• 한국미생물·생명공학회지
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• 제42권3호
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• pp.297-301
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• 2014

본 연구에서는 실리카겔을 이용한 반응액 부피당 표면적(surface area per volume of reaction solution)이 증가된 반코마이신 결정화 공정에서 이온성 액체의 영향을 조사하였다. 실리카겔로 표면적을 증가시킨 경우에 이온성 액체([BMIm][$BF_4$])를 접목하면 결정화 효율을 더욱 향상시킬 수 있었다. 실리카겔을 이용한 표면적이 증가된 결정화에서 이온성 액체(20%, v/v)를 첨가한 경우 결정화 4시간에 반코마이신 결정이 생성되었으며 실리카겔과 이온성 액체를 사용하지 않은 경우보다 결정화에 소요되는 시간을 6배 정도 단축시킬 수 있었다. 또한 이온성 액체 첨가량이 증가함에 따라 반코마이신 결정 입자크기가 감소할 뿐만 아니라 결정이 균일하고 일정해짐을 알 수 있었다.

• 한국표면공학회지
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• 제47권1호
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• pp.20-24
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• 2014

Joule heat is generated by applying an electric filed to a conductive layer located beneath or above the amorphous silicon film, and is used to raise the temperature of the silicon film to crystallization temperature. An electric field was applied to an indium tin oxide (ITO) conductive layer to induce Joule heating in order to carry out the crystallization of amorphous silicon. Polycrystalline silicon was produced within the range of a millisecond. To investigate the kinetics of Joule-heating induced crystallization (JIC) solid phase crystallization was conducted using amorphous silicon films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition and using tube furnace in nitrogen ambient. Microscopic and macroscopic uniformity of crystallinity of JIC poly-Si was measured to have better uniformity compared to that of poly-Si produced by other methods such as metal induced crystallization and Excimer laser crystallization.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권2호
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• pp.173-179
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• 1999

본 연구에서는 비정질 규소 박막의 결정화를 촉진시키기 위하여 표면 활성화 처리의 영향을 관찰하였다. 표면 활성화 방법으로는 습식 연마법(Wet Blasting)과 Nd:YAG 레이저의 빔을 사용하였고, 700~$800^{\circ}C$에서 관상로 열처리를 행하여 고살 결정화에 미치는 영향을 보았다. 결정화 정도의 기준으로는 XRD 분석을 통해 얻은 (111) 피크강도를 이용하였으며, 결정의 품질을 분석하기 위해 Raman 분석을 행하였다. 결정화의 표면 형상에 대한 관찰은 주사전자 현미경(SEM)을 사용하였다. 본 실험 결과 표면 활성화 처리는 비정질 규소박막의 결정화를 촉진하고, 결정의 품질을 향상시키는 것으로 확인되었다. 습식 연마법(Wet Blasting)의 경루 2 Kgf/$\textrm{cm}^2$의 압력이 가장 효과적이었고, 레이저의 에너지는 100~200mJ/$\textrm{cm}^2$가 효과적이었다. 이것은 표면활성화처리를 통하여 비정질 실리콘 박막의 표면에 strain energy가 형성되어 결정화에 필요한 엔탈피에 영향을 미친 효과 때문으로 예상된다.

• 한국미생물·생명공학회지
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• 제42권3호
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• pp.232-237
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• 2014

본 연구에서는 반응액 부피당 표면적(surface area per volume of reaction solution)이 증가된 반코마이신 결정화 공정에서 표면적 증가물질인 실리카겔의 영향을 조사하였다. 표면적 증가물질로 실리카겔을 사용한 경우, 반코마이신 결정화 시간 단축 측면에서 표면적 증가물질인 실리카겔의 기공지름은 $40-60{\AA}$, 입자크기 230-400 mesh 범위가 적절함을 알 수 있었다. 또한 실리카겔의 첨가량이 증가 할수록 반코마이신의 결정 크기가 감소함을 확인할 수 있었다. 실리카겔을 표면적 증가물질로 사용함으로써 표면적 증가물질이 없을 때 보다 결정화에 소요되는 시간을 4배 정도 단축시킬 수 있었다. 이러한 개선된 결정화 방법은 반코마이신 정제 효율 향상에 상당히 기여할 것으로 판단된다.

• Fibers and Polymers
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• 제1권2호
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• pp.76-82
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• 2000

A series of random copolyesters having various compositions were synthesized by bulk copolymerization of bishydroxyethyl terephthalate (BHET) with 1,4-cyclohexane dimethanol (CHDM) or dimethyl isophthalate (DMI). CHDM and DMI content was less than 10 wt%. For the synthesized copolyesters, isothermal crystallization rate, melting behavior, and equilibrium temperature were investigated by calorimetry and by Avrami and Hoffman-Weeks equation. Crystalline lattice and morphology were studied by WAXD and SEM. Regardless of the composition, the value of the Avrami exponent was about 3, which indicates that crystallization mechanism of the copolyester was similar to those of PET homopolymer. Incoporation of CHDM or DMI units in PET backbone decreased the crystallization rate of the copolyesters. Surface free energy of copolyesters was evaluated using the newly proposed equation. The value of surface free energy was about 189$\times$$10^{-6}$/$J^{2}$/$m^{4}$ regardless of comonomer contents. This result is in good agreement with that of PET homopolymer.

• 접착 및 계면
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• 제5권4호
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• pp.17-23
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• 2004

본 연구에서는 무정형의 폴리카보네이트를 bisphenol-A 및 disphenyl carbonate를 원료로 하여 융용중합방법에 의해 분자량 별로 합성하고 표면처리에 의한 결정화 거동을 살펴보았다. 사용된 결정화 방법으로는 용매 결정화 방법이 사용되었다. 용매의 종류 및 혼합용매의 조성, 온도, 분자량 등에 따른 결정도 및 용융온도의 차이를 DSC, XRD, SEM 등을 이용하여 관찰하였다. 폴리카보네이트의 분자량이 낮음에 따라, 용매 결정화 온도가 높아짐에 따라 용매 결정화에 의한 결정화도가 증가함을 확인할 수 있었으며, 용매 결정화 온도 및 농도가 높아짐에 따라 상대적으로 균일한 결정이 얻어짐을 확인하였다. 또한 혼합용매를 사용함으로써 원하는 표면적을 지닌 결정성 폴리카보네이트를 제조할 수 있었으며, 용매/비용매 비율이 10/90인 혼합용매를 사용한 경우 표면적이 큰 폴리카보네이트를 얻을 수 있었다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제5권4호
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• pp.363-367
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• 1999

New glass ceramics were investigated for the application as substrates to be used in hard disk devices. The glass system to precipitate lithium di-silicate was studied so as to optimize the composition to realize very high surface flatness. The addition of small amount of several metal oxides with high valences had very drastic effects on the microstructure, because they played a role of crystallization agents, and consequently it determined surface flatness even after the polishing process. The possible mechanism changes of crystal growth due to the addition of metal oxides were discussed in relation to the final micro-texture development. The glass ceramics with very high surface flatness(Ra=7.1 $\AA$) was obtained by the addition of the mixture of $P-2O_5 \;and \;MoO_3$ as crystallization agents.

• ETRI Journal
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• 제19권1호
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• pp.26-35
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• 1997

The substrate effects on solid-phase crystallization of amorphous silicon (a-Si) films deposited by low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) using $Si_2H_6$ gas have been extensively investigated. The a-Si films were prepared on various substrates, such as thermally oxidized Si wafer ($SiO_2$/Si), quartz and LPCVD-oxide, and annealed at 600$^{\circ}C$ in an $N_2$ ambient for crystallization. The crystallization behavior was found to be strongly dependent on the substrate even though all the silicon films were deposited in amorphous phase. It was first observed that crystallization in a-Si films deposited on the $SiO_2$/Si starts from the interface between the a-Si and the substrate, so called interface-interface-induced crystallization, while random nucleation process dominates on the other substrates. The different kinetics and mechanism of solid-phase crystallization is attributed to the structural disorderness of a-Si films, which is strongly affected by the surface roughness of the substrates.

• 한국결정성장학회지
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• 제20권1호
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• pp.58-63
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• 2010

화력 발전소에서 발생하는 석탄 바닥재에 $Na_2O$와 $Li_2O$가 첨가된 결정화 유리를 제조하고, 비등온 열분석법을 이용하여 결정성장 거동을 분석하였다. 온도에 따른 결정화 분율 및 결정화 속도 변화를 계산한 결과, 결정화가 50% 진행된 온도는 DTA 상의 결정 발열피크 $T_p$ 보다 약간 높게 나타났으며, 결정화가 가장 빠르게 진행되는 온도는 $T_p$와 거의 일치함을 알 수 있었다. Kissinger 식을 이용하여 결정화 활성화 에너지(262 kJ/mol), Avrami 상수 (1.7) 그리고 진동수 ($5.7{\times}10^{16}/s$)를 계산하였으며, 이로부터 nepheline 결정 성장은 주로 1~2 차원적 표면 결정화 경향을 보이지만, 동시에 내부 결정화도 어느 정도 나타날 것으로 예측되었다. 실제 미세구조 관찰에서 수지(dendrite)상의 표면 결정화가 상당히 일어났고 동시에 낮은 분율의 내부 결정도 생성된 것이 확인되어, Kissinger식에 의해 예측된 결과가 본 연구에서 제조된 결정화 유리의 거동과 일치함을 알 수 있었다.

• 한국표면공학회지
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• 제41권2호
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• pp.48-50
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• 2008

Solid phase crystallization (SPC) of amorphous silicon is usually conducted at around $600^{\circ}C$ since it is used in the application of flat panel display using thermally susceptible glass substrate. In this study we conducted SPC experiments at temperatures higher than $600^{\circ}C$ using silicon wafers. Crystallization rate becomes dramatically rapid at higher temperatures since SPC kinetics is controlled by nucleation with high value of activation energy. We report SPC kinetics of high temperatures compared to that of low temperatures.