• 한국세라믹학회지
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• 제45권6호
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• pp.345-349
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• 2008

$TiO_2$ coating ceramic tile for self-cleaning purpose was prepared by the precipitant dropping method using $TiCl_4$ as a precursor. $TiO_2$ film was formed on the ceramic tile by spray-coating technique and heat-treated at $500^{\circ}C$ for 1 h. The size and crystalline structure of $TiO_2$ particles were 15.3 nm and anatase phase. The outdoor exposure tests were conducted and the effects of outdoor exposure test conditions, such as exhaust concentration of contamination materials (test places), the UV light intensity (irradiation direction) and coating amounts of $TiO_2$ on the self-cleaning properties were investigated by the brightness measurements. As a results, self-cleaning property of $TiO_2$ coating tile was affected by the coating amount of $TiO_2$ however, not affected by the UV light intensity included in sun's ray (irradiation direction). $TiO_2$ coating ceramic tile can be utilized for exterior finishing materials because of self-cleaning property of $TiO_2$ coating tile.

• 한국자기학회지
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• 제9권6호
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• pp.278-284
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• 1999

Mn-Zn ferrites에 TiO2가 첨가될 때 전력손실, 밀도, 초기투자율, 저항, 그리고 미세구조의 변화를 관찰하였다. 첨가량이 증가함에 따라 밀도는 증가했지만, 초기투자율은 감소하였다. TiO2의 첨가에 따라 electron hopping을 일으키는 활성화에너지와 전기저항이 증가하였다. 115$0^{\circ}C$에서 소결한 TiO2를 1.5 wt% 첨가한 시편은 1 MHz, 25 mT, 8$0^{\circ}C$에서 83 mW/㎤의 전력손실을 나타내었다. 그러나 120$0^{\circ}C$에서 소결할 때는 과대입성장이 발생하여 같은 측정 조건에서 1168 mW/㎤의 전략손실을 얻었다.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제18권1호
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• pp.60-66
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• 2001

Allylaliphatic carboxylate oligomers were prepared from polymerization giving allyl aliphatic carboxylates in the presence of potassium persulfate in methanol and the ${\alpha}-sulfonation$ of these allyl aliphatic carboxylates oligomers were carried by direct addition of dry sulfur trioxide. The dispersing performance of oligomer type anionic surfactants and SDS in the aqueous suspension of $Fe_{2}O_{3}$ and $Tio_{2}$ particles were evaluated by particle size distribution and ${\zeta}-potential$ measurement. As results, the particles of $Fe_{2}O_{3}$ and $Tio_{2}$ were flocculated by addition of small amount of oligomer type anionic surfactants and SDS, then the flocks redispersed by more addition oligomer type anionic surfactants and SDS. The dispersion and flocculation were observed in lower concentration range of oligomer type anionic surfactants than SDS.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.30-30
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• 2000

당사는 각종 진공 장비를 개발/제작한 경험을 바탕으로 25년 동안 진공 산업 발전에 기여하여 왔으며 자체 기술로 HIGH VACUUM 응용시스템 설계 및 제작하고 있다. 이와 함께 3D CAD를 이용한 consulting 및 Modeling 분석을 수행하여, 자체 기술로 설계 및 제작 판매하고 있다. Vacuum System은 In-line System (ITO, SiO2, Cr Tio2, Ag, Al 등), Roll to Roll(Web) Sputtering system (ITO, SiO2, Ar, Metal 등), 유기 EL 박막 진공 증착 장치, PECVD System, Evaporator 시스템 등을 제작 공급하고 있다. 현재 Roll to Roll(Web) Sputtering System은 Dual Cathode를 사용하는 방식으로 개발중에 있으며, 평판 디스플레이용 대면적 Glass를 위한 In-line Sputtering System을 같이 개발하고 있다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 IUMRS-ICEM ABSTRACT BOOK
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• pp.41.1-41
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• 1998

• 한국재료학회지
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• 제4권4호
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• pp.453-458
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• 1994

256Mb DRAM에서 박막 커패시터로의 적용을 위해서$(Ba_{0.5}Sr_{0.5)/TiO_3$(BST)박막이 RF Magnetron Sprttering방법에 의해 제조되었다. BST박막의 결정화도는 기판온도가 높아짐에 따라 증가하였고 증착된 박막의 조성은 $(Ba_{0.48}Sr_{0.48)/TiO_{2.93}$이었다. 이때 Pt/Ti장벽층은 Si의 BST계면으로의 확산을 억제하였다. 100kHz에서의 유전상수 및 유전손실은 각각 320 및 0.022이었다. 인가전계도 (Charge Storage Density)는 40fC/$\mu \textrm{m}^{2}$, 누설전류밀도(Leakage Current Density)는 0.8$\mu A/\textrm{cm}^2$ 로서 RF Matnetron sputtering방법에 의해 제조된 BST 박막이 256Mb DRAM 적용 가능함을 보였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권4호
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• pp.15-24
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• 2000

고유전 커패시터의 유전완화 특성은 시간영역에서 나타나는 커패시터의 동적특성으로 이해될 수 있으며 이것은 DRAM의 재충전 시간동안 충전된 전하를 잃어버리는 가장 주된 요인으로 인식된다. 그러므로 DRAM 동작에 미치는 영향을 고려하기 위하여 고유전 커패시터의 유전완화에 대한 등가회로를 만드는 것이 필수적이다. 그러나 아직까지 등가회로를 만들 수 있는 일반적이고 이론적인 방법이 제시되지 않고 있다. 근 본 연구에서는 고유전 커패시터의 등가회로를 주파수 영역에서 모델링하는 새로운 방법을 개발하였다. 이 방법은 이론적인 체계를 갖춘 일반적인 방법이다. 또한, 본 연구에서는 실험과정을 통해서 이 방법의 타당성으로 확인하였고, 궁극적으로 새로운 방법으로 얻어진 등가회로를 활용하여 유전완화가 DRAM 동작에 미치는 영향을 고찰하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제45권6호
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• pp.331-335
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• 2008

The purpose of this study is to characterize the photo-catalytic efficiency of $TiO_2$ nanotube with respect to the distribution of anatase phase which can be changed by the annealing temperature of $TiO_2$ nanotube. $TiO_2$ nanotube was fabricated by the anodization method in the 0.5 wt% HF electrolyte. And then the $TiO_2$ nanotube was annealed at temperatures ranging from $380^{\circ}C$ to $780^{\circ}C$ in dry oxygen ambient for 2 h. For the photo-catalytic water-splitting tests, the photocurrent density was measured as a function of applied potential with a potentiostat using a Ag/AgCl reference, Pt counter electrode, and 1 M KOH electrolyte under illumination of UV by a Xe arc lamp of 1 KW. According to the UV photo-catalytic water-splitting tests, the nanotube annealed at $560^{\circ}C$ was found to show the highest photocurrent density.

• 한국재료학회지
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• 제4권7호
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• pp.798-807
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• 1994

$BaTio_{3}$에 Ca가 첨가되면 상온 저항을 증가시키며 이는 $Ca^{2+}$가 $Ti^{4+}$를 치환하여 acceptor 불순물을 형성하기 때문이라고 생각된다. 그러나 $Ca^{2+}$는 $Ti^{4+}$보다 이온 반경이 크므로 그 자리를 치환하지 않는다는 주장도 있다. 본 실험에서는 $BaTiO_{3}$에 의한 acceptor가 존재하는지 알아보기 위하여 Ba/(Ti+Ca+Nb)=1이 되도록 Ca와 Nb를 첨가하여 산소 분압의 변화에 따른 고온 평형 전기 전도도를 측정하였다. 측정은 $1000^{\circ}C$에서 행하였으며 산소 분압은 $10^{-15}$ ~ 1 기압의 범위에서 조절하였다. 첨가된 Ca와 Nb의 농도를 변화시킨 결과, acceptor와 donor의 상호 보상 효과가 나타났다. 즉, Nb에 의한 donor를 보상하는 acceptor가 존재함을 확일하였고, 전도도 곡선의 결함 화학적인 해석에 의하여 Ca가 Ti자리를 치환함을 알았다. 이러한 acceptor의 존재는 ICTS에 의해서도 확인되었다.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• 제3권2호
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• pp.139-144
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• 1999

Hydrogen concentration depth profiles in homoepitaxial Si(001) films grown from hyper-thermal Si beams generated by ultrahigh vacuum (UHV) ion-beam sputtering have been measured by nuclear reaction analyses as a function of film growth temperature and deposition rate. Bulk H concentrations CH in the crystalline Si layers were found tio be below detection limits, 1${\times}$1019cm-3, with no indication of significant H surface segregation at the crystalline/amorphous interface region. This is quite different than the case for growth by molecular-beam epitaxy (MBE) where strong surface segregation was observed for similar deposition conditions with average CH values of 1${\times}$1020cm-3 in the amorphous overlayer. The markedly decreased H concentrations in the present experiments are due primarily to hydrogen desorption by incident hyperthermal Si atoms. Reduced H surface coverages during growth combined with collisionally-induced filling of interisland trenches and enhanced interlayer mass transport provide an increase in critical epitaxial thicknesses by up to an order of magnitude over previous MBE results.