Next generation displays such as high performance LCD, AMOLED, flexible display and transparent display require specific TFT back-planes. For high performance TFT back-planes, low temperature poly silicon (LTPS), and metal-oxide semiconductors are studied. Flexible TFT backplanes require low temperature processible organic semiconductors. Not only development of active semiconducting materials but also design and synthesis of semiconductor corresponding gate dielectric materials are important issues in those display back-planes. In this study, we investigate the high heat resistant polymeric gate dielectric materials for organic TFT and inorganic TFT with good insulating properties and processing chemical resistance. We also controlled and optimized surface energy and morphology of gate dielectric layers for direct printing process with solution processible organic and inorganic semiconductors.
Kim, Yong-Hae;Chung, Choong-Heui;Moon, Jae-Hyun;Park, Dong-Jin;Lee, Su-Jae;Kim, Gi-Heon;Song, Yoon-Ho
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
/
한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
/
pp.717-720
/
2007
We fabricated the 3.5 inch QCIF AMOLED panel with ultra low temperature polycrystalline silicon TFT on the plastic substrate. To reduce the leakage current, we used the triple layered gate metal structure. To reduce the stress from inorganic dielectric layer, we applied the organic interlayer dielectric and the photoactive insulating layer. By using the interlayer dielectric as a capacitor, the mask steps are reduced up to five.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
/
pp.1462-1464
/
2006
Scaling rules for TFT application devices have led to the necessity of ultra thin dielectric films and high-k dielectric layers. In this paper, The advantages of high concentration of nitrogen in silicon oxide layer deposited by using $N_2O$ in Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition (ICP-CVD) is investigated using X-ray energy dispersive spectroscopy (EDS). We have reported about Ellipsometric measurement, Capacitance - Voltage characterization and processing conditions.
The $(Pb_{0.9}Ca_{0.1})TiO_3$[PCT] thin films have been deposited by sol-gel processing on Si-wafer and ITO glass substrates. The creak-free films have been obtained by rapid thermal annealing at $700^{\circ}C$ for 10 minute and characterized by XRD, SEM and electrical measurements. Their tetragonality c/a was 1.041 and grain size was $0.15{\sim}0.2{\mu}m$. When the electrode system of sample was Au/PCT/ITO(MFM) and film thickness was $0.8{\mu}m$, dielectric constant, dielectric loss and Curie temperature were about 149, 0.085 and $449^{\circ}C$ at 10kHz, respectively. Spontaneous polarization $P_s$, remnant polarization $P_r$ and coercive field $E_c$ were about $5.29{\mu}C/cm^2$, $4.15{\mu}C/cm^2$ and 82kV/cm calculated by hysteresis loop.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
/
제30권8호
/
pp.894-900
/
2006
The electrical characteristics associated with crystal structure changes as a function of La content for $(Pb_{1-x}La_x)(Zr_{0.5}Ti_{0.5})O_3$ thin films were investigated for applications in memory capacitors. Tetragonality of PLZT films decreased with increasing La content. Thin films with La $\geq$ 20 mol% were found to be cubic. Films with La $\geq$ 12 mol% exhibited broader dielectric peaks compared to those of bulk ceramics and behaved as relaxer ferroelectrics. Tetragonal PLZT film with 12 mol% La had a dielectric constant maximum of 1330 at room temperature and a charge storage density of ${\sim}18{\mu}C/cm^2$ at 5 V. Decrease in coercive field and remnant polarization with increase in La content were resulting from less dipolar response caused by the decreased crystal anisotropy. The leakage current densities $<10^{-8}A/cm^2$ up to 5 V bias voltage were observed for the films with La $\geq$ 14 mol%.
Dielectric thin films of PLT(28) ($(Pb_{0.72}La_{0.28})Ti_{0.93}O_3$) have been deposited on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrates in situ by a laser ablation. We have systematically changed the laser fluence from 0.4 J/$cm^2$ to 3 J/$cm^2$, and deposition temperature from $450^{\circ}C\; to\; 700^{\circ}C$. The surface morphology was changed from planar grain structure to columnar structure as the nucleation energy was increased. The PLT thin film with columnar structure showed good dielectric properties. The deposition temperature influenced on nucleation energy much stronger than the laser energy density did.
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
/
제3C권3호
/
pp.77-80
/
2003
An innovative ozonizer has been developed using a high frequency, surface discharge and a high purity Ti-Si-AI ceramic catalyst as a dielectric component. Using a type of thin film, a thin cylindrical compound ceramic catalyst layer was adhered to the outside surface of its inner electrode. An alternating current (AC) exciting voltage with frequencies from 0.6 KHz to 1.0 KHz and peak-to-peak voltages of 4-6 ㎸ was applied between the electrodes to produce a stable high-frequency silent discharge. A substantial reduction of the exciting voltage was also enabled by means of a thin Ti-Si-Al ceramic catalyst tube. As a result, the ozonizer can effortlessly obtain the required ozone concentration (50-60 g/$m^2$ for oxygen) and high ozone efficiency consumption power (180 g/kWh for oxygen) with-out the assistance of any particular methods. For purposes of this experiment, oxygen gas temperature was set at 2$0^{\circ}C$, with an inner reactor pressure of 1.6 atm at 600 Hz and a flow rate of 2 l/min.
R.F. Magnetron Sputtering법을 이용하여 Pt/Ti/ $SiO_2$/Si기판 위에 seed-layers와 $Ba_{0.66}$S $r_{0.34}$Ti $O_3$박막을 제조하였다. 다양한 기판온도에 따른 BST 박막의 전기적인 특성(정전용량과 누설전류)과 seed-layer층이 BST 박막에 미치는 영향을 조사하였다. BST 박막은 seed-layer층을 삽입함으로써 박막의 결정성이 향상되었고, 박막의 기판온도(결정화온도)도 상당히 낮출 수 있었다. 순수한 BST에 비하여 seed-layer를 삽입한 BST는 높은 유전상수와 낮은 유전손실 및 낮은 누설전류를 가지는 우수한 전기적 특성을 나타내었다. BST 박막의 전기적 특성은 기판온도에 따라 영향을 받고, seed-layer에 의해 향상됨을 알 수 있었다.
$Ba(Ti,Sn)O_3$ thin films, for use as dielectrics for MLCCs, were grown from Sn doped BaTiO3 sources by e-beam evaporation. The crystalline phase, microstructure, dielectric and electrical properties of films were investigated as a function of the (Ti+Sn)/Ba ratio. When $BaTiO_3$ sources doped with $20{\sim}50\;mol%$ of Sn were evaporated, $BaSnO_3$films were grown due to the higher vapor pressure of Ba and Sn than of Ti. However, it was possible to grow the $Ba(Ti,Sn)O_3$ thin films with {\leq}\;15\;mol%$ of Sn by co-evaporation of BTS and Ti metal sources. The (Ti+Sn)/Ba and Sn/Ti ratio affected the microstructure and surface roughness of films and the dielectric constant increased with increasing Sn content. The dielectric constant and dissipation factor of $Ba(Ti,Sn)O_3$ thin films with {\leq}\;15\;mol%$ of Sn showed the range of 120 to 160 and $2.5{\sim}5.5%$ at 1 KHz, respectively. The leakage current density of films was order of the $10^{-9}{\sim}10^{-8}A/cm^2$ at 300 KV/cm. The research results showed that it was feasible to grow the $Ba(Ti,Sn)O_3$ thin films as dielectrics for MLCCs by an e-beam evaporation technique.
A method for fabrication of nano-scale GaN structure by inductively coupled plasma etching is proposed, exploiting a thermal dewetting of Pt thin film as an etch mask. The nano-scale Pt metal islands were formed by the dewetting of 2-dimensional film on $SiO_2$ dielectric materials during rapid thermal annealing process. For the case of 30 nm thick Pt films, pattern formation and dewetting was initiated at temperatures greater $600^{\circ}C$. Controlling the annealing temperature and time as well as the thickness of the Pt metal film affected the size and density of Pt islands. The activation energy for the formation of Pt metal island was calculated to be 23.2 KJ/mole. The islands show good resistance to dry etching by a $CF_4$ based plasma for dielectric etching indicating that the metal islands produced by dewetting are suitable for use as an etch mask in the fabrication of nano-scale structures.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.