Two different coverlayers which is useful for an optical buffer and a mechanical protection made of not only UV resin but also polycarbonate coversheet were prepared on small form factor optical disks. Thin coverlayer of 10 ${\mu}m$ and thick coverlayer of 80 ${\mu}m$ were fabricated. 10 ${\mu}m$-thick coverlayer was coated using UV resin material by spin coating method for the flying optical head application. On the other hand, 80 ${\mu}m$-thick coverlayer using coversheet with the resin bonding material was prepared for the non-flying optical head application. Both cases, the thickness uniformity seem to be the primary prerequisite factor, and it was analyzed. Thickness of 10 ${\mu}m$-thick UV resin coverlayer could be controlled within ${\pm}0.2m$ range and 80 ${\mu}m$-thick coversheet could be controlled within ${\pm}3{\mu}m$ range. However, the yield of such thickness tolerance was not good. New design of metal housing holder and polycarbonate outer ring was adopted to diminish the ski-jump phenomenon. Specifically, the polycarbonate outer ring was very effective to reduce the ski-jump. However, it should be careful to maintain uniform edge between disk and ring for the perfect coverlayer.
We investigate dynamical evolution of gas in barred galaxies using a high-resolution, grid-based hydrodynamic simulations on two-dimensional cylindrical geometry. Non-axisymmetric gravitational potential of the bar is represented by the Ferrers ellipsoids independent of time. Previous studies on this subject used either particle approaches or treated the bar potential in an incorrect way. The gaseous medium is assumed to be infinitesimally-thin, isothermal, unmagnetized, and initially uniform. To study the effects of various environments on the gas evolution, we vary the gas sound speed as well as the mass of a SMBH located at the center of a galaxy. An introduction of the bar potential produces bar substructure including a pair of dust lane shocks, a nuclear ring, and nuclear spirals. The sound speed affects the position and strength of the bar substructure significantly. As the sound speed increases, the dust lane shocks tend to move closer to the bar major axis, resulting in a smaller-size nuclear ring at the galactocentric radius of about 1 kpc. Nuclear spirals that develop inside a nuclear ring can persist only when either sound speed is low or in the presence of a SMBH; they would otherwise be destroyed by the ring material with eccentric orbits. The mass inflow rates of gas toward the galactic center is also found to be proportional to the sound speed. We find that the sound speed should be 15 km/s or larger if the mass inflow rate is to explain nuclear activities in Seyfert galaxies.
Sb doped SnO2(ATO:Antinomy doped Tin Oxide) thin films were prepared by a DC magnetron spttuering method using oxide target and the deposition characteristics were investigated. The experimental conditions are as follows :Ar flow rate : 100 sccm oxygen flow rates ; 0-100 sccm deposition temperature ; 250 -40$0^{\circ}C$ DC sputter powder ; 150~550 W and sputtering pressure ; ; 2~7 mTorr. Deposition rate greatly depends not on the deposition temperature but on the reaction pressure oxygen flow rate and sputter power,. when the sputter powder is low ATO thin films with (110) preferred orientation are deposited. And when the sputter power is high (110) prefered orientation appeares with decreasing of oxygen flow rate and increasing of suputte-ring pressure.
In this paper, Co-Cr thin films which are known for a excellent perpendicular magnetic recording media were prepared. Changing target- substrate distance, Ar gas pressure and arriving atoms, the incident angle and c-axis orientation properties by using the facing targets sputtering system. We evaluated the c-axis dispersion angle by measu ring half-height width with Micro area X-Ray Diffractometer, measured the thickness of thin film with Ellipsometer. The magnetic properties were compared measuring in-plane squareness and perpendicular coercivity with vibrating sample Magnetometer.
SOI(silicon oninsulator) was fabricated through the direct bonding of a hydrophilized single crystal Si wafer and a thermally oxidized SiO2 thin film to investigate the stacking faults in silicon at the Si/SiO2 in-terface. At first the oxidation kinetics of SiO2 thin film and the stacking fault distribution at the oxidation interface were investigated. The stacking faults could be divided into two groups by their size and the small-er ones were incorporated into the larger ones as the oxidation time and temperature increased. The den-sity of the smaller ones based critically lower eventually. The SOI wafers directly bonded at the room temperature were annealed at 120$0^{\circ}C$ for 1 hour. The stacking faults at the bonding and oxidation interface were examined and there were anomalies in the distributions of the stacking faults of the bonded region to arrange in ordered ring-like fashion.
Kim, Kwang-Ho;Park, Sung-Kyu;Kim, Yong-Hoon;Kim, Hyun-Soo;Oh, Min-Suk;Han, Jeong-In
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.534-536
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2009
We have fabricated solution-processed zinc-tin oxide thin film transistors (TFTs) and simple circuits on glass substrates. We report a solutionprocessed zinc-tin oxide TFTs on silicon wafer with mobility greater than 9 $cm^2/V{\cdot}s$ (W/L = 100/5 ${\mu}m$) and threshold voltage variation of less than 1 V after bias-stressing. Also, we fabricated solution-processed zinc-tin oxide circuits including inverters and 7-stage ring oscillators fabricated on glass substrates using the developed zinc-tin oxide TFTs.
구형 도파관 기법을 이용하여 다양한 모양을 가진 주기적인 metamaterial (MTM) 셀의 복소 유전율과 투자율을 시뮬레이션으로 추출하였다. 이 도파관은 PEC 벽과 PMC 벽으로 구성된 가상적인 것이고, 고려된 MTM 셀의 모양은 thin wire (TW), single split-ring resonator (SSRR), double SRR (DSRR), modified SRR, 그리고 TW와 DSRR이 결합된 구조이다. TW는 음의 유전율/양의 투자율, SRR은 양의 유전율/음의 투자율, 그리고 TW와 DSRR을 합친 구조는 유전율과 투자율이 동시에 음이 되는 영역이 나타남을 확인하였다. 각 셀의 파라미터에 따른 유전율과 투자율의 변화를 살펴보았다. 추가적인 연구로서 상기 도파관 기법의 단점을 보완하는 시 영역 신호를 이용한 추출 방법을 소개했다.
Zoysiagrass는 대표적인 난지형 잔디로 Curvularia leaf spot, Large patch, Rhizoctonia blight, Spring dead spot, 그리고 Dollar spot 등의 다양한 병에 직면해 있으며 최근에는 많은 병원균들의 복합 감염에 의한 잔디병 양상을 보이고 있다. 최근에 패취형태의 병반을 가진 zoysiagrass 엽조직으로 부터 Rhizoctonia 속과 유사한 곰팡이를 분리하였다. 리보소옴 DNA의 염기서열을 분석하여 Waitea circinata 균주들과 98% 이상의 상동성을 보였고, Koch's 법칙에 따라 zoysiagrass에서 병원성을 확인하여 이 병의 주 원인균은 Waitea circinata로 판명되었다. 따라서 본 병은 zoysiagrass에서 Waitea circinata에 의해 최초로 국내에서 발생한 병으로 사료되며, 기본 병명과 동일하게 Waitea ring patch로 사용하기를 제안하고자 한다.
A three-dimensional (3-D) method of analysis is presented for determining the free vibration frequencies and mode shapes of thick, complete (circumferentially closed), circular rings with an elliptical or circular cross-section. Displacement components $u_r,\;u_\theta\;and\;u_z$ in the radial, circumferential, and axial directions, respectively, are taken to be periodic in ${\theta}$ and in time, and algebraic polynomials in the r and z directions. Potential (strain) and kinetic energies of the circular rings are formulated, and upper bound values of the frequencies are obtained by minimizing the frequencies. As the degree of the polynomials is increased, frequencies converge to the exact values. Convergence to four-digit exactitude is demonstrated for the first five frequencies of the rings. Novel numerical results are presented for the circular rings having an elliptical cross-section based upon 3-D theory. Comparisons are also made between the frequencies from the present 3-D Ritz method and ones obtained from thin and thick ring theories, experiments, and another 3-D method.
Organic thin film transitors(OTFT) are of interest for use in broad area electronic applications. And recently organic electroluminescent devices(OELD) have been intensively investigated for using in full-color flat-panel display. We have fabricated inverted-staggered structure OTFTs at lower temperature using the fused-ring polycyclic aromatic hydrocarbon pentacene as the active eletronic material and photoacryl as the organic gate insulator. The field effect mobility is 0.039∼0.17 ㎠/Vs, on-off current ratio is 10$\^$6/, and threshold voltage is -7V. And here we report the study of driving emitting, Ir(ppy)$_3$, phosphorescent OELD with all organic thin film transistor and investigated its electrical characteristics. The OELD with a structure of ITO/TPD/8% Ir(ooy)$_3$ doped in BCP/BCP/Alq$_3$/Li:Al/Al and OTFT with a structure of inverted-stagged Al(gate electrode)/photoacry(gate insulator)/pentacene(p-type organic semiconductor)/ Au(source-drain electrode) were fabricated on the ITP patterned glass substrate. The electrical characteristics are turn-on voltage of -10V, and maximum luminance of about 90 cd/㎡. Device characteristics were quite different with that of only OELD.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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