• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.479-481
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• 2000

The effect of $Al_{2}O_{3}+Y_{2}O_{3}$ additives on fracture toughness of $\beta-SiC-TiB_2$ composites by hot-pressed sintering were investigated. The f$\beta-SiC-TiB_2$ ceramic composites were hot-presse sintered and annealed by adding 16, 20, 24wt% $Al_{2}O_{3}+Y_{2}O_{3}$(6 : 4wt%) powder as a liquid forming additives at low temperature($1800^{\circ}C$) for 4h. In this microstructures, the relative density is over 95.88% of the theoretical density and the porosity increased with increasing $Al_{2}O_{3}+Y_{2}O_{3}$ contents because of the increasing tendency of pore formation. The fracture toughness showed the highest of $5.88MPa{\cdot}m^{1/2}$ for composites added with 20wt% $Al_{2}O_{3}+Y_{2}O_{3}$ additives at room temperature. The electrical resistivity showed the lowest of $5.22{\times}10^{-4}\Omega{\cdot}cm$ for composite added with 20wt% $Al_{2}O_{3}+Y_{2}O_{3}$ additives at room temperature and is all positive temperature coefficient resistance (PTCR) against temperature up to $700^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 연구회
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• pp.118-122
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• 2001

The ${\beta}-SiC+TiB_2$ ceramic electroconductive composites were pressureless-sintered and annealed by adding 12wt% $Al_2O_3+Y_2O_3$(6 : 4wt%) powder as a function of sintering temperature. The relative density is over 78.83% of the theoretical density and increased with increasing sintering temperature. The phase analysis of the composites by XRD revealed of $\alpha$-SiC(6H), $TiB_2$, $Al_5Y_2O_{12}$ and $\beta$-SiC(15R). Flexural strength showed the highest of 140 MPa for composites sintered at $1900^{\circ}C$. The vicker's hardness increased with increasing sintering temperature and showed the highest of 4.07 GPa at $1900^{\circ}C$. Owing to YAG, the fracture toughness showed the highest of 4.07 $MPa{\cdot}m^{1/2}$ for composites at $1900^{\circ}C$. The electrical resistivity was measured by the Pauw method from $25^{\circ}C$ to $700^{\circ}C$. The electrical resistivity of the composites showed the PTCR(Positive Temperature Coefficient Resistivity).

• 한국세라믹학회지
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• 제29권3호
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• pp.223-231
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• 1992

CaO and ZnO were added to Al2O3-SiO2 binary system respectively as flux, then ZrO2 and TiO2 were applied as nucleating agent to these CaO-Al2O3-SiO2 and ZnO-Al2O3-SiO2 ternary system glass. The transparency could not be kept in CaO-Al2O3-SiO2 system glass, whereas the transparent glass-ceramics were prepared in ZnO-Al2O3-SiO2 system glass containing ZrO2 as the nucleating agent. At this time the optimum heating temperatures for the nucleation and the crystal growth were 78$0^{\circ}C$ and 97$0^{\circ}C$. The sizes of the precipitated crystals in the transparent glass-ceramics were below 0.1 ${\mu}{\textrm}{m}$, and their light transmissibilities were more than 80%.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권2호
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• pp.207-215
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• 1997

Ionized Cluster Beam Deposition(ICBD)방법을 이용하여 Si(100)기판과 TiN(60 nm)/Si(100)기판위에 Al 박막을 증착하였다. 증착된 Al 박막의 증착특성은 $\alpha$-step, four-point-probe, XRD, SEM, AES 측정장치를 가지고 조사해 보았다. 도가니 온도가 증가함에 따라 Al 박막의 증착속도는 증가하였고 비저항 값은 감소하였다. 도가니 온도가 $1800^{\circ}C$인 경우 가속전압이 증가함에 따라 연속적이며 평평한 박막이 형성되고 비저항이 감소되었다. 최소의 비저항 값은 Si 기판에서는 가속전압이 4 kV일 때 3.4 $\mu \Omega \textrm {cm}$, TiN 기판에서는 가속전압이 2kV일 때 3.6 $\mu \Omega \textrm {cm}$. AES 분석결과 형성된 박막내에서는 불순물이 존재하지 않는 것을 알 수 있었다. 따라서 Al 박막의 비저항은 박막충의 미세구조에 의해 영향을 받는다.

• 한국재료학회지
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• 제5권2호
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• pp.169-177
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• 1995

Cu와 Si사이의 확산방지막으로 1000$\AA$ 두께의 TiN의 특성에 대하여 면저항 측정, 식각패임자국 관찰, X선 회절, AES, TEM 등을 이용하여 조사하였다. TiN 확산방지막은 $550^{\circ}C$, 1시간의 열처리 후에 Cu의 안쪽 확산으로 인해 Si(111)면을 따라 결정결함(전위)을 형성하고, 전위 주위에 Cu 실리사이드로 보이는 석출물들을 형성함으로써 파괴되었다. Al의 경우와는 달리 Si 패임자국이 형성되지 안흔 것으로부터 TiN확산방지막의 파괴는 Cu의 안쪽 확산에 의해서만 일어나는 것을 알 수 있었다. 또한, Al의 경우에는 우수한 확산방지막 특성을 보여주었던 충진처리된 TiN가 Cu의 경우에는 거의 효과가 없는 것을 알 수 있었다. 이것은 Al의 경우에는 TiN의 결정립계에 존재하는 $TiO_{2}$가 Al과 반응하여 $Al_{2}O_{3}$를 형성함으로써 Al의 확산을 방해하는 화학적 효과가 매우 크지만, Cu의 경우에는 CuO 또는 $Cu_{2}O$와 같은 Cu 산화물은$TiO_{2}$에 비해서 열역학적으로 불안정하기 때문에 이러한 화학적 효과를 기대할 수 없으며, 따라서 충진처리 효과가 거의 없는 것으로 이해된다.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권3호
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• pp.117-125
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• 1996

The variation of the interfacial and the electrical properties of SiO$_{2}$TiW layers as a function of anneal temperature was extensively investigated. During the deposition of SiO$_{2}$ on TiW chemical bonds such as SiO$_{2}$, TiW, WO$_{3}$, WO$_{2}$ TiO$_{2}$ Ti$_{2}$O$_{5}$ has been created at the SiO$_{2}$/TiW interface. At the anneal temperature of 300$^{\circ}C$, WO$_{3}$ and TiO$_{2}$ bonds started to break due to the reduction phenomena of W and Ti and simultaneously the metallic W and Ti bonds started to create. Above 500$^{\circ}C$, a part of Si-O bonds was broken and consequently Ti/W silicide was formed. Form the current-voltage characteristics of Al/Sico$_{2}$(220$\AA$)/TiW antifuse structure, it was found that the breakdown voltage of antifuse device wzas decreased with increasing annealing temperature for SiO$_{2}$(220$\AA$)/TiW layer. When r, the insulating property of antifuse device of the deterioration of intermetallic SiO$_{2}$ film, caused by the influw of Ti and W.W.

• 한국재료학회지
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• 제11권7호
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• pp.545-549
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• 2001

고온 안정성의 유리계로 알려진 회토류 알루미나 규산염계중, Nd$_2$O$_3$-Al$_2$O$_3$-SiO$_2$(NdAS)계 유리의 응용범위를 찾고자 결정화유리를 제조하여 그 물성의 특성을 평가하였다. NdAS에 결정화제로 TiO$_2$를 첨가하여 내부결정화를 유도하여 생성된 결정화유리에 대하여 결정상과 잔류유리의 물리적, 열적, 기계적 물성을 측정하였다. NdAS-TiO$_2$유리계는 열처리와 조성 조건에 따라 생성된 표면 및 내부결정상은 같은 결정상을 갖는 것으로 X선회절의 결과로 확인되었으나, 알려 있지 않은 결정상으로 내부결정의 경우, 원자구성비는 $Nd_{4.6}Si_{7.2}Al_{4.0}Ti_{2.4}O_{32}$이었다. 결정화유리의 선팽창계수는 $5.4~6.2{\times}10^{-6}/^{\circ}C$ 정도로 경정성장이 일어날수록 증가되었다. 결정화유리중의 결정상의 경도와 탄성계수는각 각 12GPa, 220Gpa으로 나타난 것을 고려한다면 내부결정화에 의한 결정화유리의 물성은 고온 구조용 재료로 활용도가 넓을 것으로 본다.

• 한국안전학회지
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• 제21권2호
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• pp.35-45
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• 2006

Cobalt catalysts for gas mask loaded on various supports such as $Al_{2}O_{3},\;TiO_{2}$, AC(activated carbon) and $SiO_{2}$ were used to examine influences of calcination temperatures and reaction temperatures for CO oxidation. $Co(NO_{3})_2{\cdot}6H_{2}O$ was used as cobalt precursor and the catalysts were prepared by incipient wetness impregnation. The catalysts were characterized using XRD, TGA/DTA, TEM, $N_{2}$ sorption, and XPS. For the catalytic activity, support was in the order of ${\gamma}-Al_{2}O_{3}>TiO_{2}>SiO_{2}>AC\;and\;Al_{2}O_{3}$. The catalytic activity at lower temperature than $80^{\circ}C$ showed that with the increase of reaction temperature, cobalt catalysts on ${\gamma}-Al_{2}O_{3},\;TiO_{2},\;AC\$ has the negative activation energy but that of $SiO_{2}$ was positive.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.266-267
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• 2011

질화갈륨(GaN)은 높은 전자이동도 및 높은 항복전계를 가지며 낮은 온저항으로 인하여 에너지효율이 우수하기 때문에 고출력 전력소자 분야에서 많은 관심을 받고 있다. GaN을 이용한 고출력 전력소자의 경우 상용화 수준에 근접할 만한 기술적 진보가 있었으나, 페르미 레벨 고정(Fermi-level pinning) 현상, 소자의 누설전류 등 아직 해결되어야 할 문제를 갖고 있다. 본 연구에서는 실리콘 기판 위에 성장된 GaN 에피탁시를 활용한 고출력 전력소자의 누설전류를 억제시키기 위해 오믹 접합 중 Au의 상호확산을 억제하는 중간층 금속(Mo or Ni)을 변화시켰으며 오믹 열처리 온도에 따른 특성을 비교 연구하였다. $Cl_2$와 $BCl_3$를 이용하여 0.6 ${\mu}m$ 깊이의 메사 구조가 활성영역을 형성하였고, Si 도핑된 n-GaN 위에 Ti/Al/Mo/Au (20/100/25/200 nm) 와 Ti/Al/Ni/Au (20/100/25/200 nm) 오믹 접합을 각각 설계, 제작하였다. 오믹 열처리시의 GaN 표면오염을 방지하기 위해 $SiO_2$ 희생층을 증착하였다. 오믹 접합 형성을 위해 각 750$^{\circ}C$, 800$^{\circ}C$, 850$^{\circ}C$에서 30초간 열처리를 진행 하였으며, 이후 6 : 1 BOE 용액으로 $SiO_2$ 희생층을 제거하였다. 750, 800, 850$^{\circ}C$에서 Ti/Al/Mo/Au 구조의 오믹 접합 저항은 각 2.56, 2.34, 2.22 ${\Omega}$-mm 이었으며, Ti/Al/Ni/Au 구조의 오믹 접합 저항은 각 43.72, 2.64, 1.86 ${\Omega}$-mm이었다. Isolation 누설전류를 측정하기 위해서 두 개의 오믹 접합 사이에 메사 구조가 있는 테스트 구조를 제안하였다. Isolation 누설전류는 Ti/Al/Mo/Au 구조에서 두 오믹 접합 사이의 거리가 25 ${\mu}m$이고 100 V일 때 750, 800, 850 $^{\circ}C$의 열처리 온도에서 각 1.25 nA/${\mu}m$, 2.48 nA/${\mu}m$, 8.76 nA/${\mu}m$이었으며, Ti/Al/Ni/Au 구조에서는 각 1.58 nA/${\mu}m$, 2.13 nA/${\mu}m$, 96.36 nA/${\mu}m$이었다. 열처리 온도가 증가하며 오믹 접합 저항은 감소하였으나 isolation 누설전류는 증가하였다. 750$^{\circ}C$ 열처리에서 오믹 접합 저항은Ti/Al/Mo/Au 구조가 Ti/Al/Ni/Au 구조보다 약 17배 우수하였고, 850$^{\circ}C$ 고온의 열처리 경우 Ti/Al/Mo/Au 구조의 isolation 누설전류는 8.76 nA/${\mu}m$로 Ti/Al/Ni/Au의 누설전류 96.36 nA/${\mu}m$보다 약 11배 우수하였다. Ti/Al/Mo/Au가 Ti/Al/Ni/Au 보다 오믹 접합 저항과 isolation 누설전류 측면에서 전력용 GaN 소자에 적합함을 확인하였다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제50권6호
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• pp.263-270
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• 2001

The mechanical and electrical properties of the hot-pressed and annealed ${\beta}-SiC-TiB_2$,/TEX> electroconductive ceramic composites were investigated as function as functions of the liquid forming additives of $Al_2O_3+Y_2O_3$. The result of phase analysis of composites by XRD revealed ${\alpha}$-SiC(6H), $TiB_2$,/TEX>, and YAG($Al_5Y_3O_{12}$) crystal phase. The relative density and the mechanical properties of composites were increased with increasing $Al_2O_3+Y_2O_3$ contents in pressureless annealing method because YAG of reaction between $Al_2O_3$ was increased. The flexural strength showed the highest value of 458.9 MPa for composites added with 4 wt% $Al_2O_3+Y_2O_3$ additives in pressed annealing method at room temperature. Owing to crack deflection, crack bridging, phase transition and YAG of fracture toughness mechanism, the fracture toughness showed 7.1 MPa ${\cdot}\;m^{1/2}$ for composites added with 12 wt% $Al_2O_3+Y_2O_3$ additives in pressureless annealing method at room temperature. The electrical resistivity and the resistance temperature coefficient showed the lowest value of $6.0{\times}10^{-4}\;{\Omega}\;{\cdot}\;cm(25\'^{\circ}C}$ and $3.0{\times}10^{-3}/^{\circ}C$ for composite added with 12 wt% $Al_2O_3+Y_2O_3$ additives in pressureless annealing method at room temperature, respectively. The electrical resistivity of the composites was all positive temperature coefficient resistance(PTCR) in the temperature ranges from 25 $^{\circ}C$ to 700 $^{\circ}C$.