The indium tin oxide (ITO) films were deposited on CR39 substrate using DC magnetron sputtering. The ITO thin films deposited at room temperature because CR39 substrate its glass-transition temperature is $130^{\circ}C$. The ITO thin films used bottom and top electrode and for organic thin film transparent transistors (OTFTs). The ITO thin film electrodes electrical properties and optical transparency properties in the visible wavelength range (300-800 nm) strongly dependent on volume of oxygen percent. For the optimum resistivity and transparency of the ITO thin film electrode achieved with a 75 W plasma power, 10 % volume of oxygen and a 27 nm/min deposition rate. Above 85 % transparency in the visible wavelength range (300-800 nm) measured without post annealing process and a low resistivity value $9.83{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ was measured thickness of 300 nm. All fabrication process of ITO thin films did not exceed $80^{\circ}C$.
Submicron thick solid electrolyte membrane is essential to the implementation of low temperature solid oxide fuel cell, and, therefore, development of new electrode structures is necessary for the submicron thick solid electrolyte deposition while providing functions as current collector and fuel transport channel. In this research, a nickel membrane with multi-stage nano hole array has been produced via modified two step replication process. The obtained membrane has practical size of 12mm diameter and $50{\mu}m$ thickness. The multi-stage nature provides 20nm pores on one side and 200nm on the other side. The 20nm side provides catalyst layer and $30\~40\%$ planar porosity was measured. The successful deposition of submicron thick yttria stabilized zirconia membrane on the substrate shows the possibility of achieving a low temperature solid oxide fuel cell.
Indium tin oxide (ITO) films were deposited on polycarbonate CR39 substrate using DC magnetron sputtering. ITO thin films were deposited at room temperature because glass-transition temperature of CR39 substrate is $130^{circ}C$ ITO thin films are used as bottom and top electrodes and for organic thin film transparent transistor (OTFT). The electrodes electrical properties of ITO thin films and their optical transparency properties in the visible wavelength range (300-800 nm) strongly depend on the volume of oxygen percent. The optimum resistivity and transparency of ITO thin film electrode was achieved with a 75 W plasma power, 10 % volume of oxygen and a 27 nm/min deposition rate. Above 85% transparency in the visible wavelength range (300-800 nm) was measured without post annealing process, and resistivity as low as $9.83{\times}^{TM}10^{-4}{\Omega}$ cm was measured at thickness of 300 nm.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.28
no.12
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pp.813-820
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2015
We have studied commercialization and process optimization of protective film on transparent conductive coated substrate, nano silver on flexible PET (poly ethylene terephthalate), by means of roll-to-roll micro-gravure coater. Nanosilver on flexible PET substrate is potential materials to replace ITO (indium tin oxide). Protective film is most important to maintain unique silver pattern on top of transparent PET. PSA pressure sensitive adhesives) was developed solely for nano silver on PET and protective film was successfully laminated. We have optimized all process conditions such as coating thickness, line speed and aging time & temperature via experimental design. Transparent conductive film and its protective film developed in this research are commercially available at this moment.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.05a
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pp.77-79
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1999
Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O(Bi-2212) thick films were fabricated on Y211 substrate by screen printing method. The aim of the study was to fabricate superconducting thick films on Y211 substrate by MPMG process. For this study, patterned samples by screen printing method were heated with MPMG process. The thickness of Bi2212 on substrate was about 20 ${\mu}{\textrm}{m}$ and these samples showed many Bi- 2212 phases.
Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2002.12a
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pp.140-141
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2002
In proto-type microactuators driven by magnetostrictive Tb-Fe thin films, the deflection was observed to be much smaller than that expected from large-sized "standard" Tb-Fe thin films. A striking difference was observed when the results from a thin substrate of 28 $\mu\textrm{m}$ for microactuator applications were compared with those from a standard substrate. At a standard substrate thickness (several hundred $\mu\textrm{m}$), an amorphous phase was formed and the coercivity was low being 80 Oe. (omitted)
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.11a
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pp.176-179
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2003
ITO films on PET substrate were prepared by DC magnetron sputtering method using powdery target with different deposition conditions. In addition, the electrical and optical properties were investigated. As the sputtering power and working pressure were higher, the resistvity of ITO films increased. The optical transmittance deteriorated with increasing sputtering power and thickness. As the working pressure increased, however, the optical transmittance improved at visible region of light. From these results, we could deposited ITO films with $8{\times}10^{-3}\;{\Omega}-cm$ of resistivity and 80% of transmittance at optimal conditions.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.488-489
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2007
Organic field-effect transistors (OFETs) are of interest for use in widely area electronic applications. We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with different substrate temperature. The CuPc FET device was made a top-contact type and the substrate temperature was room temperature and $150^{\circ}C$. The CuPc thickness was 40nm, and the channel length was $50{\mu}m$, channel width was 3mm. We observed a typical current-voltage (I-V) characteristics in CuPc FET.
Kang Cheol-Hwa;Jeong Cheol-Mo;Yi Cheol-Woo;Kim Keon
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.15
no.1
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pp.20-22
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1994
The preparation of $YBa_2Cu_4O_8$ thick film on Ag substrate by electrophoretic deposition was directly studied. Electrophoretic deposition was carried out in solution, which was composed of presintered $YBa_2Cu_4O_8$ powder, sodium, and 2-propanol as a solvent. The deposited thick films were heat-treated in $O_2$ at 815$^{\circ}$C for 12 hours and at 450$^{\circ}$C for 12 hours. We succeeded in obtaining superconducting $YBa_2Cu_4O_8$ films on Ag substrate. Even though the chemical reactions at the $YBa_2Cu_4O_8$/Ag interface occurred in the range of 10 ${\mu}$m, superconductivity was not depressed. The thickness of the films was in the range of 60-80 ${\mu}$ m. The characteristics of the films were examined by electric resistance measurements, X-ray diffraction, and SEM observations.
Transparent electrode ZnO:Al(AZO)films were deposited on a PES (polyethersulfone) polymer substrate for thin film solar cells applications. A PES substrate with a thickness of 0.2mm and transmittance > 90% in the visible range was used because it is light weight and can deform easily. AZO thin films were prepared at a fixed DC power, $PO_2\;=\;P(O_2)/[P(O_2)\;+\;P(Ar)]$, and various substrate temperatures. The properties of AZO thin films were examined by X-ray diffraction, UV/VIS spectroscopy, four-point probe, Hall measurements, and field emission scanning electron microscopy. The lowest resistivity of all the films was $4.493\;{\times}\;10^{-4}\;[\Omega-cm]$ and the transmittance was > 80% in the visible range.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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