• 한국표면공학회지
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• 제31권5호
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• pp.251-260
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• 1998

Stainless Steel is being used widely for various purposes due to its good corrosion resistance. There have been many researches to produce colored stainless steel by several methods such as anodizing and ion-plating. In this experiment, we $Ti_XN$(C,O) on the films SUS304, aluminium, and glass substrates with DC magentron sputterinng system made by Leybold Hereus, and strdied the structur, corrsion and pit characture of the TiXN observed by TeM image was black and whink and white columnar hed a very fine(200$\AA$) dense sturcture,and the diffraction resistance at the $3{\times}10_6A/\textrm{cm}^2$ and $10_{10}\times{cm}^2$current density were obtained in the under-stoichiometry $Ti_xN$ compound of Ar/$N_2$(Ar:$N_2$=100:6, titanium-rich compound) and the over-stoichiometry compound of Ar/$N_2$((Ar:$N_2$=60:15) respectively. When the thiness was over 1.64$\mu\textrm{m}$, good pit resistance could be obtained and its improvement was especially affected by perfect surfaceface. Typical TiN anodic polarzation curves of very unstable corrosion were observed by $Ti_xN$ film on the glass and perfect film of 3.28$\mu\textrm{m}$ thickness.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권1호
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• pp.58-66
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• 2002

Tapered 방향성 가중 결합 음향파 도파로를 이용하여 음향광학형 파장가변 광 필터를 LiNbO₃와 Ti 이중 확산 공정 기술을 이용하여 제작하였다. 1551.1㎚ 파장의 TE, TM 입사 편광모드와 173.58㎒ 35㎽ RF구동 신호에 대해서 각각 -14.29㏈, -14.99㏈ 부 모드 억압과 61%, 86% 변환효율이 측정되었다. 파장변화율과 통과 대역폭은 8.6㎚/㎒ 1.8㎚로 측정되었으며, 스위칭 속도는 2.82㎲로 측정되었다. 2.5㎚ 채널 간격에 대해서 약 -l4㏈누화 레벨이 측정되었으며, 부 모드와 채널 간격이 누화에 매우 큰 영향을 미치고있음을 확인하였다.

• 한국광학회지
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• 제11권3호
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• pp.193-197
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• 2000

음향파 장벽 구조와 음향광학효과를 이용한 편광모드 변환형 파장가변 광 필터를 LiNbo3와 Ti 이중 확산 공정 기술을 이용하여 제작하였다. 1552.6nm 파장의 TE, TM 입사 편광모드에 대해서 173.07MHz, 173.05MHz의 Rf 주파수에서 81% 이상의 변환효율과 ∼200kHz(∼1.83nm)의 통과대역폭을 얻어Tdmaum 구동파워는 10.97mW로서 음향파 장벽이 없는 광 필터 파워의 10%에 불과 하였다. 파장 변화율과 부 모드 레벨리 각각 8.2nm/MHz와 -4dB로 측정하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권7호
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• pp.557-564
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• 1998

A low loss x-cut $LiNbO_3$optical waveguide was fabricated by Yi in-diffusion, and the properties of guided-mode and the total insertion loss of the pigtailed waveguide with polarization maintaining fiber(PMF) were measured at optical wavelength 1550nm. for forming the waveguides, the parameters of diffusion, Ti thickness, waveguide line-width, length, diffusion temperature, time and atmosphere were set $1400{\AA}$, $8{\mu}m$, 3.3cm, $1050^{\circ}C$, 8 hours and wet bubbled oxygen, respectively. And then after the polishing and piatailing, it showed that the total insertion loss was -4.1dB for TM mode, -5.5dB for TE mode, and mode size, that is, the horizontal/ vertical size were $13.8{\mu}m/18{\mu}m$ for TM mode, $9.6{\mu}m/6.5{\mu}m$ for TE mode.

• 천문학회보
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• 제45권1호
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• pp.52.2-52.2
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• 2020

At quasi-perpendicular shocks in the high-�� (��=Pgas/Pmag~100) intracluster medium (ICM), various microinstabilities occur by the temperature anisotropies and/or drift motions of plasma. In the downstream, the Alfvén ion cyclotron instability (AIC) due to the ion temperature anisotropy (Ti⊥>Ti║) is triggered by shock-reflected ions, the whistler instability (WI) is driven by the electron temperature anisotropy (Te⊥>Te║) as a consequence of the shock compression of magnetic fields, and the mirror instability is generated due to the ion and/or electron temperature anisotropy. At the shock foot, the modified two stream instability (MTSI) is possibly excited by the cross-field drift between ions and electrons. In the upstream, electron firehose instability (EFI) is driven by the electron temperature anisotropy or the relative drift between incoming and reflected electrons. These microinstabilities play important roles in the particle acceleration in ICM shocks, so understanding of the microinstabilities and the resultant plasma waves is essential. In this study, based on a linear stability analysis, the basic properties of the microinstabilities in ICM shocks and the ion/electron scale fluctuations are described. We then discuss the implication of our work on the electron pre-acceleration in ICM shocks.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제47권6호
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• pp.715-719
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• 2009

본 연구에서는 DNA 정보를 상변화 물질의 전기저항 변화특성으로 검출할 수 있는 상변화 전극 기판을 개발하였다. 이를 위해 반도체 공정에서 사용하는 Al을 사용하여 전극 기판을 제작하였다. 하지만 주사전자현미경을 이용하여 Al 전극의 단면 상태를 확인해 본 결과 PETEOS(plasma enhanced tetraethyoxysilane) 내에서 보이드(void)가 발생하여 후속공정인 에치백과 세정공정 분위기에 과도하게 노출되어 심하게 손상되어 전극과 PETEOS 사이에 홀(hole)로 변형된다. 이 문제점을 해결하기 위하여 에치백 및 세정 공정을 진행하지 않으면서 $Ge_2Sb_2Te_5$(GST) 박막의 단차피복성(stepcoverage)을 좋게 할 수 있고, 열역학적으로 GST 박막과의 반응성을 고려했을 때 안정적이면서 비저항이 낮은 TiN 재료를 사용하여 상변화 전극 기판을 제작하였다. 주사전자현미경을 통하여 전극의 단면의 상태를 관찰하였으며 TiN 전극과 GST 박막이 정상적으로 연결되어 있는 것을 확인하였다. 또한 저항측정 장비를 사용하여 TiN 상변화 전극 기판 위에 증착된 GST의 비정질과 결정질의 저항을 측정하였고, GST의 비정질과 결정질저항의 차이는 약 1,000배 정도로 신호를 검출하는데 충분함을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.146-153
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• 1998

The optical near-field patterns, propagation loss and mode sizes of x-cut $Ti:LiNbO_3$ optical waveguide which was fabricated by Ti-diffusion varying with Ti strip thickness in wet oxygen atmosphere were discussed at optical wavelength 1550nm. As Ti thickness increased from $760{\AA}$, the insertion loss of waveguide was decreased. But at Ti thickness $1500{\AA}$, mode sizes are widely broadened. The Ti thickness of below $1100{\AA}$ and above $1500{\AA}$ showed negative effects to propagation loss and fiber coupling. The best Ti thickness for fabricating low propagation loss and good fiber coupling was inferred to be between $1100{\AA}-1500{\AA}$ in our conditions. And for Ti thickness $1150{\AA}$, its propagation loss, horizontal/vertical mode sizes were showed 1.61 dB/cm, $11.9/8.9{\mu}m$ for TM, 0.22 dB/cm, $12.0/9.1{\mu}m$ for TE respectively.

• 한국결정성장학회지
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• 제20권1호
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• pp.30-34
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• 2010

중고온용 열전 소재로 우수한 특성을 나타내는 $CoSb_3$계 소재의 열전 소자 제조를 위해 방전플라즈마 소결법을 이용하여 소결 및 Cu-Mo 전극 소재와의 접합을 동시에 실시하였다. $CoSb_3$ 내부로의 Cu 확산을 방지하기 위해 Ti을 중간층으로 삽입하였으며 열팽창계수의 조절을 위해 Cu : Mo = 3 : 7 부피비 조성을 선택하였다. 삽입된 Ti과 $CoSb_3$는 $TiSb_2$ 이 차상을 형성하면서 접합이 진행되었지만 접합 온도 및 접합 시간의 증가에 따라 TiSb 및 TiCoSb 등의 상의 형성에 의해 접합 계면에서 균열이 발생되어 접합 특성을 악화시키는 것으로 밝혀졌다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제28권6호
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• pp.953-958
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• 2007

Anchoring quantum dots (QDs) onto thermodynamically stable, large band gap oxide semiconductors is a very important strategy to enhance their quantum yields for solar energy conversion in both visible and near-IR regions. We describe a general procedure for anchoring a few chalcogenide QDs onto the titanium oxide layer. To anchor the colloidal QDs onto a mesoporous TiO2 layer, linker molecules containing both carboxylate and thiol functional groups were initially attached to TiO2 layers and subsequently used to capture dispersed QDs with the thiol group. Employing the procedure, we exploited cadmium selenide (CdSe) and cadmium telluride (CdTe) quantum dots (QDs) as inorganic sensitizers for a large band gap TiO2 layer of dye-sensitized solar cells (DSSCs). Their attachment was confirmed by naked eyes, absorption spectra, and photovoltaic effects. A few QD-TiO2 systems thus obtained have been characterized for photoelectrochemical solar energy conversion.

• 대한전자공학회논문지TE
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• 제39권1호
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• pp.22-30
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• 2002

Si, SiO/sup 2/, TiN, W/sup 2/N 기판 위에 (hfac)Cu(VTMS) 유기금속 전구체로 증착된 구리 핵을 조사하였다. 증착온도가 증가함에 따라, 기판 종류에 상관없이 180。C에서 구리 핵이 클러스터링으로 성장하는 메커니즘을 관찰하였다. 또한, HF용액으로 세척한 TiN 과 SiO/sup 2/가 공존하는 기판에서 구리 핵의 선택성이 향상됨을 관찰하였다. TiN을 H/sup 2/O/sup 2/로 세척한 후 Dimethyldichlorosilane 처리했을 때 표면이 passivation됨을 확인하였다.