Ever since the experimental discovery of graphene exfoiliated from the graphite flakes by Geim et at., this area has drawn a lot of attention for its possible application in IT industry. For the growth of graphene, chemical vapor deposition (CVD) has been widely used to fabricate the large area graphene. The lateral size of this graphene can be easily controlled by the size of the metal substrate though the chemical etching to remove this substrate is somewhat troublesome. Another problem which is hard to avoid is the folding at the grain boundary. We will discuss the origin of the folding first and introduce the way to avoid this folding. To solve this problem, we have used the various types of micro-thin metal foils. The precise control of hydro-carbon and the carrier gas results in the formation of the graphene on top of substrate. The thickness of graphene layers can be controlled with the control of gas flow on top of Cu substrate in contrast to the previously reported self-limiting growth $behavior^1$. Uniformity of this graphene layer has been checked by micro-raman spectroscopy and SEM. The size of grain can be enhanced by thermal treatment or use of other metal substrate. The dependence of grain size on the lattice size of the substrate will be discussed. By selecting the shape of substrate, we can grow various types of graphene. We will introduce the micron size graphene tube and its application.
일반적으로 LPCVD 방법에 의한 다결정 실리콘 박막은 $SiH_4$가스를 열분해하여 증착한다. 본 실험에서는 다결정 실리콘 박막속에 포함된 산소농도를 낮추기 위하여 실리콘 웨이퍼를 반응로 안으로 장착할 때, 20slm의 $N_2$가스를 반응로의 위에서부터 아래로 flow하였으며 박막의 산소농도를 측정하기 위하여 두께가 $1000\AA$인 박막을 증착한 다음 SIMS로 분석한 결과 반응로의 hatch에 있는 짧은 injector를 통하여 20slm의 $N_2$가스를 flow한 경우보다 박막의 산소농도가 ~30배 정도 낮아짐을 알 수 있었다. 긴 injector를 사용하여 증착된 박막의 두께 균일도, particle 및 Rs를 측정하여 박막증착의 재현성이 있음을 평가하였다.
For improvement of the wear performance of Ti alloy, vacuum-carburizing technique was tried for the first time using propane atmosphere. During the low pressure carburizing carbide was formed at the surface and carbon transfer was occurred from the carbide to the matrix. It was found that: (i) surface hardness increased with the reduction of operating pressure and time; (ii) optimum hardness distribution could be obtained with the proper choice of temperature and carbon flux control; and, (iii) case depth was largely influenced not by time but by temperature. The two steps process was recommended for obtaining thick case depth and high surface hardness of Ti alloy. For the low oxygen partial pressure, it was necessary to introduce additional CO gas to the atmosphere.Grain boundary oxidation and non-uniformity could be prevented.
In this study, the volume resistivity of XLPE materials with various voltage ratings was discussed. The volume resistivity of the developed XPLE nanocomposite was measured, and the conductivity mechanism of the material was also examined. The ASTM D 257 and IEC 60093 measurement methods were used for these tests. The equipment was designed to measure up to a temperature of $200^{\circ}C$, and the electrode structure was designed to maintain the thickness and temperature uniformity of the sample. The conductivity of the sample decreased with temperature, and the samples reached saturation within 500s, after which the conductivity leveled off. By analyzing the current density and the electric field, we can well explain the electric conductivity behavior of our sample with the Schottky mechanism.
PVD coating is a technology that can be applied to various industries, and is widely used for processing molds and machinery, improving performance of core parts, and extending the life. Therefore, there is a need for a research on a device and a process technology that can adjust the performance to suit each application. In this study, a PVD coating device with ion density control was used to deposit a coating layer on SKD 11, a cold die steel, with magnetron currents of 1 A, 2 A, 3 A at arc currents of 80 A, 100 A, 130 A. It examined the mechanical properties for each condition. Increasing the arc current and magnetron current could improve the thickness, adhesion, and hardness of the coating layer. Especially, When the magnetron current was high, it suppressed the droplets that could be generated by the high arc current, showing excellent surface uniformity and adhesion of the coating layer.
Optical emission spectroscopy is used to identify chemical species and monitor the changes of process results during the plasma process. However, plasma process monitoring or fault detection by using emission signal variation monitoring is vulnerable to background signal fluctuations. IR heaters are used in semiconductor manufacturing chambers where high temperature uniformity and fast response are required. During the process, the IR lamp output fluctuates to maintain a stable process temperature. This IR signal fluctuation reacts as a background signal fluctuation to the spectrometer. In this research, we evaluate the effect of infrared background signal fluctuation on plasma process monitoring and improve the plasma process monitoring accuracy by using simple infrared background signal subtraction method. The effect of infrared background signal fluctuation on plasma process monitoring was evaluated on $SiO_2$ PECVD process. Comparing the $SiO_2$ film thickness and the measured emission line intensity from the by-product molecules, the effect of infrared background signal on plasma process monitoring and the necessity of background signal subtraction method were confirmed.
Park, Hyeoung Woo;Kim, H.J.;Roh, Ji Hyoung;Choi, Jong-Kyun;Cha, Kyoung-Rae
Journal of the Korean Physical Society
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제73권10호
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pp.1473-1478
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2018
In this study, we have developed a simple and cost-effective method to prevent edge bead formation by covering the edge of a chip-level substrate with heat-resistant tape during patterning using SU-8. Edge beads are a fundamental problem in photoresists and are particularly notable in high-viscosity fluids and thick coatings. Edge beads can give rise to an air gap between the substrate and the patterning mask during UV exposure, which results in non-uniform patterns. Furthermore, the sample may break since the edge bead is in contact with the mask. In particular, the SU-8 coating thickness of the chip-level substrates used in MEMS or BioMEMS may not be properly controlled because of the presence of edge beads. The proposed method to solve the edge bead problem can be easily and economically utilized without the need for a special device or chemicals. This method is simple and prevents edge bead formation on the sample substrate. Despite the small loss in the taping area, the uniformity of the SU-8 coating is improved from 50.9% to 5.6%.
Ion-beam sputtering (IBS) was used to deposit semiconducting IZTO (indium zinc tin oxide) thin films onto heavily-doped Si substrates using a sintered ceramic target with the nominal composition In0.4Zn0.5Sn0.1O1.5, which could work as a channel layer for oxide TFT (oxide thin film transistor) devices. The crystallization behavior and electrical properties were examined for the films in terms of deposition parameters, i.e. target tilt angle and substrate temperature during deposition. The thickness uniformity of the films were examined using a stylus profilometer. The observed difference in electrical properties was not related to the degree of crystallization but to the deposition temperature which affected charge carrier concentration (n), electrical resistivity (ρ), sheet resistance (Rs), and Hall mobility (μH) values of the films.
For the development of highly efficient quantum dot-sensitized solar cells (QDSCs), it is important to enhance the electrocatalytic activity of the counter electrodes (CEs). Herein, a fabrication process of Cu2S CEs are optimized for the development highly efficient QDSCs. The surface of brass film is treated with HCl solution to prepare the Cu2S CEs, and the concentraion as well as the temperature of HCl solution are controlled. It is found that the uniformity for the thickness of prepared Cu2S CEs is enhanced when the diluted HCl solution is used, compared to the HCl solution of standard concentration. In addition, the electrocatalytic activity of the Cu2S CEs is also increased with the modificed process, which is confirmed by impedance data and Tafel polarization curves. As a result, the photoconversion efficiency of QDSCs is improved from 4.49% up to 5.73%, when the concentraion and temperature of the HCl treatment are efficiently optimized.
Sai Zhang;Jianwen Ding;Ning Jiao;Shuai Sun;Jinyu Liu
Geomechanics and Engineering
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제34권2호
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pp.125-138
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2023
To improve the understanding of infiltration characteristic of modified slurry and the support efficiency of filter cake in silty sand strata, the slurry infiltration (SI) and filter cake formation (FCF) were investigated in a laboratory apparatus. The water discharge and the excess pore pressure at different depths of silty sand strata were measured during SI. The relationship between permeability coefficient/thickness ratio of filter cake (kc/ΔL) and effective slurry pressure conversion rate of filter cake (η) were analyzed. Moreover, the SI and FCF process as well as the modification mechanism of CMC (carboxymethyl cellulose) were clarified. The experimental results indicate the formation of only external filter cake in the silty sand strata. The slurry particles obtain thicker water membrane after being modified by CMC, which blocks partial water path in filter cake and decreases the water discharge significantly. The silty sand excavated from tunnel face also contributes to the water discharge reduction. The kc of the external filter cake ranges from 3.83×10-8 cm/s to 7.44×10-8 cm/s. The η of the external filter cake is over 96%, which decreases with increasing kc/ΔL. A silty sand content within 10% is suggested during construction to ensure the uniformity of the filter cake.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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