• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.34 no.2
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• pp.175-180
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• 1997

새로운 복합페로브스카이트계 고용체 (1-x)Ba(Mg1/3Ta2/3)O3-xLa(Mg2/3Ta1/3)O3(x=0.0-1.0)를 설계하고 조성에 따른 고용체의 결정구조의 변화 및 MPB(Morphotropic Phase Boundary)를 분말 XRD를 이용하여 분석하였다. 초격자회절선의 변화로부터 MBT에 10mol%의 LMT를 치환함에 따라 1:2에서 1:1로의 규칙화타입의 전이가 일어남을 알 수 있었다. 면심입방정구조 영역(0.10.8조성의 경우, 주회절선의 피이크분리 및 새로운 회절선들로부터 격자비틀림의 형태가 단사정임을 알 수 있었다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.5 no.1
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• pp.111-118
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• 1998

본 연구에서는 차세대 집적회로 device의 배선재료로서 사용될 가능성이 높은 Cu 금속을 무전해 도금으로 증착시킨 후 집적회로 공정에 필요한 열적 안정성에 대하여 고찰하 였다. MOCVD방법으로 Si 기판위에 TaN 박막을 확산 방지막으로 증착시킨 다음 무전해도 금으로 Cu막을 증착시켜 Cu/TaN/Si 구조의 다층박막을 제조하여 H2 환원 분위기에서 열처 리시킴으로서 열처리 온도에 따른 Cu 박막의 특성과 확산방지막 TaN와의 계면반응 특성에 대하여 고찰하였다. 활성화 처리와 도금용액의 조절을 적절히 행함으로서 MOCVD TaN 박 막위에 적당한 접착력을 지닌 Cu 박막층을 무전해 도금법을 사용하여 성공적으로 증착시킬 수 있었다. XRD, SEM 분석결과에 의하면 H2 환원분위기에서 열처리시켰을겨우 35$0^{\circ}C$~ $600^{\circ}C$ 범위에서 결정립 성장이 일어나 Cu 박막의 미세구조 특성이 개선됨을 알수 있었다. 또한 XRD, AES 분석에 의하여 열처리 온도에 따른 계면반응 상태를 조사해본 결과 $650^{\circ}C$ 온도에서는 Cu 원자가 TaN 확산방지막을 통과하여 Si 기판내로 확산함으로서 계면에서 Cu-Si 중간화합물을 형성하였다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2003.11a
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• pp.185-190
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• 2003

고유전물질인 $HfO_2$ 극박막에 사용될 TaN metal 전극에 대한 특성에 대한 연구를 하였다. 고유전물질인 $HfO_2$는 4" p-type wafer를 SCI cleaning후 ALD(atomic layer deposition)을 통해 $50\AA$를 증착하였다. Ff source는 TEMAH를 이용하였으며 Oxygen source는 $H_2O$를 이용하였다. 이렇게 증착한 $HfO_2$ 극박막에 Ta target을 이용하여 질소 가스를 Ar가스에 첨가하여 reactive sputtering을 통해서 TaN 전극을 증착하였다. TaN 박막의 증착두께는 a--step과 TEM을 통해서 확인하였으며 면저항은 four point probe를 이용하여 측정하였다. 이렇게 증착된 $HfO_2/TaN$구조에 대한 전기적 특성을 측정하였다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2003.11c
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• pp.1681-1684
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• 2003

본 연구는 트랜잭션 어댑터 서버(이하 TA 서버)를 이용한 레거시 보험 업무 관리 시스템 재사용 및 통합 관련 연구이다. 클라이언트 애플리케이션으로부터 입력받은 보험 업무 관한 처리 데이터는 XML 데이터로 변환되어 TA 서버로 전송되고, TA 서버는 수신된 XML 데이터를 분석 변환하여 레거시 시스템이 처리하는 레이아웃 데이터를 생성한 후, 레거시 시스템에 접속하여 레이아웃 데이터를 전송하는 방식으로 TA서버를 이용한 레거시 보험 관리 시스템의 재사용 및 통합 방법에 관한 것이다. 이로써 보험 상품의 종류와 클라이언트 플랫폼에 관계없이 TA 서버가 데이터 변환처리를 통일적으로 수행하여 시스템 운영시 공통된 모듈의 재사용 및 보험 업무처리를 효율적으로 수행하는 효과를 제공한다. 또한, XML 기반의 레거시 시스템의 e-비즈니스로의 전환을 가능하게 한다.

• Economic and Environmental Geology
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• v.47 no.4
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• pp.395-404
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• 2014

We conducted the geophysical survey of possible hydrothermal vent sites at 2009, in the Lau Basin, the south western Pacific and analyzed the magnetic characteristics of TA19-1 and TA19-2 seamounts. TA19-1 is a cone-shaped seamount with a caldera summit. TA19-2 seamount is bigger and shows more complicated topography than TA19-1 seamount. TA19-2 has a large caldera, a summit in the west side of the caldera and several crests. Simple dipole anomalies with a high over the north and a low over the south occur in TA19-1 seamount. High magnetic anomalies are located in the northern flank and the summit of TA19-2 seamount and low anomalies around the summit and the caldera. The results of bathymetry and magnetic data suggest that TA19-2 seamount might have more complicated magmatic process than TA19-1. Low magnetization zones are located over the summit, the calderas and the caldera rims. The magnetization lows indicate that submarine hydrothermal vents, along faults and fracture zones, could have caused an alteration of magnetic minerals. The magnetization highs over the summit and the calderas might have been related with later magmatisms like volcanic sills, intrusions.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.4 no.5
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• pp.550-555
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• 1994

The effects of RTA treatment on the leakage current have been studied for tantalum pentoxide( $Ta_2O_5$) films deposited by PECVD on P-type(100) Si substrate using $TaCl_5$(99.99%) and $N_2O$(99.99%) gaseous mixture. The refractive index increased with increasing the deposition temperature and the maximum deposition rate was obtained at $500^{\circ}C$. The Ta-0 bond peak intensity of as-deposited $Ta_2O_5$ increased with increasing the deposition temperature through FT-IR analysis and the leakage current value was decreased with increasing the deposition temperature. The small leakage current value obtained after RTA treatment of as-deposited $Ta_2O_5$ was found to be due to the reduction of 0-deficient structure in the film. The increases of the oxygen coacentration and the Ta-0 bond peak intensity in the film after RTA treatment were measured by AES and FT-IR analyses.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.30 no.6
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• pp.510-515
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• 1986

Spectra for the $v_3$+ Amide II combination band of thioacetamide(TA) were obtained in carbon tetrachloride solutions and in very dilute solutions of TA-N,N-dimethlylacetamide (DMA) in carbon tetrachloride in the range of 5~55$^{\circ}$C. The combination band in the three component system can be resolved into components due to monomeric TA, 1 : 1 TA-DMA complex and 1 : 2 TA-DMA complex. In the dilute solutions the experimental spectrum was resolved by using the computer into its two Lorentzian-Gaussian product components which have been identified with the monomeric TA and the 1 : 1 complex. The equilibrium constants and thermodynamic parameters of 1 : 1 complex were determined by analysis of concentration and temperature dependent spectra. The ${\Delta}H^{\circ}$ and ${\Delta}S^{\circ}$ for the 1 : 1 complex were -14.4 KJ mol$^{-1}$ and -15.6 J mol$^{-1}deg^{-1}$, respectively.

• The Optical Journal
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• s.103
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• pp.62-70
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• 2006

본고에서는 근접장 분광분석을 중심으로 측정원리나 개요를, 특히 다른 고공간분해측정 방법과 비교하면서 정리한 후 근접장광을 발생시키는 광학소자인 근접장 프로브와 근접장 분광측정을 하기 위한 시스템을 소개하겠다. 그리고 그 측정예로써 액정 등에 이용되고 있는 컬러 필터의 분석예 및 반도체 등의 제조과정에서 문제가 되는 매우 작은 유기계 이물의 측정예를 나타냈다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.29 no.6
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• pp.599-607
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• 1985

Near-ir spectra have been obtained for the $ν_3$+ Amide II combination thioacetamide(TA) band in CC$l_4$ and TA-DMP in CC$l_4$ in the range of 5 to 55${\circ}C$. Absorbance of the weak bands of the DMP and solvent has been compensated. The spectra are analyzed by the computer resolution into two Lorentzian-Gaussian product bands which have been identified with monomeric TA and 1 : 1 TA-DMP complex. Equilibrium constants and thermodynamic parameters for the hydrogen bonding between TA and DMP have been evaluated by the analysis of the concentration and temperature dependent spectra for the very dilute CC$l_4$ solutions. The $ΔH{\circ} and ΔS{\circ}$ of TA and DMT have been found to be -14.6 kJmo$l^{-1}$ and -16.2 Jmo$l^{-1}$ de$g^{-1}$.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.13 no.2
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• pp.79-85
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• 2004

Secondary ion mass spectrometry(SIMS) and glow discharge mass spectrometry(GDMS) were used to determine the impurity concentrations of hydrogen, carbon, and oxygen elements in the Cu and Ta films, and the results of SIMS and GDMS analysis were carefully considered. The Cu and Ta films were deposited on Si (100) substrates at zero substrate bias voltage and a substrate bias voltage of -50 V(Cu films) or -125 V(Ta films) using a non-mass separated ion beam deposition method. As a result of SIMS with Cs+ ion beam, in the case of the Cu and Ta films deposited without the substrate bias voltage, many strong peaks were observed, which is considered to be detected as a the cluster state such as CxHx, OxHx, CxOxHx. All the peaks of SIMS results could be interpreted by the combination of these dominant impurities. Moreover, it was confirmed that the quantitative results of GDMS analysis were accordant to the SIMS results.