• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2018년도 추계학술대회
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• pp.512-513
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• 2018

트랩-보조-터널링(Trap-Assisted-Tunneling; TAT)은 실제 터널링 전계 효과 트랜지스터 (TFET)의 임계 이하 기울기를 저하시키고 시뮬레이션에서 고려되어야한다. 그러나, 그 메커니즘은 라인 터널링 타입 L형 TFET(LTFET)에서는 잘 알려져 있지 않았다. 본 연구는 dynamic nonlocal Schenk 모델을 이용한 LTFET의 TAT 메커니즘을 연구한다. 이 연구에서는 터널링 이벤트를 위해서 phonon assisted and direct band가 모두 고려되었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2019년도 춘계학술대회
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• pp.475-476
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• 2019

L형 터널링 전계 효과 트랜지스터 (LTFET)는 종래의 터널링 전계 효과 트랜지스터 (TFET)보다 우수한 소자로 고려된다. 그러나, 실험적으로 입증 된 LTFET은 트랩 상태의 존재로 인한 트랩-보조-터널링 (Trap-Assisted-Tunneling; TAT)에 기인한 열악한 임계 이하 기울기(SS) 특성을 나타내었다. 본 논문에서는 실험적으로 시연 된 LTFET의 저전압 바이어스에 TAT 메커니즘을 밴드 다이어그램과 TAT 재조합률 (GTAT)을 사용하여 조사한다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제32권1호
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• pp.281-285
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• 2011

We investigated the effects of tunneling current on scanning tunneling microscopy (STM) images of 1-octanethiol (OT) and 1-decanethiol (DT) self-assembled monolayers (SAMs). At a low tunneling current, the domain boundaries and ordered alkanethiol molecules were clearly resolved. As the tunneling current was increased at a constant bias voltage, however, the STM images showed disordered structures of the OT and DT SAMs. As the tunneling current was reduced back to low values, the ordered structures of the alkanethiol molecules reappeared. The reversibility of the process suggests that the sulfur head groups did not rearrange under any of the tunneling current conditions. On the basis of our observations, which are inconsistent with the standard model for STM imaging of molecules on metal surfaces, we consider the STM imaging mechanism in terms of a two-region tunneling junction model.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제51권7호
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• pp.322-327
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• 2002

Temperature-dependent current-voltage characteristics of organic light-emitting diodes(OLEDs) were studied in a device structure of ITO/TPD/Alq$_3$/Al to understand conduction mechanism. The current-voltage characteristics were measured in the temperature range of 8K ~ 300K. We analyzed an electrical conduction mechanism of the OLEDS using space-charge-limited current(SCLC) and Fowler-Nordheim tunneling. In the temperature range above 150k, the conduction mechanism could be explained by space charge limited current from the inversely proportional temperature dependence of exponent m. The characteristic trap energy is found to be about 0.15ev. At low temperatures below 150k, the Fowler-Nordheim tunneling conduction mechanism is dominant. We have obtained a zero field barrier height to be about 0.6~0.8eV.

• 한국정보과학회논문지:정보통신
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• 제36권1호
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• pp.43-49
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• 2009

표준 Mobile IPv6(MIPv6)는 이종 접속 망간 호스트 이동성을 지원할 때, 핸드오프(handoff) 시 발생하는 링크 단절과 터널 변경시점의 차이로 인해 패킷 손실을 유발한다. 다시 말해, 새로운 터널 생성과 라우팅 갱신 과정에서 추가적인 패킷 손실이 발생하게 된다. 본 논문은 이 때 발생하는 상 하향 패킷 손실을 최소화하는 Mobile IPv6기반 이원적 터널 기법을 제안한다. 그래서, UMTS 광대역 망과 WLAN 협대역 망을 이종 접속 망 모델로 설정하고, 사이에서 Mobile IPv6기반 핸드오프 시 발생하는 패킷 손실을 정량적 분석과 컴퓨터 모의실험 측정을 통해 제안 기법의 성능 향상을 입증한다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제17권2호
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• pp.271-276
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• 2017

The triple-gate tunnel FETs encapsulated with an epitaxial layer (EL TFETs) is proposed to lower the subthreshold swing of the TFETs. Furthermore, the band-to-band tunneling based on the maximum electric-field can occur thanks to the epitaxial layer wrapping the Si fin. The performance and mechanism of the EL TFETs are compared with the previously proposed TFET based on simulation.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1995년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.54-57
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• 1995

This study is to investigate the switching charac-teritics in the5V-programmable scaled MONOS nonvolatile memory devices, Modified Folwer-Nordheim tunneling mechanism become important when the electric field in the tunneling oxide is 6 MV/cm for E$\_$OT/ <6MV/cm the trap-assisted tunneling mechanism is dominant, The density of nitride bulk trap is found to be N$\_$T/=7.7${\times}$10$\^$18/ cm$\^$-3/ and the energy level of trap is determined to be ø$\_$T/=0.65 eV.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제9권5호
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• pp.578-587
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• 2003

DSTM (Dual Stack Transition Mechanism)은 현재 주목받고 있는 IPv4/IPv6 연동기술로 서 터널링 방식을 적용한 기술중의 하나이다. DSTM은 fevers (IPv4-over-lPv6) 터널링과 임시 글로벌 IPv4 주소의 할당방식을 적용하여 IPv4와 IPv6간의 연결성을 지원한다. TEP (Tunnel End Point)는 DSTM 도메인과 인터넷망의 경계 라우터로서 4over6 터널링 패킷의 캡슐화와 복원기능을 적용하여 양방향 통신을 제공한다. 본 논문에서는 기본적인 IPv6 프로토콜 표준안의 내용을 기술하였으며 DSTM에서의 요구사항을 만족하는 TEP 데몬 프로그램을 설계하고 구현하였다. TEP 데몬은 DSTM 노드로부터 전송되는 4over6 패킷을 분석하여 동적으로 4over6 터널링 인터페이스를 구성하여 DSTM 노드와 IPv4-only 노드간에 통신을 가능하게 한다. 최종적으로 구현된 TEP를 적용한 시험망을 구성하고 성능을 측정하여 결과를 제시하였다. 이러한 결과를 통하여 구현된 TEP 데몬이 DSTM 서비스에 적합한 성능을 제공 할 수 있음을 확인하였다.

• 한국지반공학회:학술대회논문집
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• 한국지반공학회 2006년도 춘계 학술발표회 논문집
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• pp.189-198
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• 2006

This paper concerns the finite element (FE) modeling approach for NATM tunneling in water bearing ground within the framework of stress-pore pressure coupled analysis. Fundamental interaction mechanism of ground and groundwater lowering was first examined and a number of influencing factors on the results of coupled FE analysis were identified. A parametric study was then conducted on the influencing factors such as soil-water characteristics, location of hydraulic boundary conditions, the way of modeling drainage flow, among others. The results indicate that the soil-water characteristics plays the most important role in the tunneling-induced settlement characteristics. Based on the results, modeling guidelines were suggested for stress-pore prssure coupled finite element modeling of NATM tunneling.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제17권4호
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• pp.6-10
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• 2018

Organic light emitting devices have attracted the attention of many people because of their high potential for self-emission and flexible display devices. However, due to limitations in device efficiency and lifetime, partial commercialization is underway. In this paper, we have investigated the electrical conduction mechanism of the organic light emitting device by the temperature and the thickness of the light emitting layer through the current - voltage characteristics with respect to the conduction mechanism directly affecting the efficiency and lifetime of the organic light emitting device. Through the study, it was found that the conduction in the low electric field region is caused by the movement of the heat excited charge in the ohmic region and the tunneling of the electric charge due to the high electric field in the high electric field region.