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새로운 구조의 나노급 ESD 보호소자 설계 및 제작에 관한 연구 (A Study on the Novel SCR NANO ESD Protection Device Design and fabrication)

  • 김귀동;이조운;박상조;이윤식;구용서
    • 전기전자학회논문지
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    • 제9권2호
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    • pp.161-169
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    • 2005
  • 본 연구에서는 보다 낮은 트리거 전압을 갖는 새로운 구조의 LVTSCR과 Triple-well SCR ESD 보호회로를 제안 및 설계하여 나노급 회로에 적용하고자 하였다. 제안된 LVTSCR은 약 9V, 약 7mA의 트리거 전압과 전류 및 약 7mA의 홀딩전압 특성을 가지며, 0.8KV(150mA/um) 정도의 ESD 감내 특성을 나타낸다. 한편 Triple-well SCR은 6V, 40mA의 트리거 전압을 가지며, substrate 및 gate 바이어스에 의해 트리거 전압이 4-5.5V 까지 감소하였다.

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