• 전력전자학회논문지
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• 제6권5호
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• pp.453-459
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• 2001

본 논문에서는 Two-transistor 포워드 컨버터에서 사용 가능한 기존의 소프트 스위칭 기법과 새로운 소프트 스위칭 기법의 손실 분석을 수행한다. 두 트랜지스터에서 발생하는 스너버 전류에 의한 트랜지스터 손실과 내부 커패시터에 의한 턴-온 손실을 유도하고, 각각의 트랜지스터에서 발생하는 전체 손실을 계산한다. 손실 계산을 통해 기존의 소프트 스위칭 기법에서는 두 트랜지스터에서 발생하는 손실이 상이함을 보이고, 새로운 소프트 스위칭 기법에서는 손실이 적으면서도 두 트랜지스터에서의 손실이 고르게 발생함을 알 수 있다. 그리하여 제안된 소프트 스위칭 스너버를 사용하여 고른 열분포와 향상된 신뢰도를 얻을 수 있음을 보인다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2000년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.137-140
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• 2000

This paper proposes an improved soft switching two-transistor forward converter which uses a novel lossless snubber circuit to effectively control the turn-off dv/dt rate of the main transistors. In the proposed soft switching implementation the turn-off voltage traces across the main two transistors are almost the same contributing to reduce the total capacitive turn-on loss and the snubber current is divided into the two transistors resulting in distributed thermal stresses

• 대한전자공학회논문지
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• 제17권6호
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• pp.86-92
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• 1980

다단스위칭 회로를 구성하고 있는 트랜지스터의 스위칭 동작을 베이스전압과 단위 스텝 응답함수의 특성을 고려하여 해석 하였으며 트랜지스터의 축적시간을 고려하면 트랜지스터를 시간지연소자로 간주할 수 있다고 보고 이를 이용하여 IC화 할 수 있는 시간지연 회로 및 발진회로를 제시하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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• pp.276-280
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• 2003

This paper presents a zero voltage and zero current switching (ZVZCS) interleaving two-transistor forward converter for high input voltage and high power application. A phase shift has a disadvantage that a circulating current and RMS current stress, conduction losses of transformer and switching devices increases. Due to this circulating current and RMS current stress, conduction losses of transformer and switching devices increases. To alleviate these problems, we propose an improved interleaving two-transistor forward Zero Voltage and Zero Current Switching (ZVZCS) dc/dc converter using a tapped inductor a snubber capacitor and two snubber diodes attached at the secondary side of transformer. The proposed ZVZCS converter is verified on a 1.8kW, 5kHz experimental prototype.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2001년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.698-701
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• 2001

Loss analyses of two soft switching techniques for two-transistor forward converters are presented. The sums of snubber conduction and capacitive turn-on losses for two transistors are calculated to compare the losses of two techniques. While the conventional soft switching technique shows the loss difference between two transistors, proposed soft switching technique shows equal as well as lower loss in two transistors.

• Journal of Power Electronics
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• 제18권6호
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• pp.1901-1911
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• 2018

This study presents a circuit model for simulating the switching transients of insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) with inductive load switching. The modeling approach used in this study considers the behavior of IGBTs and freewheeling diodes during the transient process and ignores the complex semiconductor physics-based relationships and parameters. The proposed circuit model can accurately simulate the switching behavior due to the detailed consideration of device-circuit interactions and the nonlinear nature of model parameters, such as internal capacitances. The developed model is incorporated in an IGBT loss calculation module of an electromagnetic transient simulation program to enable the estimation of switching losses in voltage source converters embedded in large power systems.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권6호
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• pp.546-550
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• 2013

We propose a novel negative differential resistance (NDR) device with ultra-high peak-to-valley current ratio (PVCR) by combining pn junction diode with depletion mode nanowire (NW) transistor, which suppress the valley current with transistor off-leakage level. Band-to-band tunneling (BTBT) Esaki diode with degenerately doped pn junction can provide multiple switching behavior having multi-peak and valley currents. These multiple NDR characteristics can be controlled by doping concentration of tunnel diode and threshold voltage of NW transistor. By designing our NDR device, PVCR can be over $10^4$ at low operation voltage of 0.5 V in a single peak and valley current.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제48권3호
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• pp.124-130
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• 2023

Background: When bipolar junction transistors (BJTs) are used as switches, their switching characteristics can be deteriorated because the recombination time of the minority carriers is long during turn-off transient. When BJTs operate as low frequency switches, the power dissipation in the on-state is large. However, when BJTs operate as high frequency switches, the power dissipation during switching transients increases rapidly. Materials and Methods: When silicon (Si) BJTs are irradiated by fast neutrons, defects occur in the Si bulk, shortening the lifetime of the minority carriers. Fast neutron irradiation mainly creates displacement damage in the Si bulk rather than a total ionization dose effect. Defects caused by fast neutron irradiation shorten the lifetime of minority carriers of BJTs. Furthermore, these defects change the switching characteristics of BJTs. Results and Discussion: In this study, experimental results on the switching characteristics of a pnp Si BJT before and after fast neutron irradiation are presented. The results show that the switching characteristics are improved by fast neutron irradiation, but power dissipation in the on-state is large when the fast neutrons are irradiated excessively. Conclusion: The switching characteristics of a pnp Si BJT were improved by fast neutron irradiation.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권5호
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• pp.15-21
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• 2004

본 논문에서는 저전력 스위치에 사용되는 소자의 포화전압 특성을 개선하기 위해 새로운 구조의 BJT를 제안하고 있다 기존에 사용되던 finger transistor(FT)의 경우 포화전압이 높아 저전력 소자의 특성을 만족하지 않아 multi base island transistor(MBIT)로 구조를 변경함으로써 저전류 영역에서의 포화전압은 충분히 낮아 저전력용 소자의 특성을 만족하지만, 이 역시 고전류 영역에서는 여전히 포화전압이 높아져 저전력용 소자의 특성을 만족하지 못하는 문제가 발생한다. 이에 본 논문에서는 folded back electrode를 이용한 새로운 구조의 BJT(FBET)를 제안하여 그 특성을 조사하였다. 새로운 구조의 트랜지스터를 적용함으로써 MBIT 구조에 비해 에미터 면적은 35 % 증가하고 접촉창의 면적이 92 % 증가하여, 저 전류 영역에서의 포화 전압은 30 % 감소하였고 고 전류 영역에서의 포화 전압은 에미터 면적 증가와 에미터 접촉 창 면적 증가에 의해 각각 30 %와 7 %씩 감소하여 전체적으로는 37 %가 감소하는 특성을 나타내었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제14권11호
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• pp.1121-1126
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• 2003

본 논문에서 트랜지스터를 이용하여 Ultra Wide Bandwidth(UWB)통신 시스템의 구성 요소의 하나인 임펄스 발생기를 설계하였다. 이 펄스 발생기는 두 가지 스텝으로 이루어져 있다. 첫 번째 스텝에서 트랜지스터 스위칭 동작과 스위칭 동작에 걸리는 시간을 이용하여 트랜지스터의 가우시안 펄스를 만든다. 두 번째 스텝에서 고 대역 통과 필터를 이용하여 모노싸이클 임펄스로 변환시킨다. 결과인 임펄스의 크기는 약 +/-250 ㎷ 정도이고, 펄스의 폭은 0.9 ns로서 펄스폭은 트랜지스터의 동작 시간과 일치하였다.