The vertically well-aligned carbon nanotubes(CNTs) were successfully grown on Ni coated silicon wafer substrate by DC bias-assisted PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). As a catalyst, Ni thin film of thickness ranging from 15~30nm was prepared by electron beam evaporator method. In order to find the optimum growth condition, the type of gas mixture such as $C_2H_2-NH_3$ was systematically investigated by adjusting the gas mixing ratio at $570^{\circ}C$ under 0.4Torr. The diameter of the grown CNTs was 40~200nm and the diameter of the CNTs increased with increasing the Ni particles size. TEM images clearly showed carbon nanotubes to be multiwalled. The measured turn-on field was $3.9V/\mu\textrm{m}$ and an emission current of $1.4{\times}10^4A/\textrm{cm}^2$ was $7V/\mu\textrm{m}$. The CNTs grown by bias-assisted PECVD was able to demonstrate high quality in terms of vertical alignment, crystallization of graphite and the processing technique at low temperature of $570^{\circ}C$ and this can be applied for the emitter tip of FEDs.
An electroplating on the lead frame fabricated from domestic copper plate was studied experimentally. In this study, nickel was plated on the thin copper lead frame and silver layer was coated on the nickel film in the cyanide electrolyte. The effect of process variables such as current density, plating time, coating thickness and flow rate of electrolytic solution on the properties of coating was investigated. Some samples on each step were fabricated during electroplating. The results obtained from polarization measurement, observation of SEM photograph, adhesion test of coating and microhardness test are as follows. On silver plating, polarization resistance of potentiostatic cathodic polarization curve is reduced as the flow rate of Ag electrolytic solution increases. And above resistance is also reduced when the minor chemicals of sodium cyanide and sodium carbonate are added in potassium silver cyanide bath. The reduced polarization resistance makes silver deposition on the cathode easy. An increase in the current density and the coating thickness causes the particle size of deposit to coarsen, and consequently the Knoop microhardness of the coating decreases. On selective plating an increase in the flow rate of plating solution lead to do high speed plating with high current density. In this case, the surface morphology of deposit is of fine microstructure with high Knoop hardness. An increasing trend of the adhesion of coating was shown with increasing the current density and flow rate of electrolytic solution.
A pulsed laser ablation deposition (PLAD) technique has been used for producing fine particle as well as thin film at relatively low substrate temperatures. However, in order to manufacture and evaluate such materials in detail, motions of plume particles generated by laser ablation have to be understood and interactions between the particles by ablation and gas plasma have to be clarified. Therefore, this paper was focused on the understanding of plume motion in laser ablation assisted by Ar plasma at 50(mTorr). Two-dimensional hybrid model consisting of fluid and particle models was developed and three kinds of plume particles which are carbon atom (C), ion $(C^+)$ and electron were considered in the calculation of particle method It was obtained that ablated $C^+$ was electrically captured in Ar plasmas by strong electric field (E). The difference between motions of the ablated electrons and $C^+$ made E strong and the collisional processes active.
A small electrical potential difference which appears on any solid body when subjected to illumination by a modulated light beam generated by laser is called photocharge voltage(PCV)[1,2]. This voltage is proportional to the induced change in the surface electrical charge and is capacitatively measured on various materials such as conductors, semiconductors, ceramics, dielectrics and biological objects. The amplitude of the detected signal depends on the type of material under investigation, and on the surface properties of the sample. In photocharge voltage spectroscopy measurements[3], the sample is illuminated by both a steady state monochromatic bias light and the pulsed laser. The monochromatic light is used to created a variation in the steady state population of trap levels in the surface and space charge region of semiconductor samples which does result in a change in the measured voltage. Using this technique the spatial variation of PCV can be utilized to evaluate the surface conditions of the sample and the variation of the PCV due to the monochromatic bias light are utilized to characterize the surface states. A qualitative analysis of the proposed measurement is present along with experimental results performed on amorphous silicon samples. The deposition temperature was varied in order to obtain samples with different structural, optical and electronic properties and measurements are related to the defect density in amorphous thin film.
$Ti_{0.26}Al_{0.16}Si_{0.01}N_{0.57}$ (at%) coatings were synthesized on stainless steel 304 by using arc ion plating systems (AIPS). Targets employed for the deposition were Ti, AlSi(67:33at%) and AlSi(82:18at%). The thickness of TiAlSiN coatings is $4{\mu}m$. The oxidation characteristics of the deposited coatings were studied by thermogravimetric analysis (TGA) in air between 800 and $900^{\circ}C$ for 75 hr. The oxide scale formed on the TiAlSiN coatings consisted of $rutile-TiO_2$ layer and ${\alpha}-Al_2O_3$. At $800^{\circ}C$, the coatings oxidized relatively slowly, and the scales were thin and adherent. When oxidized above $900^{\circ}C$, $TiO_2$ grew fast over the mixed oxide layer, and the oxide scale formed on TiAlSiN coatings was prone to spallation. Microstructural changes of the TiAlSiN coatings that occurred during high temperature oxidation were investigated by EPMA, XRD, SEM and TEM.
ICP-CVD(Inductively Coupled Plasma-Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 플라즈마 처리에 따른 Al이 도핑된 ZnO(AZO) 박막의 표면 부착력과 굴절율, 표면거칠기에 관한 연구를 하였다. 플라즈마 처리는 인가전압, 시간을 변수로 하였고 반응 가스는 Ar을 사용하였다. 표면조성은 AFM, 광학적 특성은 UV-Vis 분광계를 이용한 광투과도 측정으로부터 굴절률과 밴드갭을 조사하였고 표면 부착력은 접촉각 분석기(제조사:Kruss)를 사용하여 조사하였다. 플라즈마 처리 시간이 길어짐에 따라 박막 표면의 거칠기가 커지고 부착력은 증가하는 것으로 나타났다.
Recently, the study on development of electrical and electronic device is done to get miniature, high degrees of integration and efficiency by using inorganic materials. the study of Langmuir-Boldgett(LB) method that uses organic materials because of the limitation for the ultra small size. In this paper, detected displacement current using PBLG and PBDG, deposition and observed the electrical characteristics to each 1, 3, 5, 7, 9 layers by LB method. Maximum value of change ratio of displacement current by the detected speed and temperature appeared almost lineally, could confirm that it are in comparison relation each other speed temperature and displacement current. The structure of manufactured device is MIM. Also, we then examined of the MIM device by means of I-V. The I-V characteristic of the device is measured from 0 to +2[V]. The insulation property of a thin film is better as the distance between electrodes is larger.
We fabricated hexagonal copper sulfide $Cu_2S$ nanowires to obtain a larger contact area of $Cu_2S/CdS$ solar cell. Copper sulfide nanowires were grown on Cu foil at room temperature by gas-sol id reaction. The size, density and shape of nanowires seemed to be affected by the change or reaction time temperature, crystallographic orientation of Cu foil, and molar ratio of the mixed gas. We controled the length and the diameter of the nanowires and we obtained suitable nanowire arrays which has fitting size for uniform deposition with n-type CdS. CdS layer was deposited on the nanowire array by electrodeposition and it seemed to be uniform. The $Cu_2S/CdS$ nanowires/CdS junction showed diode characteristics, A large contact area is expected with the $Cu_2S/CdS$ nanowire structure as compared with the $Cu_2S/CdS$ thin film.
DLC (Diamond-like Carbon) 코팅막은 저마찰, 고경도, 낮은 표면조도 등의 우수한 특성을 갖는 박막 물질로 다양한 산업분야에서 그 코팅막의 활용을 목적으로 응용연구가 활발하게 이루어지고 있다. 본 연구에서는 플라즈마 화학기상증착(PCVD) 공정을 이용하여 바이어스, 진공도, 공정 온도 등의 코팅 조건 변수를 이용하여 DLC 코팅막을 제작하였다. 또한, 코팅막은 공정 조건에 따라 증착속도, 표면 및 단면 조직, 밀착력, 경도, 마찰계수 등의 특성을 평가하였다. 플라즈마 화학기상증착법을 이용한 DLC 코팅막 제조는 상온과 $175^{\circ}C$에서 이루어졌으며, 저온 중 DLC 코팅막 제조가 가능해짐에 따라 고분자 와 같은 저융점을 갖는 피처리물의 코팅처리가 가능하여 산업적 응용의 확대가 기대된다. SEM 표면 조직 관찰에 따른 DLC 코팅막의 표면조직과 조도는 공정조건에 따라 큰 차이는 보이지 않았지만, 밀착력에 있어서는 매우 큰 차이를 나타내었다. 스크래치 시험 결과 가장 높은 밀착력은 100 N 이상을 나타내었으며, 이 때의 마찰계수는 약 0.02를 나타내었다. 가장 낮은 마찰계수는 약 0.01을 보였으며, 이때의 밀착력은 25 N을 나타내었다. 증착속도는 바이어스 전압의 증가에 따라 증가하는 경향을 나타내었으며, 온도의 증가에 따라 감소하는 경향을 나타내었다.
A hydrophobic surface has been fabricated on aluminum by two-step surface treatment processes consisting of structure modification and surface coating. Nature inspired micro nano scale structures were artificially created on the aluminum surface by a blasting and Ar ion beam etching. And a hydrophobic thin film was coated by a trimethylsilane ($(CH_3)_3SiH$) plasma deposition to minimize the surface energy of the micro nano structure surface. The contact angle of micro nano structured aluminum surface with the trimethylsilane coating was $123^{\circ}$ (surface energy: 9.05 $mJ/m^2$), but the contact angle of only trimethylsilane coated sample without the micro nano surface structure was $92^{\circ}$ (surface energy: 99.15 $mJ/m^2$). In the hydrophobic treatment of aluminum surface, a trimethylsilane coated sample having the micro nano structure was more effective than only trimethylsilane coated sample without the micro nano structure.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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