• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 추계학술대회 초록집
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• pp.55.1-55.1
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• 2010

Cost efficient and large area deposition of superior quality $Al_2O_3$ doped zinc oxide (AZO) films is instrumental in many of its applications including solar cell fabrication due to its numerous advantages over ITO films. In this study, AZO films were prepared by a highly efficient rotating cylindrical dc magnetron sputtering system using AZO target, which has a target material utilization above 80%, on glass substrates in argon ambient. A detailed analysis on the electrical, optical and structural characteristics of AZO thin films was carried out for solar cell application. The properties of films were found to critically depend on deposition parameters such as sputtering power, substrate temperature, working pressure, and thickness of the films. A low resistivity of ${\sim}5.5{\times}10-4{\Omega}-cm$ was obtained for films deposited at 2kW, keeping the pressure and substrate temperature constant at 3 mtorr and $230^{\circ}C$ respectively, mainly due to an increase in carrier mobility and large grain size which would reduce the grain boundary scattering. The increase in carrier mobility with power can be attributed to the columnar growth of AZO film with (002) preferred orientation as revealed by XRD analysis. The AZO films showed a high transparency of>87% in the visible wavelength region irrespective of deposition conditions. Our results offers a cost-efficient AZO film deposition method which can fabricate films with significant low resistivity and high transmittance that can find application in thin-film solar cells.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2011년도 추계학술발표대회
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• pp.41.2-41.2
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• 2011

Display 산업의 확대로 인해 광학적 특성 및 전기적 특성이 우수한 TCO (Transparent conductive oxide) 연구가 활발히 진행되고 있다. 기존에는 ITO가 대부분의 분야에서 이용되었지만 In의 경제적인 단점으로 인해 새로운 대체물로써 ZnO가 떠오르고 있다. ZnO는 전형적인 n-type 반도체이며, wide band gap 물질로써 Al, Ga, B과 같은 3 족 원소를 doping 함으로써 광학적 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 최근에는 ZnO의 이온반경과 비슷한 Ga을 도핑한 Ga-doped ZnO 박막에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이는 ZnO에 Ga을 도핑함으로써 격자결함을 최소화 시키고 carrier concentration 및 hall mobility를 향상시켜 전기전도도의 향상을 이루기 때문이다. 본 연구에서는 $Ga_2O_3$이 3wt% doping 된 ZnO rotating cylindrical target 을 DC magnetron sputtering 을 이용하여 2 kW의 파워와 70 kHz의 주파수를 고정하고, 증착 온도를 변화시켜 유리 기판 위에 Ga-doped ZnO 박막을 증착 하였다. 증착 시 온도가 Ga-doped ZnO 박막에 미치는 영향을 관찰하기 위해 박막 표면의 조성을 분석하였고, 결정성 및 전기적 특성의 변화를 통해 박막의 특성을 비교 평가하였다. Ga-doped ZnO 박막의 표면과 두께는 SEM (Scanning electron microscope) 분석을 통해 관찰하였고, XRD (X-ray diffractometer) 를 이용하여 결정학적 특성을 확인하였다. 또한 Van der Pauw 방법을 이용한 hall 측정을 통해 resistivity, carrier concentration, hall mobility를 분석하였고, UV-Vis를 이용하여 박막의 투과율을 분석하였으며, 이를 토대로 투명 전도막으로써 Ga-doped ZnO 박막의 응용 가능성을 평가하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.780-788
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• 2011

본 논문에서는 시스템 운용자가 현장에 직접 상주하지 않고도 WAP 및 ME 기반의 개인 휴대폰(Feature phone)과 인터넷 웹을 연동해서 언제 어디서나 시스템의 운용 상태를 모니터링하고 제어할 수 있는 모델을 제안한다. 제안하는 모델은 기존에 PDA와 WLAN 기술을 결합한 TCP/IP 통신기반의 원격장치 데이터 모니터링 시스템이 가지는 공간적인 제약을 극복하고, 사용자에게 이동성을 보장하고자 한다. 제안하는 시스템의 테스트를 위해, 제어 대상 시스템은 AC나 DC전원 제어를 필요로 하는 개별모듈로 구성한다. 로컬 시스템에 대한 제어 및 모니터링을 위한 프로그램은 편리성과 신뢰성을 위해 NI Labview를 사용해 개발한다. 또한 웹 서버는 APM 연동을 사용해서 개발자의 범용성이 보장되게 한다. 그리고 모바일 접속환경은 개인 휴대단말의 범용성을 보장하기위해 WML과 mHTML 언어를 이용해서 개발한다. 실험을 통해서 본 논문에서 제안하는 모델이 기존 시스템이 가지는 공간적 제약사항과 이동성 문제를 해결함을 보였다.

• 공업화학
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• 제34권1호
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• pp.45-50
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• 2023

마이크로 유체 시스템을 활용한 농축 기술은 저과다 분석물을 특정 위치에 모으거나 추출하는 기술로, 의료 및 바이오 분야를 포함한 다양한 분야에서 필수적인 기술로 각광받고 있다. 본 연구에서는 이온교환막을 활용한 전기막 시스템(electromembrane system)에서 전기영동(electrophoresis) 현상을 이용해 타겟 샘플을 농축할 때 고려해야 할 변수에 대한 광범위한 연구를 수행하였다. 가시화가 용이한 형광염료로 음전하를 띄는 Alexa Fluor 488과 양전하를 띄는 Rhodamine 6G을 샘플로 사용하여, 타겟 샘플이 포함된 메인 채널의 유속과 메인/버퍼 채널의 농도, 전압 등이 샘플 농축에 어떻게 영향을 끼치는지 알아보았다. 실험 결과, 메인/버퍼 채널 농도비가 같을 경우, 유속이 느릴수록, 샘플이 포함된 메인 채널의 농도가 높을수록, 타겟 샘플의 농축이 훨씬 더 잘 일어난다는 사실을 알 수 있었다. 또한 본 연구를 통해 Alexa Fluor 488과 Rhodamine 6G의 전기영동 이동도 값을 실험적으로 계산하여 비교하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제14권1호
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• pp.191-196
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• 2010

본 연구에서는 타겟 제작에 드는 비용을 줄이고, 타겟 이용의 효율성을 높이기 위해 기존의 소결된 세라믹 타겟 대신 분말 타겟으로 사용하여 알루미늄 도핑된 산화아연(Aluminum doped zinc oxde; AZO)박막을 마그네트론 스퍼터법에 의해 제조하고, 스퍼터 압력에 따른 박막 물성을 조사하였다. 유리 기판에 증착된 AZO 박막은 타깃 종류 및 스퍼터 압력에 관계없이 기판에 수직한 c-축 방향으로 우선 성장방위를 갖는 hexagonal 구조로 성장되었다. 스퍼터 압력이 증가함에 따라 이 면 방향으로의 결정성장이 촉진되었다. AZO 박막의 전기적, 광학적 특성은 스퍼터 압력 증가에 따라 향상되었으며, 15 mTorr에서 $6.5{\times}10^{-1}\;{\Omega}-cm$의 최소의 비저항 값을 나타내었다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신설비학회 2008년도 정보통신설비 학술대회
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• pp.211-217
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• 2008

현재 무선 환경에서 이동성을 제공하려는 노력은 다양한 계층의 프로토콜에서 활발히 진행이 되고 있으며 이중에서도 IP 서브넷이 변경 되어도 이동성이 제공 가능한 IP 이동성 기술이 다양한 계층의 이동성 프로토콜 중에서도 가장 활발히 연구가 이루어지고 있다. IP 이동성 기술은 Mobile IP(MIP)가 나온 이후에 핸드오버 지연을 개선한 Hierarchical MIP 및 Fast MIP 등 다양한 타입으로 확장되어 연구가 진행 중에 있다. 그러나 MIP의 경우는 단말에 MIP Client 스택이 탑재 되어야 하고 단말의 전력 소모 및 HO 지연 크다는 단점 등으로 인하여 기술이 활성화되는데 한계성을 지녀 왔다. 따라서 최근에는 이를 개선한 Proxy MIP 관련 연구들이 활발히 이루어지고 있으며 또한 IP 계층 이동성 기술만으로는 성능 개선에 한계가 있다고 보고 다양한 계층의 이동성 기술과 연동을 하려는 시도도 동시에 이루어지고 있다. 따라서 본 논문에서는 타 계층에서 제공되는 MIH 프로토콜 기능을 활용하여 802.11 WLANs 환경에 Proxy MIPv4를 적용하여 이동성을 제공 시 발생하는 핸드오버 지연 요소를 최소화 하였다. 제안된 메커니즘은 MIH가 제공하는 Event, Command, Information 서비스를 활용하여 단말이 새로운 Target 망에 접속하기 이전에 인증 Key 교환 기법을 통해 핸드오버 시 발생하는 인증 지연을 최소화하였으며 추가적으로 Inter-AP간 Tunneling 및 Forwarding 기법을 적용하여 핸드오버 시 발생되는 Packet 손실을 최소화 하는 성능 향상 방안을 제안하였다.

• 정보통신설비학회논문지
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• 제10권4호
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• pp.121-127
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• 2011

Many peer-to-peer (p2p) systems have been studied in distributed, ubiquitous computing environments. Distributed hash table (DHT)-based p2p systems can improve load-balancing even though locality utilization and user mobility are not guaranteed. We propose a mobile locality-based hierarchical p2p overlay network (MLH-Net) to address locality problems without any other services. MLH-Net utilizes mobility features in a mobile environment. MLH-Net is constructed as two layers, an upper layer formed with super-nodes and a lower layer formed with normal-nodes. Because super-nodes can share advertisements, we can guarantee physical locality utilization between a requestor and a target during any discovery process. To overcome a node failure, we propose a simple recovery mechanism. The simulation results demonstrate that MLH-Net can decrease discovery routing hops by 15% compared with JXTA and 66% compared with Chord.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권4호
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• pp.304-308
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• 2012

Transparent thin film transistors (TTFT) were fabricated using the rf magnetron sputtered ZnO-$SnO_2$ films as active layers. A ceramic target whose Zn atomic ratio to Sn is 2:1 was employed for the deposition of ZnO-$SnO_2$ films. To study the post-annealing effects on the properties of TTFT, ZnO-$SnO_2$ films were annealed at $200^{\circ}C$ or $400^{\circ}C$ for 5 min before In deposition for source and drain electrodes. Oxygen was added into chamber during sputtering to raise the resistivity of ZnO-$SnO_2$ films. The effects of oxygen addition on the properties of TTFT were also investigated. 100 nm $Si_3N_4$ film grown on 100 nm $SiO_2$ film was used as gate dielectrics. The mobility, $I_{on}/I_{off}$, interface state density etc. were obtained from the transfer characteristics of ZnO-$SnO_2$ TTFTs.

• 한국표면공학회지
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• 제40권3호
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• pp.144-148
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• 2007

To prepare the transparent electrode for electronic devices such as flat panel or flexible displays, solar cells, and touch panels; tin doped $In_2O_3$ (ITO) films with low resistivity and a high transparency were fabricated using a facing target sputtering (FTS) system at the various oxygen gas flow rate. The carrier concentration and mobility of ITO films were measured by Hall Effect measurement. And the transmittance was measured using the UV-VIS spectrometer. As a result, we can obtain the ITO thin films prepared at 10% oxygen gas flow ratio, thickness 150 nm with transmittance 85% and resistivity $8.1{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ and surface roughness 5.01 nm.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권7호
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• pp.527-534
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• 1998

Thin film deposition of InN, which is a less-studied III-nitride compound semiconductor because of the difficulty if crystal growth, was performed by rf reactive sputtering method using In target and $N_2$reactive gas. The structrual, electrical, and optical properties of the produced films were measured and disussed according to the sputtering parameters such as deposition pressure, rf power, and substrate temperature. From the result of deposition pressure, rf power, and substrate temperature, we could obtain optimal conditions of 5m Torr, 60W, $60^{\circ}C$ for preparing InN thin film with high crystallinity, low carrier concentration, and high Hall mobility. The carrier concentration, Hall mobility, and optical bandgap of the fabricated InN thin films at optimal condition were $6.242\times10^{18}cm^{-3}, 212.526cm^2/V\cdot$ｓ, and 1.912eV, respectively.