• Applied Microscopy
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• 제34권2호
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• pp.95-102
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• 2004

본 실험에서는 tripod polishing 방법을 이용하여 Pd/GaN/Sapphire 박막, PZT/MgO/Si 박막, 304 stainless steel 분말, $Mo_5Si_3/Mo_2B$ diffusion couple의 매우 다양한 물성이 포함된 불균질 재료의 TEM 시편을 제작하고 분석하였다. Tripod polishing을 사용하여 시편을 준비하면 시편의 종류에 관계없이 시편의 선단부에 매우 광범위한 전자빔 투과 영역을 지닌 TEM 시편을 얻을 수 있었으며, Pd/GaN/Sapphire 박막, PZT/MgO/Si 박막과 같이 기판이 경한 반도체 재료의 경우에는 연마 정도가 균일하며 연마과정 동안 오염이 심하지 않기 때문에 ion milling으로 cleaning 없이 TEM 관찰이 가능하다. 한편 304 stainless steel 분말과 같은 금속재료의 경우 짧은 시간의 ion milling 은 시편의 오염 제거에 도움된다. $Mo_5Si_3/Mo_2B$ diffusion couple에 형성된 실리사이드는 큰 취성 때문에 polishing 동안 시편이 깨지는 현상으로 전자가 투과할 수 있을 정도의 연마가 불가능하여 1시간 정도 ion milling 연마가 필요하다. Tripod polishing으로 TEM 시편을 준비하면 분석하고자 하는 지역을 정확하고도 넓게 연마할 수 있다. 또한 비교적 짧은 시간 내에 ion milling 없이 TEM 시편을 제작할 수 있기 때문에 ion milling에서 유발되는 여러 가지 문제점들을 해결할 수 있는 장점이 있었다. 그러나 tripod polishing은 전부 수작업으로 시편을 준비하기 때문에 시편을 제작하는 과정 동안 매우 세심한 주의가 요구되며 제작자의 숙련도와 경험을 필요로 하는 단점이 있다.

• 한국지열·수열에너지학회논문집
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• 제16권3호
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• pp.1-7
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• 2020

To provide a design direction for high efficiency thermoelectric module(TEM) dehumidifiers, the effects of design factors of TEM dehumidifiers on dehumidification energy efficiency and performance were numerically investigated. The design factors considered in this study are the TEM capacity, the performance of heat exchangers on the heating and cooling surfaces of the TEM. The higher capacity of the TEM results the higher dehumidification energy efficiency and performance at some operating voltage. The enhanced performance of the heat exchanger on heating surface increased the dehumidification energy efficiency and performance at all the operating voltage. The enhanced performance of the heat exchanger on cooling surface decreased the dehumidification energy efficiency and performance at all operating voltage.

• Journal of Multimedia Information System
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• 제1권2호
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• pp.127-132
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• 2014

The transverse electromagnetic (TEM) cells are widely used for electromagnetic compatibility (EMC) testing and field probe calibrations. We propose the verification of TEM mode with statistical method using a four-port TEM cell. The verification results are compared with Normal, Rayleigh, and Gamma distribution. As a result, the 75 % quantile of the Rayleigh distribution is excellent agreement with the true quantiles for a number of calibration points.

• 지질공학
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• 제21권3호
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• pp.213-219
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• 2011

간척지를 대상으로 시간영역 전자 탐사를 수행하였다. 간척에 사용한 준설 토양은 인접 바다에서 채취한 해양 퇴적물 점토로서, 현재 준설층은 상부의 일부분만 고결된 상태이고, 그 하부는 점토와 해수가 혼재된 미고결 상태이다. 해양기원 퇴적 점토는 일반적으로 0.3 S/m 이상의 매우 높은 전기전도도를 갖는다. 연구지역은 암반 상부에 전도성 표토층이 두껍게 존재하는 환경으로서, TEM 탐사를 실시하여 전도성 표토층 하부에 존재하는 기반암의 공간적 분포를 파악하였다. TEM 탐사에서 사용된 송수신 배열은 $30m{\times}30$ m 동위치 송수신 배열이고, SIROTEM MK3의 이른 지연 시간대(0.050~20.575 ms)에서 TEM 반응을 측정하였다. TEM 자료에 대한 역산 결과를 시추 자료와 비교한 결과, 해성 점토로 구성된 준설층과 원지반 퇴적층의 전기비저항 값은 약 2 ${\Omega}$-m 이하로 해석된다. 퇴적층 하부에 존재하는 풍화암은 약 $10{\sim}20\;{\Omega}-m$ 범위의 전기비저항 값을 보이며, 연암은 약 70 ${\Omega}$-m 이상의 값을 갖는다. 지표로부터 풍화암까지의 심도는 26~58 m 범위이며, 풍화암의 하부에 분포한 연암의 심도는 지표로부터 46~75 m 범위를 보였다.

• 한국재료학회지
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• 제5권2호
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• pp.184-190
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• 1995

IN 617의 시편으로 1073K의 온도에서 주로 107과 180MPA의 응력에서 $\varepsilon$=0.03-0.30까지 정압크립변형을 하여, 투과전자현미경(TEM)에서 약 십만배의 배율로 아결정립의 전위간 거리 s를 측정하고, TEM에서 측정이 불가능한 경우, 아결정립계가 이루는 각도 ($\theta$_{s}=sin^{-1}$(b/s))를 Kikuchi line을 이용하여 측정하였다. TEM에서 직접 구한 s 값들을 $\theta$_{s}$값으로 환산하여, Kikuchi line으로 측정한 $\theta$_{k}$값을 비교한 결과 거의 같았다.즉, TEM에서 s의 측정이 불가능할 때, $\theta$_{k}$를 측정하여 s값으로 사용하여도 됨을 알 수 있었다.

• Applied Microscopy
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• 제25권1호
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• pp.130-138
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• 1995

TEM specimen preparation methods have been examined to characterize Cu oxide particles in the polyimide film. Polyimide films were prepared by coating polyamic acid onto Cu films which had been deposited on TEM-mask and glass substrates and Cu foil, followed by thermal curing. In case of TEM-mask, direct observation was possible without further preparation. In other cases, TEM specimen were made by separating polyimide film from the substrate. Polyimide films were removed from glass and Cu foil by dissolving glass in HF solution and Cu foil in $H_{2}SO_{4}$ solution. TEM-mask observation confirms that fine $Cu_{2}O$ particles precipitate in the polyimide as a result of reaction of polyamic acid with Cu. However $Cu_{2}O$ particle reacts with HF and $H_{2}SO_{4}$ solution during dissolving the substrate and interpretation could be misled. It is concluded characterization of $Cu_{2}O$ particle in polyimide using TEM-mask is better than other methods.

• 미생물학회지
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• 제36권3호
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• pp.221-227
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• 2000

본 연구는 등전점과 PCR 생성물을 통하여 광범위 $\beta$-Lactamase(ESBL) 를 생성하는 Klebsiella pneumoniae의 ESBL 유형을 결정하였다. 부산시내 소재 3개 종합병원의 임상검체로부터 20균주의 ESBL 을생성하는 Klebsiella pneumoniae를 분리하였다. 제 3세대 cephalosporin인 cefotaime, cef-tazidime, ceftriaxone으로 double disk synergy test를 시행하여 ESBL 생성균주를 확인하였다. 등전점 및 PCR결과 TEM 형 (pI 5.2~6.0, 1080 bp), TEM+SHV 혼합형(pI 5.2~6.0 및 pI 7.0~7.4 로 1080 bp, 599bp), SHV형 (pI 7.0~ 7.4, 599 bp) , 그리고 PCR결과는 SHV형으로 나타났으나 등전점을 나타내지 않는 것과 등전점 및 PCR 결과 어느 쪽에도 속하지 않는 non TEM non SHV 형 등 5개군으로 나뉘어 졌다.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제47권2호
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• pp.8-12
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• 2010

TEM(Transmission Electrion microsopy) 투과전자현미경은 재료의 기초 구조 분석과 반도체 또는 생물시편의 미세 구조분석에 널리 사용되는 장비이다. TEM 분석은 필수적으로 목적에 부합되는 적절한 시편제작이 수반되어야 한다. 다양한 전자 현미경 시편 제작 방법 중 본 논문에서는 FIB(Focus Ion Beam)를 이용한 시편 제작법 중 시편에 입사되는 에너지와 이온 Gun과 시편과의 상호 각도, 이온 밀링 깊이 조절 등의 실험을 통하여 표면 손상 최소화를 벌크 웨이퍼와 패턴화된 시편에서 실험하였다. 최소화된 표면 영향성(약 5nm)을 패턴화된 시편에 구현하였다.

• 한국재료학회지
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• 제13권9호
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• pp.598-605
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• 2003

The optimized conditions for the cross-sectional TEM sample preparation using tripod polisher and ion-beam miller was confirmed by AFM and TEM. For the TEM observation of interfaces including InGaN layers like InGaN/GaN MQW structures, the sample preparation by the only tripod polishing was useful due to the reduction of artifacts. On the other hand, in case of the thick nitride films like ELO, PE, and superlattice, both tripod polishing and controlled ion-beam milling were required to improve the reproducibility. As a result, the ion-beam milling with the $60^{\circ}$modulation showed the minimum height difference between film and sapphire interface and the ion-beam milling of the $80^{\circ}$modulation showed the broad observable width.

• 한국재료학회지
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• 제3권2호
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• pp.193-196
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• 1993

A procedure for preparing cross-sectional specimens for transmission electron microscopy(TEM)by focused ion beam(FIB)milling of specific regions of semiconductor devices is outlined. This technique enables TEM specimens to be pripared at precisely preselected area. In-situ #W thin film deposition on the top surface of desired site is complementally used to secure the TEM specimens to be less wedge shaped, which is main shortcoming of previous FIB-assisted TEM sample preparation technique. This technique is quite useful for the TEM sample priparation for fault finding and the characterization of fabrication process associated with submicron contact technologies.