The $Pb[(Mg_{1/3}Ta_{2/3})_{0.7}Ti_{0.3}]O_3$+xwt%PbO systems at temperature of $1250^{\circ}C$ for 4 hours was successful synthesized. In this study, PbO-doped $Pb[(Mg_{1/3}Ta_{2/3})_{0.7}Ti_{0.3}]O_3$ systems with non-linear behaviors showed ordering-degree dependence at the low temperature range were prepared using the columbite precursor method. And the characteristic of remnant polarization vs. electric field were analyzed. The pyroelectric, dielectric and piezoelectric properties of partially disordered $Pb[(Mg_{1/3}Ta_{2/3})_{0.7}Ti_{0.3}]O_3$+xwt%PbO solid solutions were studied as a function of temperature, frequency, and electric field. It showed distinct features of temperature dependent of pyroelectric coefficient, spontaneous polarization and dielectric constant at about $50^{\circ}C$. The figure of merit was calculated as pyroelectric coefficient, dielectric constant and dissipation factor. It was found that the high voltage responsivity FV, high detectivity FD were $0.0373m^2/C$ and $0.6735{\times}10^{-4}Pa{-1/2}$, respectively, in the $Pb[(Mg_{1/3}Ta_{2/3})_{0.7}Ti_{0.3}]O_3$+3.0 wt%PbO system.
Kim, Min-Young;Cho, Mun-Seong;Lim, Dong-Gun;Park, Jae-Hwan
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.3
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pp.204-208
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2012
$TiO_2$ ($Ti_{1-x}Nb_xO_2$, x= 0.04~0.06) transparent conducting oxide film was fabricated by RF magnetron sputtering process and their electrical, optical, stability properties were studied. When the Nb 4 at% sputtering target was used with RF power 120 W, pressure 8 mTorr, post-annealing temperature $600^{\circ}C$, the resistivity of TNO film was $4{\times}10^{-4}\;{\Omega}-cm$. The optical transmittance in the visible wavelength was ca. 86%. TNO films require heat treatment during or after the deposition process. When the film was deposited at room temperature and post-annealed at $600^{\circ}C$, the lowest resistivity was obtained. When the TNO film was exposed to high temperature and humidity, the resistivity of the film was rather decreased. The stability to temperature and humidity implies that the TNO film could be a appropriate candidate for In-free, ZnO-free transparent conducting oxide materials.
[ $Al_2TiO_5$ ]has a high refractive index and good solubility of the chromophore in the $Al_2TiO_5$ lattice, which allows this structure to be a good candidate for the development of new ceramic pigments. However, pure $Al_2TiO_5$ is well known to decompose on firing at $900{\sim}1100^{\circ}C$. However, this process can be inhibited by the incorporation of certain metal cations into its crystalline lattice. In this study, the synthesis of gray ceramic pigment was performed by doping cobalt on the $Al_2TiO_5$ crystal structure. The $Al_2TiO_5$ was synthesized using $Al_2O_3$ and $TiO_2$, and doped with $Co_3O_4$ as a chromophore material. In order to prevent the thermal decomposition during the cooling procedure, MgO was added to samples by 0.05 mole, 0.1 mole, and 0.15 mole as a stabilizer. The samples were fired at $1500^{\circ}C$ for 2 hours and cooled naturally. The crystal structure, solubility limit, and color of the synthesized pigment were analyzed using XRD, Raman spectroscopy, UV, and UV-vis. $Al_2O_3$ was available for the formation of $CoAl_2O_4$, which should also be considered in order to explain the small amount of this phase detected in the sample with the higher $Co^{2+}$ content (${\geq}$ 0.03 mole). It was found that the solubility limit of $Co^{2+}$ in the $Al_2TiO_5$ crystal was 0.02 mole% through an analysis of Raman spectroscopy. Through the addition of a pigment with 0.02 mole% of $Co^{2+}$ to lime-barium glaze, stabilized gray color pigments with 66.54, -2.35, and 4.68 as CIE-$L^*a^*b^*$ were synthesized.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.14
no.3
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pp.190-196
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2001
The microwave dielectric properties and a sintering behavior of MgTiO$_3$-CaTiO$_3$ ceramics doped with Li were investigated. The main composition was fixed as 0.94MMgTiO$_3$-0.06CaTiO$_3$ and Li$_2$CO$_3$was added excessively in the range of 0~10 mol% (with reference to Li atoms) and the specimens were sintered at 1200~140$0^{\circ}C$ for 4 hours. When the amount of Li was small the quality factor and dielectric constant were reduced, while those tow properties increased if the Li amount was above 1 mol%. But if Li was overly added those dielectric properties decreased again. Li, if added in the composition range of 1.0~3.0 mol%, can increase the quality factor of MgTiO$_3$-CaTiO$_3$ ceramics. The optimum amount of Li was 1.5mol% and sinterign condition was 1275$^{\circ}C$/4hr, at which we cudl obtain following results ; dielectric constant ($\varepsilon$$_{r}$) of f20.0, quality factor(Qxf$_{0}$) of 78,000 GHz and temperature coefficient of resonant frequency($\tau$$_{f}$) of -1.6 ppm/$^{\circ}C$.>.>.>.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.6
no.2
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pp.247-253
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1996
Microscopic analysis has been performed in order to investigate effects of the microstructure of the starting feed rods on the morphology of the S-L interface and the stability of the molten zone during single crystal growth of $SrTiO_{3}$ using a floating zone method. Undoped and $Fe_{2}O_{3}$ doped $SrTiO_{3}$ doped $SrTiO_{3}$ specimens, sintered at the different temperatures have been used. In the case of the feed rods sintered at the lower temperature($1400^{\circ}C$), the poor densification made the stability of the molten zone difficult to maintain. The feed rods sintered at the higher temperature ($1600^{\circ}C$) exhibited the higher density but their molten zone was difficult to maintain due to the presence of the abnormally grown grains. It is concluded that the uniform grain size distribution of the feed rod is the critical factor to maintain the stable molten zone and therefore to give optimum growth condition during FZ single crystal growth.
Kim, Chul-Min;Cho, Yong-Soo;Jeong, Young-Hun;Lee, Young-Jin;Lee, Mi-Jae;Paik, Jong-Hoo;Lee, Woo-Young;Kim, Dae-Joon
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.32-32
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2008
Microstructure and positive temperature coefficient of resistivity (PTCR) characteristics of $0.9BaTiO_3-0.1(Bi_{0.5}Na_{0.5})TiO_3$ [BaBiNT] ceramics doped with $Nb_2O_5$ were investigated in order to develop the Pb-free high Curie temperature ($T_c$)(>$160^{\circ}C$) PTC thermistor. The BaBiNT ceramics showed a tetragonal perovskite structure, irrespective of the added amount of $Nb_2O_5$. They also have a homogeneous microstructure. The resistivity of BaBiNT ceramics was gradually decreased by doping $Nb_2O_5$, which might be due to $Nb^{+5}$ ions substituting for $Ti^{+4}$ sites. The PTCR characteristics of BaBiNT ceramics appeared when the amount of doped $Nb_2O_5$ exceeded 0.0025mol%. Moreover, the abrupt grain growth was observed for the 0.03mol% $Nb_2O_5$added BaBiNT ceramics. It showed an especially high $T_c$ of approximately $172^{\circ}C$ and good PTCR characteristics of a high $\rho_{max}/\rho_{min}$ ratio ($2.96\times10^3$), a high resistivity temperature factor (11.40/$^{\circ}C$) along with a relatively low resistivity ($3.5\times10^4\Omega{\cdot}cm$).
Noh, Hyun-Ji;Lee, Sung-Gap;Ahn, Byeong-Lib;Lee, Ju
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.8
no.6
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pp.241-245
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2007
[ $(Ba_{0.9-x}Sr_xCa_{0.10})TiO_3$ ] (x=0.33, 0.36) powders were prepared by sol-gel method. $(Ba,Sr,Ca)TiO_3$(BSCT) thick films, undoped and doped with $MnCO_3$ and $Yb_2O_3(0.1{\sim}0.7mol%)$, were fabricated by the screen printing method on the alumina substrate. The coating and drying procedure was repeated 6-times. The Pt bottom electrode was screen printing method on the alumina substrate. These BSCT thick films were annealed at $1420^{\circ}C$ for 2 hr in atmosphere. The upper electrodes were fabricated by screen printing the Ag paste and then firing at $590^{\circ}C$ for 10 min. And then the structured and dielectric properties as a function of the doping amount of $Yb_2O_3$ were studied. As a result of the TG-DTA, exothermic peak was observed at around $670^{\circ}C$ due to the formation of the polycrystalline perovskite phase. All BSCT thick films showed XRD patterns of typical cubic peroveskite structure. The average thickness of BSCT thick films was about $70^{\mu}m$. The curie temperature and the dielectric constant decreased with increasing $Yb_2O_3$ doped content and the relative dielectric constant of the specimen, doped with 0.5 mol% $Yb_2O_3$ at BSCT(54/36/10), showed a best value of 5018 at curie temperature.
In this paper, we investigate the effects of pre-reducing Sb-doped $SnO_2$ (ATO) electrodes in viologen-anchored $TiO_2$ (VTO) nanostructure-based electrochromic devices. We find that by pre-reducing an ATO electrode, the operating voltage of a VTO nanostructure-based electrochromic device can be lowered; consequently, such a device can be operated more stably with less hysteresis. Further, we find that a pre-reduction of the ATO electrode does not affect the coloration efficiency of such a device. The aforementioned effects of a pre-reduction are attributed to the fact that a pre-reduced ATO electrode is more compatible with a VTO nanostructure-based electrochromic device than a non-pre-reduced ATO electrode, because of the initial oxidized state of the other electrode of the device, that is, a VTO nanostructure-based electrode. The oxidation state of a pre-reduced ATO electrode plays a very important role in the operation of a VTO nanostructure-based electrochromic device because it strongly influences charge movement during electrochromic switching.
In this study, thr effect of $Bi_2O_3$ and BN addition as grain boundary modifiers on sintering and electrical properties of semiconducting PTCR(Positive Temperature Coefficient of Resistivity) mate rial were analyzed using TMA, XRD and Complex Impedance Spectroscopy method. Bismut.h Ox~de and Boron Nitride were added to Y-doped $BaTiO_3$ respectively. Bismuth sesquioxide up to O.lmol%solubil~ ty limit of $Bi_2O_3$ in Y--$BaTiO_3$ ceramics-retarded densification and grain growth, and further addition mitigated these retardation effects. The resistivity at room temperature increased with increasing amount of $Bi_2O_3$ and thus decreased the PTCR effect, probably due to the $Bi_2O_3$ segregation on the grain boundaries. From the complex ~mpedance pattern, it is known that the grain boundary resisitivity is dominant on the whole resistivity of sample. In the result of applying the defect chemistry, $Bi^{3+} \;and \; Bi^[5+}$ are substituted for Ua and Ti site, respectively. Boron nitride decomposed and formed liquid phase among the $BaTiO_3$ grains. The decomposed com~ ponents made the second phase and existed the tr~ple juntion from the result of EPMA. From the complex impendencc pattern, the gram and grain boundary resistivity were small. The grain size increased with increasing BN contents, and decreased grain boundary resistivity enhanced the PTCR effect.
To date, carbon and nitrogen co-doped photocatalysts (CN-$TiO_2$) for environmental application focused mainly on the aqueous phase to investigate the decomposition of water pollutants. Accordingly, the present study explored the photocatalytic performance of CN-$TiO_2$ photocatalysts for the purification of indoor-level gas-phase aromatic species under different operational conditions. The characteristics of prepared photocatalysts were investigated using X-ray diffraction, scanning emission microscope, diffuse reflectance UV-VIS-NIR analysis, and Fourier transform infrared (FTIR) analysis. In most cases, the decomposition efficiency for the target compounds exhibited a decreasing trend as input concentration (IC) increased. Specifically, the average decomposition efficiencies for benzene, toluene, ethyl benzene, and xylene (BTEX) over a 3-h process decreased from 29% to close to zero, 80 to 5%, 95 to 19%, and 99 to 32%, respectively, as the IC increased from 0.1 to 2.0 ppm. The decomposition efficiencies obtained from the CN-$TiO_2$ photocatalytic system were higher than those of the $TiO_2$ system. As relative humidity (RH) increased from 20 to 95%, the decomposition efficiencies for BTEX decreased from 39 to 5%, 97 to 59%, 100 to 87%, and 100 to 92%, respectively. In addition, as the stream flow rates (SFRs) decreased from 3.0 to 1.0 L $min^{-1}$, the average efficiencies for BTEX increased from 0 to 58%, 63 to 100%, 69 to 100%, and 68 to 100%, respectively. Taken together, these findings suggest that three (IC, RH, and SFR) should be considered for better BTEX decomposition efficiencies when applying CN-$TiO_2$ photocatalytic technology to purification of indoor air BTEX.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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