• 한국결정성장학회지
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• 제19권2호
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• pp.70-74
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• 2009

Sol-gel 법으로 제조한 $Pb(Sc_{1/2}Nb_{1/2})O_3$(이하 PSN) sol을 이용하여 스핀 코팅법으로 Pt(111)/Ti/$SiO_2$/Si 기판위에 제조한 박막의 제조 공정에 따른 영향을 연구하였다. Pt 기판위에 PSN sol을 증착, 건조한 후에 $370^{\circ}C$에서 5분간 열처리를 행한 후 $10^{\circ}C/sec$의 급속 가열로 $600{\sim}700^{\circ}C$에서 최종 열처리한 경우에 박막은 (111)면으로 우선 배향하는 것으로 나타났다. 그러나 중간 열처리를 거치지 않고, 급속가열에 의한 최종 열처리만을 행한 경우에는 (100)면으로 우선 배향하는 것으로 나타났다. 한편, 중간 열처리 후 $4^{\circ}C/min$의 승온속도로 관상로에서 최종 열처리를 행한 경우에는 (111)면과 (100)면이 동시에 나타나는 것으로 나타났다. 동일한 조건하에서 박막의 두께는 모두 300로 중간 열처리 공정이 어떠한 영향도 미치지 않는 것으로 나타났다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제11권3호
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• pp.91-97
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• 2004

PZT 박막을 rf-마그네트론 스퍼터링으로 $Pt/Ti/SiO_2/Si$ 기판 위에 형성시켰다. $5\%$ 과잉 PbO 를 포함한 bulk PZT 타겟을 사용하였다. 상온에서 PZT 박막을 얇게 입힌 후 나머지 두께를 $650^{\circ}C$에서 in-situ 방법으로 형성시켰다. 강유전 특성을 갖는 PZT 상은 $650^{\circ}C$에서 형성되었다. 2단계 스퍼터링에 의해 누설전류 특성을 크게 증진시킬 수 있었고, 적절한 두께의 상온층을 포함시킨 경우 $2{\times}10^{-7}A/cm^2$의 매우 작은 누설전류를 나타냈다. 누설전류 기구에 대한 조사 결과, 여러 조건에서 제조된 PZT 박막의 전기전도는 모두 bulk-limit 기구에 의한 것임을 알 수 있었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제52권5호
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• pp.688-693
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• 2014

촉매필터의 NO 환원활성을 조사하기 위하여 $SO_2$와 $H_2O$가 동시 또는 따로 존재하는 조건에서 NO, $NH_3$, air로 구성된 합성가스 분위기에서 그 성능이 측정되었다. 집진성능이 높이 평가된 SiC 세라믹 필터의 기공에 $V_2O_5-WO_3/TiO_2$ 촉매를 코팅하여 SCR용 촉매필터를 제작하였다. $260^{\circ}C$ 이하의 저온영역에서 반응가스 중에 $SO_2$와 $H_2O$가 각각 또는 동시에 존재할 경우에 이들이 존재하지 않을 때와 비교하여 촉매필터의 활성이 두드러지게 감소하였다. 반면에 $320^{\circ}C$ 이상의 고온에서는 반응가스 중에 $SO_2$가 포함될 경우 촉매필터의 활성이 증가하여 여과속도 2 cm/s에서 500 ppm의 NO를 99.8% 이상 질소로 환원시켰다. 특히 반응가스 중에 물이 존재할 때는 $380^{\circ}C$의 고온까지 99% 이상의 NO 전환율이 유지되었다. 이와 같은 물의 영향은 물이 고온에서 $NH_3$ 산화반응을 둔화시켜서 $N_2O$ 생성으로 가는 반응을 억제시키기 때문으로 해석되었다. $SO_2$와 $H_2O$가 공존하는 반응가스에서 100시간 운전 후에도 촉매필터의 초기 NO 환원활성이 유지되었다. 따라서 촉매필터가 분진과 NOx 가스를 동시에 처리할 수 있는 우수한 산업촉매로써 활용될 수 있을 것으로 사료되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제17권4호
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• pp.213-216
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• 1980

A glass-ceramics material of composition %SiO_2$: 38.50, $Al_2O_3$: 26.00, $Na_2O$: 18.00, CaO: 6.00, MgO: 4.00, $TiO_2$: 7.50 was strengthened by coating a series of glazes$(SiO_2-B_2O_3-Al_2O_3-CaO-PbO-Na_2O-)$, which has lower thermal expansion coefficient than that of the glass-ceramics. The thermal expansion coefficient of the glazes ranges $80~90{\times}10^{-7}$cm/cm/$^{\circ}C$, whereas that of the glass-ceramics is $115{\times}10^{-7}$cm/cm/$^{\circ}C$. The glass-ceramics was identified to be composed of nepheline, carnegieite low form, and meta sodium silicate crystal by X-ray diffraction phase analysis. The glaze, having lower melting point and appropriate thermal expansion coefficient, was tried to be stable and good at secondary heat treatment.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.88-88
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• 2009

$BiFeO_3$(BFO), when forming a solid solution with $BaTiO_3$(BTO), shows structural transformations over the entire compositional range, which not only gives a way to increase structural stability and electrical resistivity but also applies a means to have better ferromagnetic ordering. In this respect, we have prepared and studied 0.7BFO-0.3BTO thin films on $Pt(111)/TiO_2/SiO_2/Si$ substrates by pulsed laser deposition. Various deposition parameters, such as deposition temperature and oxygen pressure, have been optimized to get better quality films. Based on the X-ray diffraction results, thin films were successfully deposited at the temperature of $600^{\circ}C$ and an oxygen partial pressure of 10mTorr. The dielectric, ferroelectric, and magnetic properties have then been characterized. It was found that the films deposited under lower oxygen pressure corresponded to lower leakage current. Magnetism measurement showed an induced ferromagnetism. The microstructures associated with. the magnetic and dielectric properties of this mixed-perovskite solid solutions were observed by transmission electron. microscopy, which revealed the existence of complicated ferroelectric domains, suggested that the weak spontaneous magnetization was closely associated with the decrease in the extent of rhombohedral distortion by a partial substitution of $BaTiO_3$ for $BiFeO_3$.

• 기계저널
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• 제34권5호
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• pp.392-398
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• 1994

구조용 고온재료로서 표 2에 나타내듯이 지금까지 니켈과 티타늄 알루미나이드($Ni_3Al$, NiAl, $Ti_3Al$, TiAl에 관하여 집중적인 연구가 진행되어 왔으며 다른 금속간 화합물에 대해서도 광범위한 연구가 진행중이다. 그 예로서 $Co_3Ti$는 800.deg. C에서 최대강도를 보이며 저온에서는 온도가 감소하면서 강도가 다시 증가하면 연성이라는 장점을 지닌 관계로 $MoSi_2$는 높은 융점과 우수한 산화저항력 때문에 $Nb_2Al$은 높은 융점과 경량성 때 문에 복합재료의 matrix로서 최근 주목을 받고 있다. 끝으로 비록 금속간화합물이 취성이라는 단점 때문에 실용화에 많은 문제점이 있으며 본 재료에 관한 연구가 준비 제조공정과정에서 수 소취성화, 고용점온도 취성 등으로 인하여 사용해온 기존의 재료를 보다 좀더 극한 상황에서 가볍고 저렴하게 사용할 수 있는 우주항공 및 지상대체재료로서 개발할 수 있음을 고려할 때 본 재료에 대한 본격적인 연구가 국재 경쟁력강화를 위해 신소재 개발에 부심하는 우리나라에서도 이루어질 필요가 있다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제32권1호
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• pp.40-46
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• 2014

Bonding technology and bonding mechanism of metal to ceramic including brazing, diffusion bonding, friction welding and etc were reviewed in this study. Various factors should be considered from a bonding design step to acquire a good bonding joint because of a large difference between metal and ceramic in crystal lattice, coefficient of thermal expansion and various properties. In addition, metal and ceramic bonding technologies are constantly being developed according to precise components, multi-function and application to harsh environment. However, improvement of bonding properties and bonding reliability also should be accompanied. Bonding of ceramics, such as $ZrO_2$, $Ti_3AlC_2$ and SiC, to metals like Ti-alloy, TiAl and steel were described in this paper.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
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• pp.333-333
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• 2012

In this study, we investigated morphology of nanotube and micropore on the Ti-25Nb-xHf alloys with Hf contents after anodization. Ti-25Nb-xHf ternary alloys contained from (0~15) wt.% Hf contents were manufactured by vacuum arc-melting furnace. The obtained ingots were homogenized in an argon atmosphere at $1000^{\circ}C$ for 12h and then water quenching. The specimens were cut from ingots to 3mm thickness and first ground and polished using SiC paper (grades from 100 to 2000). 2steps anodization treatments on Ti-25Nb-xHf alloys were carried out at room temperature for experiments. Micro-pore formation was performed in Ca+P mixed solution at 265V for 3min. After that, nanotube formation was in 1M $H_3PO_4$ electrolytes containing 0.8wt.% NaF solutionat 10V for 120min. Morphologies of micropore and nanotube depended on the Hf content in Ti-25Nb-xZr ternary system.

• 한국재료학회지
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• 제11권9호
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• pp.769-775
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• 2001

High quality PZT piezoelectric thin films were sputter- deposited on$ RuO_2$/$SiO_2$/Si substrates by using 2-step deposition method. As the first step, PZT seed layers were fabricated at a low temperature($475^{\circ}C$ ) to form a pure perovskite phase by reducing the volatility of Pb oxide. and then, as the second step, the PZT films were deposited at high temperatures ($530^{\circ}C$~$570^{\circ}C$) to reduce the defect density in the films. By this method, the pure perovskite phase was obtained at high deposition temperature range ($530^{\circ}C$~$570^{\circ}C$) and the superior electrical properties of PZT films were obtained on $RuO_2$substrate : 2Pr : 60$\mu$C/$\textrm{cm}^2$, $E_c: 60kV/cm, \;J_t: 10^{-6}A/cm^2\; at\; 250kV/cm$. The residual stress of PZT films fabricated by the 2-step deposition method was tensile and below 150MPa. It was attempted to control the residual stress in the PZT films by applying a negative bias to the substrate. As the amplitude of the substrate bias was increased, the residual tensile stress was slightly decreased, however, the ferroelectric properties of PZT films were degraded by ion bombardment.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.400-400
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• 2012

산화물 반도체는 넓은 에너지갭을 가지고 높은 이동성과 높은 투명성을 가지기 때문에 초고 속 박막 트랜지스터(Thin film transistor; TFT)에 많이 응용되고 있다. 그러나 ZnO 및 $In_2O_3$ 산화물 반도체를 박막트랜지스터에 사용할 경우 소자가 불안정하여 전기적 성질이 저하되고 문턱전압의 이동이 일어난다. TFT에 사용되는 산화물 반도체로는 GaInZnO, ZrInZnO, HfInZnO 및 GaSnZnO의 전기적 특성에 관한 연구가 많이 되었다. 그러나 titanium-indium-zinc-oxide (TIZO) TFT에 대한 연구는 비교적 적게 수행 되었다. 본 연구에서는 TFTs의 안정성을 향상하기 위하여 TFT의 채널로 사용되는 TiInZnO를 형성하는데 간단한 제조 공정과 낮은 비용의 용액 증착방법을 사용하였다. 졸-겔 전해액은 Titanium (IV) isopropoxide $[Ti(OCH(CH_3)_2)_4]$, 0.1 M Zinc acetate dihydrate $[Zn(CH_3COO)_2{\cdot}2H_2O]$ 그리고 indium nitrate hydrate $[In(NO_3)_3{\cdot}xH_2O]$을 2-methoxyethanol의 용액에 합성하였다. $70^{\circ}C$에서 한 시간 동안 혼합 하였다. Ti의 몰 비율은 10%, 20% 및 40% 로 각각 달리하여 제작하였다. $SiO_2$층 위에 2,500 rpm 속도로 25초 동안 스핀 코팅하여 TFT를 제작하였다. TIZO 박막에 대한 X-선 광전자 스펙트럼 관측 결과는 Ti 몰 비율이 증가함에 따라 Ti 2p1/2피크의 세기가 증가함을 보여주었다. TiZO 박막에 Ti 원자를 첨가하면 $O^{2-}$ 이온이 감소하기 때문에 전하의 농도가 변화하였다. 전하 농도의 변화는 TiZO 채널을 사용하여 제작한 TFT의 문턱전압을 양 방향으로 이동 하였으며 off-전류를 감소하였다. TiZO 채널을 사용하여 제작한 TFT의 드레인 전류-게이트 전압 특성은 on/off비율이 $0.21{\times}107$ 만큼 크며 이것은 TFT 소자로서 우수한 성능을 보여주고 있다.