• 공업화학
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• 제26권4호
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• pp.400-405
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• 2015

Tetraethylorthosilicate (TEOS)를 전구체로서 이용하여 제조된 기존의 반사방지(AR; anti-reflective) 코팅막은 대부분 수분을 쉽게 흡수할 뿐만 아니라 낮은 내마모성을 갖는다. 본 연구에서는 AR 코팅막의 투과율, 소수성 및 내마모성을 향상할 목적으로 전구체로서 methyltrimethoxysilane (MTMS)를 사용하고 불소 실란, 산 촉매, 염기 촉매 및 산-염기 2단계 촉매를 첨가하여 다양한 AR 코팅막을 제조하였다. 제조된 AR 코팅막은 UV-Vis, 접촉각 측정기, AFM, 연필경도 및 부착성 시험을 통해 특성을 분석하였다. 그 결과, 경화온도가 $300^{\circ}C$일 때 코팅되지 않은 유리 기판의 투과율은 90.5%인 반면, AR 코팅된 유리 기판의 투과율은 94.8%로 증가하였다. 불소 실란을 첨가한 경우, 소수성이 크게 향상되었음을 나타내듯이 AR 코팅막 표면에서의 접촉각은 $96.3^{\circ}$에서 $108^{\circ}$까지 증가하였다. AR 코팅막의 내마모성은 산 촉매에 의해 향상되었으며, 그것의 투과율은 염기 촉매에 의해 증가하였다. 산-염기 2단계 촉매 반응에 의해 제조한 AR 코팅막의 경우, 상승 효과에 의해 촉매의 도입 없이 제조된 AR 코팅막과 비교하여 투과율 및 내마모성이 향상되었다.

• 멤브레인
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• 제24권3호
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• pp.177-184
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• 2014

본 연구에서 고투과도를 갖는 실리카 분리막은 콜로이달 실리카 졸과 고분자형 실리카 졸 두 가지를 DRFF법과 SRFF법으로 다공성 금속 지지체 위에 코팅하여 제조되었다. 실리카 졸은 졸-겔법으로 테트라에톡시실란(TEOS)에 의하여 제조되었고, 각각의 졸은 동적광산란법(DLS), 전계방사 주사전자현미경(FE-SEM), 질소 흡착법 등을 이용하여 그 특성을 평가하였다. 다공성 금속 지지체위에 콜로이달 실리카 졸로 중간층을 형성하여 치밀한 구조의 실리카 층을 형성한 후 그 위에 분리층으로 고분자형 실리카 졸을 코팅하여 핀홀을 줄이는 방법으로 기체분리용 분리막을 제조하였다. FE-SEM으로 분리막의 코팅 층을 분석한 결과 분리층은 중간층보다 침밀한 구조를 가지고 있음을 확인하였고 기체투과 결과 수소 투과도 $(6.63-9.21){\times}10^{-5}mol{\cdot}m^{-2}{\cdot}s^{-1}{\cdot}Pa^{-1}$ 분포를 보였다.

• 한국광학회지
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• 제6권3호
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• pp.233-238
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• 1995

Low Pressure Chemical Vapor Deposition으로 TEOS, TMPate, $PH_{3}$을 이용하여 Si을 기판으로한 집적광학용 $P_{2}$$O_{5}$ $-SiO_{2}$(PSG)박막을 만들었으며 P첨가제인 TMPate와 P $H_{3}$의 사용에 따른 증착률, 굴절률, 균일도 등의 특성을 조사 및 비교하였다. TMPate에 의한 PSG박막은 증착률이 $55 \AA/min$으로 $PH_{3}$에 의한 PSG박막의 값인 90.angs./min보다 작았으며 상대적으로 TMPate-PSG의 두께 균일도는 2%로 $PH_3-PSG$의 값인 4.5%보다 작아 균일도면에서 훨씬 우수하였다. TMPate-PSG의 굴절률은 파장 633nm에서 1.445-1.468 이였으며 $PH_3-PSG$는 1.459-1.476으로 TMPate-PSG 보다 높은 굴절률 값을 얻을 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제6권2호
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• pp.103-108
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• 1997

본 연구에서는 2단계 실리콘 건식식각 공정과 게이트 절연막으로 열산화막과 tetraethylorthosilicate(TEOS) 산화막의 이중막을 사용하고, 스핀-온-그래스 (Spin-on-glass:SOG) 에치백(etch-back) 공정에 의하여 게이트를 제작하는 새로운 방법을 통하여 실리콘 전계방출소자를 제작하고 그 특성을 분석하였다. 게이트 절연막의 누설전류 를 감소시키면서 팁과 게이트의 간격을 줄이는 구조인 이중 게이트 절연막을 형성하기 위하 여 팁 첨예화 산화 공정후 낮은 점도의 감광막(photo resist)을 시료에 도포한 후, $O_2$ 플라 즈마 에싱(ashing)하는 공정을 채택하였다. 이러한 공정으로 제작된 에미터 팁의 높이와 팁 반경은 각각 1.1$\mu\textrm{m}$와 100$\AA$정도이었으며, 256개 팁 어레이에서 전계방출의 문턱전압은 40V 이하이었다. 60V의 게이트전압에서 23$\mu\textrm{A}$(즉, 90nA/팁)의 높은 아노드 전류를 얻을 수 있었 다. 이때, 게이트 전류는 아노드전류의 약0.1%이하였다. 개발된 공정기술로 게이트 개구도 크게 감소시켰을 뿐 아니라, 게이트 누설전류를 현저히 감소시켰다.

• 한국세라믹학회지
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• 제46권1호
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• pp.69-73
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• 2009

We report the preparation of nanocrystalline cobalt ferrite, $CoFe_2O_4$ particles and their surface coating with silica layers using micro emulsion method. The cobalt ferrite nanoparticles with the size 7nm are firstly prepared by thermal decomposition method. Hydrophobic nanoparticles were coated with silica using micro-emulsion method with surfactant, $NH_4OH$, and tetraethylorthosilicate (TEOS). Monodispersed and spherical silica coated cobalt ferrite nanoparticles have average particle diameter of 38 nm and narrow sized distribution.

• 한국정밀공학회지
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• 제14권12호
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• pp.153-159
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• 1997

A thermally-driven polysilicon microactuator has been fabricated using surface micromachining techniques. It consists of P-doped polysilicon as a structural layer and TEOS(tetraethylorthosilicate) oxide as a sacrificial layer. The polysilicon was annealed for the relaxation of residual stress which is the main cause to its deformation such as bending and buckling. And newly developed HF GPE(gas-phase etching) process was also employed to eliminate the troublesome stiction problem using anhydrous HF gas and CH$_{3}$OH vapor, and successfully fabricated the microactuators. The actuation is incurred by the thermal expansion due to the current flow in the active polysilicon cantilever, which motion is amplified by lever mechanism. The moving distance of polysilicon microactuator was experimentally conformed as large as 21 .mu. m at the input voltage level of 10V and 50Hz square wave. The actuating characteris- tics are also compared with the simulalted results considering heat transfer and thermal expansion in the polysilicon layer. This microactuator technology can be utilized for the fabrication of MEMS (microelectromechanical system) such as microrelay, which requires large displacement or contact force but relatively slow response.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권8호
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• pp.2367-2370
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• 2014

"Cat's eye"-shaped $[^{57}Co]CoO@SiO_2$ core-shell nanostructure was prepared by the reverse microemulsion method combined with radioisotope technique to investigate a potential imaging agent for a single photon emission computed tomography (SPECT) in nuclear medicine. The core cobalt oxide nanorods were obtained by thermal decomposition of $Co-(oleate)_2$ precursor from radio isotope Co-57 containing cobalt chloride and sodium oleate. The $SiO_2$ coating on the surface of the core cobalt oxide nanorods was produced by hydrolysis and a condensation reaction of tetraethylorthosilicate (TEOS) in the water phase of the reverse microemulsion system. In vivo test, micro SPECT image was acquired with nude mice after 30 min of intravenous injection of $[^{57}Co]CoO@SiO_2$ core-shell nanostructure.

• 환경위생공학
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• 제13권3호
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• pp.58-65
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• 1998

Monodispersed $SiO_2/ZnO$ composite fine powders were prepared by Sol-Gel processing and their surface electrical and UV absorbance properties were investigated. Pseudomorph ZnO fine powders were microcapsuled by $SiO_2/ZnO$ sol fabricated using TEOS[tetraethylorthosilicate, purity 98% and ethanol as a solvent with $NH_3$ catalyst. The effects of experimental parameters such as molar ratio of starting materials on the final particle size and shape of $SiO_2/ZnO$ composite fine powder were discussed. As a result, we could controlled the size of monodispersed $SiO_2/ZnO$ composite fine powders without agglomeration, as well as the good dispersibility in aquous solution. The prepared powders were observed to have the mean particle sizes of $0.26-0.78{\mu}m$ with standard deviations of $0.020-0.063{\mu}m$.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제31권12호
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• pp.3668-3674
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• 2010

Mesoporous SBA-15 was synthesized using tetraethylorthosilicate (TEOS) as the silica source and Pluronic (P123) as the structure-directing agent. The defective Si-OH groups present in SBA-15 were successively grafted with 3-chloropropyltrimethoxysilane (CPTMS) followed by tris-(2-aminoethyl) amine (TAEA) and/or tetraethylenepentamine (TEPA) for effective immobilization of silver nanoparticles. Grafting of TAEA and/or TEPA amine and immobilization of silver nanoparticles inside the channels of SBA-15 was verified by XRD, TEM, IR and BET techniques. The silver nanoparticles immobilized on TAEA and /or TEPA grafted SBA-15 was subjected for electrocatalytic reduction of hydrogen peroxide ($H_2O_2$). The TEPA stabilized silver nanoparticles show higher efficiency for reduction of $H_2O_2$ than that of TAEA, due to higher number of secondary amine groups present in TEPA. The amperometric analysis indicated that both the Ag/SBA-15/TAEA and Ag/SBA-15/TEPA modified electrodes required lower over-potential and hence possess high sensitivity towards the detection of $H_2O_2$. The reduction peak currents were linearly related to hydrogen peroxide concentration in the range between $3{\times}10^{-4}\;M$ and $2.5{\times}10^{-3}\;M$ with correlation coefficient of 0.997 and detection limit was $3{\times}10^{-4}\;M$.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권6호
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• pp.580-585
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• 2004

Silicon dioxide (SiO$_2$) is widely used as a gate dielectric material for thin film transistors (TFT) and semiconductor devices. In this paper, SiO$_2$ films were grown by APCVD(Atmospheric Pressure chemical vapor deposition) at the high temperature. Experimental investigations were carried out as a function of $O_2$ gas flow ratios from 0 to 200 1pm. This article presents the SiO$_2$ gate dielectric studies in terms of deposition rate, refrative index, FT-IR, C-V for the gate dielectric layer of thin film transistor applications. We also study defect passivation technique for improvement interface or surface properties in thin films. Our passivation technique is Forming Gas Annealing treatment. FGA acts passivation of interface and surface impurity or defects in SiO$_2$ film. We used RTP system for FGA and gained results that reduced surface fixed charge and trap density of midgap value.