었으나 과산화수소의 주입량이 200 mg/L 이상을 초과하는 경우에는 과산화수소에 의한 OH radical trap에 의하여 제거효율이 감소하는 것으로 조사되었다. 이상의 결과 $UV/H_2O_2$ 광분해에 의한 Oxalic acid와 Citric acid의 처리시 pH 4에서 과산화수소 주입량 200 mg/L일 경우 가장 효율적인 것으로 조사되었다.
다이싱 테이프에 사용되는 UV경화형 점착제를 아크릴 공중합체를 butyl acrylate, acrylic acid, methyl methacrylate를 용액 중합을 통해 중합한 뒤, trimethylolpropane triacrylate를 블렌딩하여 제조하였다. 제조된 점착제는 UV 조사량에 따라 접착력, 유리전이온도 ($T_g$)를 측정하였는데 UV 조사량이 증가할수록 접착력은 급격하게 감소하였고 $T_g$도 증가하였다. 웨이퍼 표면에 점착 샘플을 부착하여 UV 조사 후 박리하여 표면을 관찰한 결과 점착잔류물을 남기지 않았다.
본 연구에서는 UV 조사와 alkoxy 가수분해 법을 이용하여 구형 마이크로 실리콘 고분자 비드를 합성하였다. 구형 실리콘 고분자 비드의 입자들의 coefficient of variation(CV)은 UV 조사량의 세기와 조사시간, 반응온도가 증가함에 따라 감소하였다. 합성된 비드의 평균 입경, 굴절률, pH는 각각 $4.1{\mu}m$, 1.43, 7.5이었으며 진비중, 겉보기 비중은 1.30, 0.40이었으며, 수분함량은 2%이하였다. Hexamethyldisilazane(HMDS) 농도가 0.1 wt%일 때 입자크기와 CV는 가장 작았고, 진원도는 $0.95{\sim}0.98{\mu}m$이었다. UV 조사량과 조사시간이 450 W, 90 min일 때 CV는 4.92%이었다. Methyltrimethoxysilane(MTMS)의 농도가 20 wt%일 때 수율은 총 충전량 대비 11.3%까지 증가하였으며 입자의 평균직경은 교반속도와 온도가 증가함에 따라 작아졌다.
침지형 자외선 살균조의 자외선 강도를 계산하기 위한 3차원 모델을 개발하였으며, 실제 하수처리장에 설치되어있는 개수로형 살균조와 관로형 살균조에 각각 적용하여 수치실험을 실시하였다. 모델링을 통해 계산한 살균조의 평균 자외선 강도는 각각 7.87 mW/cm2와 13.09 mW/cm2로 계산되었다. 자외선 조사 시간을 반영하고, 혼합 불균형, 램프 노화, 온도 및 파울링에 의한 감쇄효과를 고려한 자외선 조사량은 각각 21.1 mJ/cm2, 24.8 mJ/cm2로 예측되었는데 이 값은 목표 자외선 조사량인 20 mJ/cm2보다 각각 5 %, 24 % 높은 것으로 예측되었다. 개발한 UV3D 모델을 사용하면 살균조의 조사 시간이나 램프의 출력을 높이지 않고도 수치실험을 통해 평균 자외선 강도가 가장 큰 최적의 램프 위치를 찾을 수 있다. 램프 위치 조정만으로 본 연구에서 적용한 개수로형 살균조와 관로형 살균조의 자외선 조사량은 각각 0.9 %, 0.5 % 향상시킬 수 있다. 개수로형 살균조의 경우 살균조의 체적은 그대로 유지하면서 가로와 세로의 비율을 조정하고, 램프의 위치를 바꾸면 평균 자외선 강도는 현재보다 7.4 % 더 증가한다.
본 연구에서는 포호필름 코팅 용도를 목적으로 silicone-urethaneacrylate (SUA) 올리고머를 포함하는 자외선 경화형 점착제를 제조하였으며 SUA올리고머의 양과 자외선조사량이 접착물성에 미치는 영향을 조사하였다. 그 결과, 올리고머의 양과 자외선조사량이 증가 할 수 록 박리강도는 감소하였으나 응집력은 증가하였다. 자외선 조사가 시작되면서 젤함량은 초기에 급속히 증가하였으나 이후 일정량을 유지하였다. 탈착시험 결과 70%의 올리고머 함량의 시편 S70이 다른 S50(올리고머 50%함량)과 S60(올리고머 60%함량)과 비교하여 가장 우수한 탈착성을 보였으며 탈착 후 기재에 아무런 잔사를 남기지 않았다. S70의 경우 1857 자외선 조사량과 $2270mJ/cm^2$에서 $26mJ/m^2$ 이하의 표면에너지를 보였으며 95% 이상의 광투과도를 보였으며 이러한 물성은 보호용 필름이 요구하는 물성에 적절하다.
폴리올레핀 복합소재의 UV 광열화 특성을 조사하였다. 열중량분석 결과, 3종의 폴리올레핀 복합소재는 서로 다른 talc 함유량을 가지고 있음을 확인하였다. SAE J1960 규격에 따라 UV 조사된 폴리올레핀 복합소재의 기계적 거동을 관찰하기 위해 인장시험 및 아이조드 충격 시험을 수행하였다. UV 노출 시간이 증가함에 따라 연신율과 저온 충격강도는 급격히 감소하였다. 이는 UV 광열화에 의한 폴리머 분자체인의 절단 및 얽힘 밀도 감소에 따른 탄성력의 감소에 기인한 것으로 보인다. 전자주사현미경 관찰을 통하여 UV 조사 후 표면상에 크랙이나 표면손상은 존재하지 않았지만, UV 노출에 따른 추가적인 talc 입자의 표면 노출을 관찰할 수 있었다. 이러한 talc 입자의 표면 노출은 폴리올레핀 복합소재의 변색 원인으로 추정된다. 적외선분광분석을 통하여, UV 조사된 폴리올레핀 복합소재의 표면상에 광열화가 진행되었음을 확인하였다.
혈류량은 자외선 조사량 증가에 비례하여 증가되는 양상을 보였다. 홍반을 유발하는데 필요한 자외선량(MED)의 차이가 혈류량의 변화와 어떠한 관계가 있는지를 알아본 실험에서, MED가 30 mJ로 비교적 낮았던 피험자들의 경우, 혈류량은 MED를 지나서 급격하게 증가되는 양상을 관찰하였으나 30 mJ 이상에서 MED가 관찰되었던 피험자들의 경우에는 자외선 조사에 따른 혈류량의 변화가 급격한 변화 없이 계속 완만하게 증가되는 양상을 보였다.
UV 경화형 아크릴 점착제는 세상에서 매우 다양한 형태로 이용되는데, 반도체 산업을 기반으로 하는 웨이퍼 제조공정에서도 이용되고 있다. 특히 반도체에 사용되는 웨이퍼가 더욱 얇아짐에 따라, UV 경화형 아크릴 점착제는 더욱 적절한 점착 성능을 요구 받고 있다. 본 연구는 2-EHA (2-ethyl hexyl acrylate), 2-EHMA (2-ethyl hexyl methacrylate), SM (styrene monomer), 2-HEA (2-hydroxy ethyl acrylate), acrylic acid 모노머를 이용하여 hydroxy기를 가진 아크릴 수지점착제를 합성한 후 MOI (methacryloyloxyethyl isocyanate)의 투입량 조절을 통한 경화 특성을 향상시킬 수 있는 부가반응을 시킨 이소시아네이트 변성 아크릴 수지 점착제를 제조하여, 적절한 접착 성능을 알아보고, 수산기 값의 정도와 UV 조사량의 차이에 따라 웨이퍼 제조의 최적화된 조건을 찾았다. 시험 결과 UV 경화형 점착제에서 수산기(Hydroxyl group, -OH)와 이소시아네이트기(isocyanate group, -NCO)의 1 : 1 당량비로 이소시아네이트 경화제를 사용할 경우 수산기값이 클수록, UV 조사 전 박리력이 감소하였다. UV 조사량이 증가할수록 높은 경화 특성 때문에 박리접착 강도는 낮아졌다.
게르마늄첨가 다성분계 산화물 유리를 제조하여 자외선(UV) 조사에 따른 유리의 미세 구조변화를 PL(photo-luminescence)과 ESR(electron spin resonance)을 이용하여 관찰하였다. 게르마늄 첨가량이 증가함에 따라 PL방사량은 증가하였으며, UV 조사 후에는 처음과 반대되는 광혹화 현상으로 감소하는 현상을 나타냈다. UV조사로 변화된 특성은 열처리를 통하여 회복이 가능하였으며, ESR 측정에서도 PL결과와 같은 광혹화 현상(phodarkenine effect)과 열표백화 현상(thermal bleaching effect)이 확인되었다. 또한, XRD 분석을 통하여 이러한 현상이 비정질 상은 그대로 유지하는 미세구조 변화임을 알 수 있었다.
일반적으로 광섬유 격자에 사용되고 있는 KrF 엑시머 레이저를 광출력 스펙트럼 파장천이용으로 이용하였다. 실험 결과, FHD에 의해서 제작된 PLC형 WDM 방향성결합기에서는 UV에 의한 파장천이효과가 비교적 큼을 알 수 있었다. UV 노출량에 의한 파장천이량을 측정하여 UV 노출량에 따른 실리카 광도파로의 유효굴절률 변화량을 계산하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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