Lee, Yong Mun;Kim, Sang Tae;Jeong, Wang Seong;Kim, Heung Rae
International Journal of Highway Engineering
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v.18
no.4
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pp.69-75
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2016
PURPOSES : In this study, we evaluated changes in the retroreflectivity and luminance of phosphorescent road line markings with changes in glass beads and line marking thickness. METHODS : The color of line markings affects their retroreflectivity. Using a chromaticity test, we conducted the analysis of whether phosphorescent road line markings adhered to the "KS M 6080" standard. Then, we measured the dry retroreflectivity and wet retroreflectivity for various glass bead refractive indices. We conducted wet retroreflectivity test using the EN 1436 standard as the basis. We also conducted luminance tests for different glass bead refractive indices and line marking thicknesses. RESULTS : 1. Phosphorescent road line markings specimens satisfied the "KS M 6080" standard. 2. In dry retroreflectivity test, phosphorescent road line markings sprayed with glass beads satisfied the national police agency standard ($240mcd/(m^2{\cdot}Lux)$). Wet retroreflectivity test results showed that except for one type of No.1 glass beads, phosphorescent road line markings specimens sprayed with glass beads of one type of No.3 and two types of No.1 satisfied the national police agency standard ($100mcd/(m^2{\cdot}Lux)$). 3. Phosphorescent road line markings had higher retroreflectivity than non-phosphorescent road line markings in the dry condition. 4. Phosphorescent road line markings sprayed with glass beads demonstrated improved luminance. Luminance increased with higher glass bead refractive index and with increased line marking thickness. However, when the thickness crossed a certain threshold, phosphorescence ceased to increase; this is a characteristic of the phosphorescence phenomenon. CONCLUSIONS : Visibility across short distances can be ensured when phosphorescent road line markings are sprayed with glass beads, because of the retroreflection phenomenon. It is also possible to ensure far visibility using phosphorescent road line markings.
Kim, Yang-Wan;Lee, Sung-Ryong;Kwon, Oh-Kyong;Kim, Keum-Nam;Park, Yong-Sung;Yang, Sun-A;Shin, Dong-Young;Kim, Byung-Hee;Chung, Ho-Kyoon
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2002.08a
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pp.167-170
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2002
We have proposed new pixel structures for Active Matrix OELD (AMOELD) to improve the uniformity of luminance and manufactured a full-color 3.6-inch QVGA AMOELD. The proposed pixel structures, composed of four TFTs and one capacitor, can display 64 gray scales by compensating threshold voltage (Vth) variation of driving TFTs. Nonuniformity and peak intensity of measured luminance are under 14% and over $200cd/m^2$, respectively.
Kim, Myoung-Ki;Kwon, Jong-Chul;Hong, Jung-Pyo;Lee, Seong-Hoon;Hong, Jong-In
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.32
no.spc8
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pp.2899-2905
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2011
We have demonstrated that TPyPA can be used as an efficient multi-functional material for OLEDs; hole transporting material (HTL), blue and white-light emitter. The device based on TPyPA as the HTL exhibited an external quantum efficiency of 1.7% and a luminance efficiency of 4.2 cd/A; these values are 40% higher than the external quantum efficiency and luminance efficiency of the NPD-based reference device. The device based on TPyPA as a blue-light emitter exhibited an external quantum efficiency of 4.2% and a luminance efficiency of 5.3 $cdA^{-1}$ with CIE coordinates at (0.16, 0.14), the device based on TPyPA as a white-light emitter exhibited an external quantum efficiency of 3.2% and a luminance efficiency of 7.7 $cdA^{-1}$ with CIE coordinates at (0.33, 0.39). Also, TPyPA-based organic solar cell (OSC) exhibited a maximum power conversion efficiency of 0.35%. TPyPA-based organic thin-film transistors (OTFTs) exhibited highly efficient field-effect mobility (${\mu}_{FET}$) of $1.7{\times}10^{-4}cm^2V^{-1}s^{-1}$, a threshold voltage ($V_{th}$) of -15.9 V, and an on/off current ratio of $8.6{\times}10^3$.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.10
no.1
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pp.1-5
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2003
The multi-layered OELDs(organic electroluminescent devices) were prepared on the patterened ITO (indium tin oxide)/glass substrates by the vacuum thermal evaporation method. The $Alq_3$ (tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum) low molecule compound was used as the light emission layer. TPD(triphenyl-diamine) and $\alpha-NPD$ were used as the hole transport layer. CuPc (Copper phthalocyanine) was also used as the hole injection layers. In addition, QD2 (quinacridone2) organic material with $10\AA$ thickness was deposited in the $Alq_3$ emission layer to improve the luminance efficiency. The threshold voltage was about 7V for all devices. The luminance and efficiency of devices was improved by substitution the $\alpha-NPD$ for TPD as the hole as the hole transport layer. The luminance efficiency of the OELD sample with QD2 thin film in the $Alq_3$ emission layer was found to be 1.55 lm/W, which is about 8 times larger value compared to the sample without QD2 thin layer.
Kim, Byung-Hyun;Kwak, Boo-Dong;Han, Hag-Yong;Kang, Bong-Soon;Lee, Gi-Dong
Journal of the Institute of Convergence Signal Processing
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v.11
no.3
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pp.189-196
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2010
In this paper, we proposed the adaptive local sigma filter reducing noises generated by an image sensor. The small noises generated by the image sensor are amplified by increased an analog gain and an exposure time of the image sensor together with information. And the goal of this work was the system design that is reduce the these amplified noises. Edge data are extracted by Flatness Index Map algorithm. We made the threshold adaptively changeable by the luminance average in this algorithm that extracts the edge data not in high luminance, but just low luminance. The Local Sigma Filter performed only about the edge pixel that were extracted by Flatness Index Map algorithm. To verify the performance of the designed filter, we made the Window test program. The hardware was designed with HDL language. We verified the hardware performance of Local Sigma Filter system using FPGA Demonstration board and HD image sensor, $1280{\times}720$ image size and 30 frames per second.
A simple voltage compensation pixel circuit for AMOLED is produced using low temperature polycrystalline silicon (LTPS) technology. Its operation is verified by AIM-SPICE. Simulation results show that the pixel circuit has high immunity to variation of LTPS-TFT and reduces the drop in luminance due to the degradation of the OLED.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.04c
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pp.42-44
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2008
In this study, we report an electrical properties of green OLEO, using the changed thickness of Al Layer. We investigated the electrical properties of OLEOs by IVL and optical properties by EL spectrum. The fundamental structure of green OLEOs was ITO anode/TPD($400{\AA}$)/$Alq_3(600{\AA})$)/LiF($10{\AA}$)/Al($200{\sim}600{\AA}$) cathode. The threshold voltage was low value according to the more thin Al layer. The luminance was increased by decreased cathode layer. The threshold voltage was 12V and wavelength was 530nm at $200{\AA}$ cathode.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.421-422
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2008
The electrical properties of OLEDs was investigated by the various cathode layer. It was measured by IVL for electrical properties and optical properties by EL spectrum. The structure of OLEDs was ITO/TPD(400$\AA$)/$Alq_3$(600$\AA$)/LiF(5$\AA$)/various cathode layer. The threshold voltage was increased by the deposited Au layer. The luminance was decreased by deposited Au layer.
The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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v.15
no.3
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pp.205-210
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2022
A novel OLED pixel circuit is proposed in this paper that uses only n-type thin-film transistors(TFTs) to improve the luminance non-uniformity of the AMOLED display caused by the threshold voltage variation of an OLED driving TFT. The proposed OLED pixel circuit is composed of 6 n-channel TFTs and 2 capacitors. The operation of the proposed OLED pixel circuit consists of the capacitor initializing period, threshold voltage sensing period of an OLED·driving TFT, image data voltage writing period, and OLED·emitting period. As a result of SmartSpice simulation, when the threshold voltage of·OLED·driving TFT varies from 1.2 V to 1.8 V, the proposed OLED pixel circuit has a maximum current error of 5.18 % at IOLED = 1 nA. And, when the OLED cathode voltage rises by 0.1 V, the proposed OLED pixel circuit has very little change in the OLED current compared to the conventional OLED pixel circuit. Therefore, the proposed pixel circuit exhibits superior compensation characteristics for the threshold voltage variation of an OLED driving TFT and the rise of the OLED cathode voltage compared to the conventional OLED pixel circuit.
Kim, Kwan-Young;Kim, Mi-Rim;Kim, In-Kyu;Hwang, Seung-Jun;Beak, Joong-Hwan
Journal of Advanced Navigation Technology
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v.16
no.6
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pp.1101-1108
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2012
In this paper, we proposed an algorithm for real-time lane detecting against luminance variation using morphological image processing and edge-based region segmentation. In order to apply the most appropriate threshold value, the adaptive threshold was used in every frame, and perspective transform was applied to correct image distortion. After that, we designated ROI for detecting the only lane and established standard to limit region of ROI. We compared performance about the accuracy and speed when we used morphological method and do not used. Experimental result showed that the proposed algorithm improved the accuracy to 98.8% of detection rate and speed of 36.72ms per frame with the morphological method.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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