New WC-CrN superlattice film was deposited on Si substrate (500$\mu\textrm{m}$) using cathodic arc ion plating system. The microstructure and mechanical properties of the film depend on the superlattice period (λ). In the X-ray diffraction analysis (XRD), preferred orientation of microstructure was changed according to various superlattice periods(λ). During the Transmission Electron Microscope analysis (TEM), microstructure and superlattice period (λ) of the WC - CrN superlattice film was confirmed. Hardness and adhesion of the deposited film was evaluated by nanoindentation test and scratch test, respectively. As a result of nanoindentation test, the hardness of WC - CrN superlattice film was gained about 40GPa at superlattice period (λ) with 7nm. Also residual stress with various superlattice period (λ) was measured on Si wafer (100$\mu\textrm{m}$) by conventional beam-bending technique. The residual stress of the film was reduced to a value of 0.2 GPa by introducing Ti - WC buffer layers periodically with a thickness ratio ($t_{buffer}$/$t_{buffer+superlattice}$ ). To the end, for the evaluation of oxidation resistance at the elevated temperature, CrN single layer and WC - CrN superlattice films with various superlattice periods on SKD61 substrate was measured and compared with the oxidation resistance.
The effective elastic constants of a single-crystal superlattice film have been determined by two methods based on the velocities of surface acoustic waves (SAW). One method uses formulas to calculate the effective elastic constants of a superlattice from the known elastic constants of the constituent layers. The calculated effective elastic constants are tested by comparing the corresponding SAW velocities calculated for thin-film/substrate systems with the corresponding SAW velocities measured by line-focus acoustic microscopy (LFAM). The other method determines the effective elastic constants of the superlattices by inverting the SAW velocity dispersion data measured by LFAM. The results of both methods applied to a TiN/NbN superlattice film are in good agreement.
Lim, T.M.;Park, J.Y.;Han, J.S.;Hwang, P.G.;Lee, K.H.;Jung, K.W.;Jung, D.
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.30
no.1
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pp.201-204
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2009
$BaTiO_3/SrTiO_3$ and $PbTiO_3/PbZrO_3$ superlattice thin films were fabricated on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate by the pulsed laser deposition process. The morphologies and physical properties of deposited films were characterized by using X-ray diffractometer, HR-SEM, and Impedance Analyzer. XRD data and SEM images of the films indicate that each layer was well deposited alternatively in the superlattice structure. The dielectric constant of $BaTiO_3/SrTiO_3$ superlattice thin film was higher than that of individual $BaTiO_3$ or $SrTiO_3$ film. Same result was obtained in the $PbTiO_3/PbZrO_3$system. The dielectric constant of a superlattice film was getting higher as the number of layer is increased.
Understanding the thermal conductivity and heat transfer processes in superlattice structures is critical for the development of thermoelectric materials and optoelectronic devices based on quantum structures. $Chen^{(1)}$ developed ballistic diffusive equation(BDE) for alternatives of the Boltzmann equation that can be applied to the complex geometrical situation. In this study, a simulation code based on BDE is developed and applied to the 1-dimensional transient heat conduction across a thin film and transient 2-dimensional heat conduction across the film with heater. The obtained results are compared to the results of the $Chen^{(1)}$ and Yang and $Chen^{(1)}$. Finally, steady 2-dimensional heat conduction in the quantum dot superlattice are solved to obtain the equivalent thermal conductivity of the lattice and also compared with the experimental data from $Borca-Tasciuc^{(2)}$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.394-394
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2012
We fabricated organic-inorganic superlattice films using molecular layer deposition (MLD) and atomic layer deposition (ALD). The MLD is a gas phase process in the vacuum like to atomic layer deposition (ALD) and also relies on a self-terminating surface reaction of organic precursor which results in the formation of a monolayer in each sequence. In the MLD process, 'Alucone' is very famous organic thin film fabricated using MLD. Alucone layers were grown by repeated sequential surface reactions of trimethylaluminum and ethylene glycol at substrate temperature of $80^{\circ}C$. In addition, we developed UV-assisted $Al_2O_3$ with gas diffusion barrier property better than typical $Al_2O_3$. The UV light was very effective to obtain defect-free, high quality $Al_2O_3$ thin film which is determined by water vapor transmission rate (WVTR). Ellipsometry analysis showed a self-limiting surface reaction process and linear growth of each organic, inorganic film. Composition of the organic films was confirmed by infrared (IR) spectroscopy. Ultra-violet (UV) spectroscopy was employed to measure transparency of the organic-inorganic superlattice films. WVTR is calculated by Ca test. Organic-inorganic superlattice films using UV-assisted $Al_2O_3$ and alucone have possible use in gas diffusion barrier for OLED.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.115-115
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2011
Nano hybrid superlattices consisting of organic and inorganic components have great potential for creation of new types of functional material by utilizing the wide variety of properties which differ from their constituents. They provide the opportunity for developing new materials with new useful properties. Herein, we fabricated new type of organic-inorganic nano hybrid superlattice thin films by a sequential, self-limiting surface chemistry process known as molecular layer depostion (MLD) combined with atomic layer deposition (ALD). An organic layer was formed at $150^{\circ}C$ using MLD with repeated sequintial adsorption of Hydroquinone and Titanium tetrachloride. A $TiO_2$ inorganic nanolayer was deposited at the same temperature using ALD with alternating surface-saturating reactions of Titanium tetrachloride and water. Using UV-Vis spectroscopy, we confirmed visible light absorption by LMCT. And FTIR spectroscopy and XPS were employed to determine the chemical composition. Ellipsometry and TEM analysis were also used to confirm linear growth of the film versus number of MLD cycles at all same temperature. In addition, p-n junction diodes domonstrated in this study suggest that the film can be suitable for n-type semiconductors.
We have prepared hydrogenated amophous silicon (a-si : H) films with superlattice structure by hydrogen radical anneling(HRA) technique. We have studied the preparation of a-Si :H films by HRA and the optical & electronic characteristics. Optical band gap and the hydrogen contents in the a Si : H film is decreased as HRA time increased. We first report a -Si : H film prepared by periodicdeposition of a-Si : H layer and HRA have the superlattice structure using TEM . After 1 hour light soaking on the a-Si :H film prepared by HRA, there are no difference in the temperatre dependence of dark conductivity and the conductivity activation energy. An excellent stability for light in a-Si :H films by HRA can be explained using the long-range structural relaxation of the amorphous network and the propertiesof light -induced defects(LID) proposed by Fritzsche.
We successfully grew $La_{0.35}Pr_{0.35}Ca_{0.3}MnO_3$(LPCMO)/$LaAlO_3$(LAO) thin film using Laser Molecular-Beam Epitaxy and studied post-growth annealing effects ($750^{\circ}C$, 5 h) on its crystal structural and magnetic properties. Whereas the single-layered LPCMO and LPCMO/STO superlattice thin films show rough surface before and after the post-growth annealing, LPCMO/LAO superlattice shows a relatively very flat surface even after the post-growth annealing. The enhancement of ferromagnetism of LPCMO/LAO superlattice after the post-growth annealing was remarkable compared to the single-layered LPCMO thin film. The coercive and saturation magnetic field of the single-layed LPCMO thin film were decreased after the post-annealing. However, for LPCMO/LAO superlattice, a same coercive and increased saturation magnetic field were exhibited after post-growth annealing. We suggest that these peculiar observations are originate from the super-structure of LPCMO and LAO.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.4-4
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2010
Single-crystalline IGZO (Indium-Gallium-Zinc oxide) was fabricated on c-sapphire substrate. Single crystal ZnO was used as a buffer layer, and post-annealing was treated in $900^{\circ}C$ for crystallization of IGZO. Crystallized IGZO formed superlattice structure spontaneously induced to c-axis direction by ZnO butTer layer, the composition of IGZO was varied by amount of ZnO. Crystallinity and composition of IGZO was analyzed by X-ray Diffraction and Transmission Electron Microscopy.
The mechanical property and cutting performance of the cutting tools coated with nanoscale nyktukatered nitride film have been investigated. $Ti_{0.54}Al_{0.46}N-CrN$ and $Ti_{0.84}Al_{0.16}N-NlN$ systems, which showed super-lattice in nanoscale multilayered coating, were deposited on WC-Co insert by UBM sputtering, The superlattice coatings with different bilayer periods were manufactured by controlling deposition parameters. The superlattice formation and hardness of the nanoscale multilayered nitride film and the cutting performance of the insert coated with the film were examined. The hardness and cutting performance were dependent on the bilayer periods of the coatings. The flank wear of the inserts with superlattice coatings were decreased over $20\%$, compared to those of commonly used cutting tools coated with TiAIN single phase.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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