• Title/Summary/Keyword: ToBI

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계면활성제 용액속에서의 화학반응 (제1보). 미셀용액속에서의 탈인산화 반응에 미치는 2-알킬벤즈이미다졸음이온들의 치환기효과 (Chemical Reactions in Surfactant Solution (I). Substituent Effects of 2-Alkylbenzimidazolide ions on Dephosphorylation in CTABr Solutions)

  • 홍영석;박찬식;김정배
    • 대한화학회지
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    • 제29권5호
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    • pp.522-532
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    • 1985
  • CTABr 미셀용액속에서 benzimidazole 및 naphth-2,3-imidazol 음이온($BI^-$$NI^-$)에 의해 추진되는 p-nitrophenyldiphenylphosphate (p-NPDPP)의 탈인산화반응에 대한 속도론적 연구에서 이들 음이온은 친핵체로 작용하며 미셀은 반응을 급격히 촉진시킨다는 연구 결과를 밝힌바이다. 본 연구에서는 $BI^-$의 2위치에 알킬기가 치환된 음이온(R-$BI^-$)들에 의한 탈인산화반응을 다루었다. 미셀 용액속에서 R-$BI^-$에 의해 추진되는 반응은 $BI^-$에 의해 추진되는 반응보다 약 3배 느리게 일어난다. 이러한 속도의 감소효과를 밝히기 위하여 미셀의사층(micellar pseudophase) 내에 존재하는 $BI^-$와 R-$BI^-$의 농도비와 이들에 의해 추진되는 반응의 1차 및 2차 속도상수의 비를 비교하였다. 음이온 농도의 비([R-$B^-$]/[$BI^-$])에 비하여 반응의 1차 속도상수의 비$(k'_{R-BI^-}/k'_{BI^-})가 훨씬 적었다. 예를 들면$5 {\times}10^{-4}$M butyl-BI 용액속에서의 반응에서 농도의 비는 0.430인데 반하여 반응속도의 비는 0.089였다. 이 두 값의 차이(0.0341)는 butyl기의 영향이 70%에 이른다는 계산이 가능하다. 이것은 미셀의사층속에서 R-$BI^-$의 반응성이 그들의 알킬기의 영향으로 말미암아 $BI^-$의 반응성보다 작음을 의미한다. 또한 $10^{-4}$M R-BI 용액에서의 이 반응의 2차 반응속도 상수도 알킬기의 사슬이 길어질수록 미셀 의사층에서 R-$BI^-$에 의해 추진되는 반응이 $BI^-$에 의한 반응보다 현저하게 감소하였다. 예컨대 butyl-BI의 경우 이들의 반응속도의 비$(k_{m(R-BI^-)}/k_{m(BI^-)})$가 약 10배 감소하였다. R-$BI^-$들의 알킬기의 변화에 따른 1차 및 2차 반응속도의 변화를 정밀히 분석하여 다음과 같은 모델을 제시한다. 즉 미셀내에 존재하는 R-$BI^-$의 알킬기는 그들의 소수성과 입체장해 때문에 Stern층내에 자리하지 못하고 미셀의 핵(core)속으로 침투해 들어가게 될 것이며, 그 결과 분자 전체가 자유롭게 움직이지 못하고 한 곳에 고정될 것이다. 따라서 기질(p-NPDPP)과의 충돌빈도(collison frequency)가 감소하게 되고, 이로 말미암아 반응속도가 감소하게 될 것이다. 본인들은 이 효과를 "닻줄 효과"(anchor effect)라 명명하고자 한다. 이 효과는 R-$BI^-$의 알킬기가 길수록 그리고 이들의 농도가 증가할수록 현저하게 증가하였다.

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Ni 캡의 전기도금 및 SnBi 솔더 Debonding을 이용한 웨이퍼 레벨 MEMS Capping 공정 (Wafer-Level MEMS Capping Process using Electrodeposition of Ni Cap and Debonding with SnBi Solder Layer)

  • 최정열;이종현;문종태;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제16권4호
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    • pp.23-28
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    • 2009
  • Si 기판의 캐비티 형성이 불필요한 웨이퍼-레벨 MEMS capping 공정을 연구하였다. 4인치 Si 웨이퍼에 Ni 캡을 전기도금으로 형성하고 Ni 캡 rim을 Si 하부기판의 Cu rim에 에폭시 본딩한 후, SnBi debonding 층을 이용하여 상부기판을 Ni 캡 구조물로부터 debonding 하였다. 진공증착법으로 형성한 SnBi debonding 층은 Bi와 Sn 사이의 심한 증기압 차이에 의해 Bi/Sn의 2층 구조로 이루어져 있었다. SnBi 증착 층을 $150^{\circ}C$에서 15초 이상 유지시에는 Sn과 Bi 사이의 상호 확산에 의해 eutectic 상과 Bi-rich $\beta$상으로 이루어진 SnBi 합금이 형성되었다. $150^{\circ}C$에서 유지시 SnBi의 용융에 의해 Si 기판과 Ni 캡 구조물 사이의 debonding이 가능하였다.

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창업보육센터 매니저의 보유 역량과 필요 역량의 비교 연구 (A Comparison Study between Current Capability and Required Capability of Managers in Business Incubator)

  • 백광현;이상호
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제12권5호
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    • pp.2142-2148
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    • 2011
  • 창업보육센터(BI: Business Incubator)와 관련된 국내외 주요 연구들은 창업보육센터의 실태 조사를 통한 활성화 및 발전 방안과 BI의 성공요인으로서 BI매니저의 역량을 다루고 있다. BI매니저의 역할과 자질에 대한 탐색적/학술적 논의가 이루어지고 있으나, BI매니저의 보유 역량과 필요 역량을 비교 분석한 연구는 제한적이다. 본 연구는 BI매니저의 보유 역량과 입주기업이 요구하는 필요 역량을 비교 분석하여, BI매니저의 부족한 역량을 집중적으로 강화하기 위한 운영 정책과 교육 프로그램의 주제를 제시한다. 역량 강화가 주로 필요한 영역은 자금조달 지원과 마케팅 지원이었다.

환원법에 의한 직접 메탄올 연료전지(DMFC)용 Pt-Bi/Carbon 전극제조 (Synthesis of Pt-Bi/Carbon Electrodes by Reduction Method for Direct Methanol Fuel Cell)

  • 김관성;김민경;노동균;탁용석;백성현
    • 공업화학
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    • 제22권5호
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    • pp.479-485
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    • 2011
  • 다양한 비율의 Pt와 Bi를 carbon black (Vulcan XC-72R)에 담지시킨 Pt-Bi/C 촉매를 환원법을 이용하여 합성하였다. Pt와 Bi의 전구체로는 염화백금산($H_2PtCl_6{\cdot}xH_2O$)과 비스무스트리질산($Bi(NO_3)_3{\cdot}5H_2O$) 수용액을 각각 사용하였으며, 금속을 carbon에 담지하기 전, 금속물질의 분산도를 높여주기 위해 열처리와 산처리를 수행한 carbon black을 사용하였다. XRD (X-ray Diffraction) 분석과 XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) 분석을 통하여 Pt-Bi/C 촉매 내에 Pt와 Bi가 소성시키기 전에는 BiPt 혹은 $Bi_2Pt$로 존재하지만 $500^{\circ}C}$에서 소성을 한 후에는 Pt 격자구조 안으로 Bi가 침투하여 alloy을 형성하는 것을 확인하였다. 합성한 전극의 메탄올 산화반응은 전기화학분석장치(Potentiostat; Princeton applied research, VSP)를 사용하여 0.5 M $CH_3OH$와 0.5 M $H_2SO_4$의 혼합수용액에서 순환전압법(cyclic voltammetry, CV)을 이용해 측정하였다. 메탄올 산화에 대한 전기화학적 촉매 활성을 평가한 결과 적절한 양의 Bi를 첨가한 경우, 메탄올 산화반응에 대한 높은 촉매활성을 나타냄을 확인하였다. 메탄올 산화에 대한 활성은 전극과 전해질 사이의 안정성과 밀접한 관련이 있다. 정전압법(Chronoamperometry, CA)을 이용하여 전극의 안정성을 평가한 결과 메탄올 산화반응에 높은 활성을 나타내는 촉매일수록 전극의 안정성도 높은 것을 확인하였다.

테스트가 용이한 고속 풀 스윙 BiCMOS회로의 설계방식과 테스트 용이도 분석 (Disign Technique and Testability Analysis of High Speed Full-Swing BiCMOS Circuits)

  • 이재민;정광선
    • 한국산업융합학회 논문집
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    • 제4권2호
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    • pp.199-205
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    • 2001
  • With the growth of BiCMOS technology in ASIC design, the issue of analyzing fault characteristics and testing techniques for BiCMOS circuits become more important In this paper, we analyze the fault models and characteristics of high speed full-swing BiCMOS circuits and the DFT technique to enhance the testability of full-swing high speed BiCMOS circuits is discussed. The SPICE simulation is used to analyze faults characteristics and to confirm the validity of DFT technique.

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Bi-Sr-Ca-O계에서 초전도상의 형성에 관한 상평형 (Phase Equilibria for the Formation of Superconducting Phases in the Bi-Sr-Ca-O System)

  • 김철진
    • 한국재료학회지
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    • 제3권4호
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    • pp.410-421
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    • 1993
  • Bi-Sr-Ca-O 초전도성계에서 $Bi_2O_3-(Sr_2CaCu_2O_x$)의 pseude binary계를 선택하여 $Sr_2CaCu_2O_x$$Bi_2O_3$를 5%단위로 40 cation mole% Bi까지 첨가하면서 $850^{\circ}C$ 초전도상 및 공존하는 상들의 평형 및 반응 경로들을 XRD, SEM, EDS, DTA를 이용하여 분석하였다. Bi의 함량이 35 mole% Bi보다 클 때에는 $Bi_2Sr_2CaCu_2O_8$상과 공존하는 액상이 형성되며 2212상의 액상으로 존재하며 액상의 냉각시 제일 먼저 $Bi_2Sr_2CaCu_2O_8$상 주의에 석출된 것이 관찰되었다.

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Electrochemical Behaviors of Bi3+ Ions on Inert Tungsten or on Liquid Bi Pool in the Molten LiCl-KCl Eutectic

  • Kim, Beom Kyu;Park, Byung Gi
    • 방사성폐기물학회지
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    • 제20권1호
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    • pp.33-41
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    • 2022
  • Liquid Bi pool is a candidate electrode for an electrometallurgical process in the molten LiCl-KCl eutectic to treat the spent nuclear fuels from nuclear power plants. The electrochemical behavior of Bi3+ ions and the electrode reaction on liquid Bi pool were investigated with the cyclic voltammetry in an environment with or without BiCl3 in the molten LiCl-KCl eutectic. Experimental results showed that two redox reactions of Bi3+ on inert W electrode and the shift of cathodic peak potentials of Li+ and Bi3+ on liquid Bi pool electrode in molten LiCl-KCl eutectic. It is confirmed that the redox reaction of lithium with respect to the liquid Bi pool electrode would occur in a wide range of potentials in molten LiCl-KCl eutectic. The obtained data will be used to design the electrometallurgical process for treating actinide and lanthanide from the spent nuclear fuels and to understand the electrochemical reactions of actinide and lanthanide at liquid Bi pool electrode in the molten LiCl-KCl eutectic.

기계적분쇄-혼합공정에 의해 제조된 Bi2Te3 소결체의 열전특성 (Thermoelctric Propretries of Bi2Te3 Fabricated by Mechanical Grinding-Mixing Process)

  • 이근길
    • 한국분말재료학회지
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    • 제7권1호
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    • pp.6-11
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    • 2000
  • Two kinds of Bi2Te3 powders, pure Bi2Te3/2vol.%ZrO2, have been prepared by a mechanical grinding process process. Effect of mixing of the powders on thermoelectric of the sintered body has been investigated by measuring Seebeck Coeffcient, specific electric resistivity and thermal conductivity. With an increase in the weight fraction of the Bi2Te3/2vol.%ZrO2 powder from 0 to 40wt.%. Especially, the figure of merit of the mixedBi2Te3 sintered body increases and thereafter dedreases above 40wt.%. Especially. the figure of merit of the mixed Bi2Te3 sintered bodies with mixing of Bi2Te3/2vol.%ZrO2 powder increased about 1.3time in comparison with the value of the specimen before mixing. Mixing of two kinds of Bi2Te3 powders which have different theramal and electric propertries with each other seemed to be useful methob to increase the figure of merit of Bi2Te3 sintered body.

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고성능 풀 스윙 BiCMOS 논리회로의 설계 (Design of High Performance Full-Swing BiCMOS Logic Circuit)

  • 박종열;한석붕
    • 전자공학회논문지B
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    • 제30B권11호
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    • pp.1-10
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    • 1993
  • This paper proposes a High Performance Full-Swing BiCMOS (HiF-BiCMOS) circuit which improves on the conventional BiCMOS circuit. The HiF-BiCMOS circuit has all the merits of the conventional BiCMOS circuit and can realize full-swing logic operation. Especially, the speed of full-swing logic operation is much faster than that of conventional full-swing BiCMOS circuit. And the number of transistors added in the HiF-BiCMOS for full-swing logic operation is constant regardless of the number of logic gate inputs. The HiF-BiCMOS circui has high stability to variation of environment factors such as temperature. Also, it has a preamorphized Si layer was changed into the perfect crystal Si after the RTA. Remarkable scalability for power supply voltage according to the development of VLSI technology. The power dissipation of HiF-BiCMOS is very small and hardly increases about a large fanout. Though the Spice simulation, the validity of the proposed circuit design is proved.

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낙동 비소-비스무스 광상의 Pb-Ag-Bi-S계 광물의 산출양상과 화학조성 (Occurrence and Mineral Chemistry of Pb-Ag-Bi-S System Minerals in the Nakdong As-Bi Deposits, South Korea)

  • 신동복
    • 자원환경지질
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    • 제39권6호
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    • pp.643-651
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    • 2006
  • 낙동 비소-비스무스 광상에서 산출되는 Pb-Ag-Bi-S계에 광물로는 방연석-마틸다이트(matildite) 고용체, 코살라이트(cosalite) 및 헤이로브스카이트(herovskyite)가 있다. 방연석-마틸다이트 고용체의 경우 자연비스무스와 더불어 황철석내의 틈을 채우면서 산출되는데, 불규칙한 모양을 이룬다. 코살라이트는 석영맥내에서 자연비스무스, 헤이로브스카이트 및 Bi-Te-S계 광물들을 포함하며, 타형의 독립된 결정으로 산출된다. 낙동광상에서 산출되는 마틸다이트는 $Ag_{1.07-1.11}Bi_{1.12-1.20}S_2$의 단성분 조성을 이루는 것므로 이상화학조성에 비해 $0.3{\sim}2.4$mole%의 $Bi_2S_3$가 초과 함유되어 있다. PbS와 $AgBiS_2$를 단성분하는 고용체의 경우 PbS는 약 54 mole% 이하의 함량을 나타내고, 그 이상의 경우는 관찰되지 않는다. 연구지역 코살라이트의 평균화학소성은 $Pb_{1.79}Bi_{2.29}Ag_{0.12}S_5$로서 순수한 코살라이트에 비하여서는 Pb가 결핍되어 있으며, Ag와 Cu를 각각 최대 1.47 wt.%와 0.27 wt.% 함유하고 있다. 헤이로브스카이트는 $Pb_{5.01}Ag_{0.26}Bi_{2.70}S_9$ 조성을 보이는데 $2Pb^{2+}$에 대한 $Ag^++Bi^{3+}$의 쌍치환과 더불어 $3Pb^{2+}$에 대한 $2Bi^{3+}$의 치환이 함께 일어난 것으로 여겨진다. 낙동광상의 Pb-Ag-Bi-S계 광물들의 생성 조건은 대략 $220{\sim}270^{\circ}C$ 온도와 200bar 미만의 압력인 것으로 해석된다.