• 제목/요약/키워드: T-junction

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코르게이트 도파관을 사용한 위성통신용 저역통과 여파기의 설계 (Design of Low Pass Filters Using Corrugated Waveguide for Satellite Communications)

  • 김회종;최학근
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제13권2호
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    • pp.41-46
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    • 2013
  • 본 논문에서는 코르게이트 도파관을 사용한 위성통신용 저역통과 여파기를 제안하였다. 본 구조는 위성통신용 시스템으로 사용되기 위해 임피던스 트랜스포머와 T-junction을 배열한 코르게이트 도파관이 결합된 형태로 설계하였다. T-junction은 낮은 삽입손실과 높은 격리도의 특성을 만족시키기 위해 Chebyshev 함수를 사용하여 설계하였다. 임피던스 트랜스포머는 높은 반사손실을 위해 코르게이트 도파관의 양 끝에 높이가 다른 T-junction을 결합한 구조로 설계하였다. 제작된 여파기는 12.25 ~ 12.75 GHz에서는 반사손실이 35.4 dB이상, 삽입손실은 0.1 dB이하, 14.0 ~ 14.5 GHz에서는 격리도가 54.4 dB이상으로 나타났다. 따라서 본 논문에서 제안된 저역통과 여파기는 위성통신용 시스템에 사용 가능함을 보였다.

동시 접합 공정에 의한 자기정렬 코발트 실리사이트 및 얇은 접합 형성에 관한 연구 (A Study on the Self-Aligned Cobalt Silicidation and the Formation of a Shallow Junction by Concurrent Junction Process)

  • 이석운;민경익;주승기
    • 전자공학회논문지A
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    • 제29A권2호
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    • pp.68-76
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    • 1992
  • Concurrent Junction process (simultaneous formation of a silicide and a junction on the implanted substrate) by Rapid Thermal Annealig has been investigated. Electrical and material properties of CoSi$_2$ films were analyzed with Alpha Step, 4-point probe, X-ray diffraction(XRD) and Scanning Electron Microscope(SEM). And CoSi$_2$ junctions were examined with Spreading Resistance probe in order to see the redistribution of electrically activated dopants and determined the junction depth. Two step annealing process, which was 80$0^{\circ}C$ for 30sec and 100$0^{\circ}C$ for 30sec in NS12T ambient was employed to form CoSi$_2$ and shallow junctions. Resistivity of CoSi$_2$ was turned out to be 11-15${\mu}$cm and shallow junctions less than 0.1$\mu$m were successfully formed by the process. It was found that the dopant concentration at CoSi$_2$/Si interface increased as decreasing the thickness of Co films in case of $p^{+}/n$ and $n^{+}/p$ junctions while the junction depth decreased as increasing CoSiS12T thickness in case of $p^{+}/n$ junction.

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T-Junction 스위칭 회로를 이용한 이중 대역 전압제어 발진기 구현 (A Realization on the Dualband VCO Using T-Junction Switching Circuit)

  • 오익수;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제42권1호`
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    • pp.105-110
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    • 2005
  • 본 논문에서는 T-Junction 스위치 구조를 이용하여 이중 대역 전압제어 발진기를 설계, 제작하였다. T-Junction 스위치는 이중 대역 공진을 얻기 위한 스위치로서 공진부에 적용된다. 설계한 공진기를 발진기의 능동부와 결합하여 이중 대역 전압제어 발진기를 만들었다. 상위 주파수 대역 5.715 GHz 에서 전압제어 발진기의 출력 전력은 -1.42 dBm, 위상잡음은 1 MHz offset에서 -94.37 dBc/Hz이고 하위 주파수 대역 2.236 GHz에서 출력 전력은 -2.09 dEm, 위상잡음은 1 MHz offset -104.78 dBc/Hz 이다.

26GHz 대역 박막 Duplexer 설계에 관한 연구 (A Study on the Design of 26GHz Band Thin Duplexer)

  • 윤종남;이현주;오용부;이청운;김기돈;이정해
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 기술심포지움 논문집
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    • pp.208-213
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    • 2003
  • 본 논문에서는 mm대역에서 NRD를 사용하여 듀플렉스를 디자인하였다. 디자인된 듀플렉스는 두개의 단계적인 임피던스 필터와 T-junction으로 구성되어 있다. 단계적인 임피던스 필터는 무한 도파관의 등가회로모델과 리턴로스를 최소화하기 위해서 선택되어진 T-junction과 함께 디자인되었다. 듀플렉서의 특성은 기대되었던 결과와 함께 우수한 일치를 보여준다.

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3D 게임 공간 분할 트리에서 트리 빌드 휴리스틱 (Tree Build Heuristics for Spatial Partitioning Trees of 3D Games)

  • 김영식
    • 한국게임학회 논문지
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    • 제13권4호
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    • pp.25-34
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    • 2013
  • 3D 게임에서 충돌 탐지를 효과적으로 하기 위해 구성하는 공간 분할 트리는 분할 평면을 결정하는데 트리 밸런스와 분할 평면과 겹치는 폴리곤의 개수 등을 고려해야 한다. 본 논문에서는 3D 게임 공간 분할 트리에서 트리 빌드 조건에 대한 가중치를 제어하는 휴리스틱 알고리즘을 제안하였다. 가중치의 변화에 따라서 트리 빌드 시간, 분할 평면과 겹치는 폴리곤을 쪼갤 때 시각적 불일치를 유발할 수 있는 T-junction 의 제거 시간, 트리 밸런스에 따른 렌더링 속도(frame per second) 등을 3D 게임 시뮬레이션을 통하여 분석하였다.

자초(紫草) 열수추출물이 각질형성세포 HaCaT의 세포 연접 관련 유전자의 발현에 미치는 영향 연구 (Investigation of the effect of Lithospermi Radix on tight-junction related genes in HaCaT cells)

  • 조남준;이병권;이웅희;김기광;김균언;한효상
    • 대한본초학회지
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    • 제32권3호
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    • pp.55-61
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    • 2017
  • Objectives : The aim of this research was to determine the diverse effects of Lithospermi Radix Water Extract (LR) on human keratinocyte HaCaT cells, and to examine whether those effects could be applied to the human skin. Methods : We examined effect of LR on the cell viability of using the MTS assay in human keratinocyte HaCaT cells. The antioxidation effect of LR was analyzed relative to the well-known antioxidant resveratrol, using an ABTS assay. Quantitative RT-PCR analysis revealed that, in HaCaT cells, LR influenced the mRNA expression of tight-junction genes associated with skin moisturization. Furthermore, a wound-healing assay demonstrated altered cell migration in LR-treated HaCaT cells. Result : The cytotoxicity was confirmed to be higher in LR at a concentration of $800{\mu}g/m{\ell}$ using the MTS assay in HaCaT cells. In comparison to $100{\mu}M$ resveratrol, $1,600{\mu}g/m{\ell}$ LR showed either a similar or superior antioxidation effect. LR treatment in HaCaT cells reduced the mRNA expression levels of claudin 3, claudin 4, claudin 6, claudin 8, and ZO-2 to less than 0.80-fold, whereas JAM-A and Tricellulin mRNA expression level increased more than 1.33-fold. In addition, HaCaT cells migration was decreased to 83.9% by LR treatment. Conclusions : LR of antioxidation activity will have an anti-aging effect on the skin by reducing oxidative stress. Further studies are required to address the implications for human skin, given LR's effects of altering mRNA expression of tight junction-related gene and decreasing cell migration of HaCaT cells.

고전력 전송이 가능한 Ka 대역 E-평면 T형 분기 도파관 다이플렉서의 설계 및 구현 (Design and Implementation of the Hi인 Power Ka-band Waveguide Diplexer with an E-plane T-junction)

  • 윤소현;엄만석;염인복
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제16권7호
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    • pp.732-739
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    • 2005
  • 본 논문에서는 E-평면 T형 분기 도파관을 갖는 Ka대역(20/30 GHz) 다이플렉서의 설계 및 구현에 관해 논하였다. 본 논문의 도파관 다이플렉서는 송신 필터 및 수신 필터를 E-평면 T형 분기 도파관으로 연결하여 E-평면으로 대칭이 되도록 하였다. T형 분기 도파관을 E-평면으로 선택한 이유는 제작시 생기는 절단면을 전류 밀도가 가장 낮은 지역에 두어 PIM(Passive Intermodulation) 레벨을 줄이기 위해서이다. 본 논문의 다이플렉서는 등가 모델을 사용하여 최적 설계를 수행함으로써 해석 시간을 줄이고자 하였다. 또한, 고전력 전송이 가능한 구조로 설계한 후 멀티팩션 해석을 수행하였으며, 해석 결과는 12 dB 마진을 확보하여 ESA/ESTEC 권고 사항을 만족함을 보였다. 제작된 다이플렉서는 전기적 성능 시험 결과를 통해 송수신 대역에서 반사 손실 22 dB 이상, 삽입 손실 0.20 dB 이하, 그리고 -40 dB 이하의 격리도 특성을 가져 요구 사항을 만족함을 보였고, 이로써 설계 결과가 검증되었다.

접합 온도를 고려한 TO-CAN 레이저 다이오드의 Screening 조건 연구 (Study on junction temperature characteristics of TO-CAN laser diode for optimized screening tests)

  • 이동수
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제16권6호
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    • pp.126-129
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    • 2002
  • 레이저 다이오드의 동작 수명을 예측하고 안정화된 성능과 신뢰도를 만족하기 위해서는 검증된 시스템으로 광부품의 신뢰성 테스트를 수행하는 것이 중요하다. 본 연구에서는 온도와 인가 전류에 따른 접합 온도(junction temperature) 특성을 관찰하여 실제 주위 온도 ( $T_{A}$)와 광소자의 온도( $T_{j}$) 차이를 이론 및 실험 적으로 도출하였고, 이를 토대로 정밀한 burn-in 테스트를 위한 screening 조건을 설정해 제시하였다.하였다.