Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.4
no.1
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pp.92-99
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1994
Diamond thin film was deposited on n type (100) Si substrate by MPECVD(Microwave plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). For the increase in nucleation density of diamond, Si substrate was pretreated by diamond powder or negative bias voltage was applied to the substrate during the initial deposition. In the case of retreated Si substrate, the diamond thin film quality was enhanced with increasing the total pressure in the range of 20~150 Torr. For the negative bias voltage, the formation condition of the diamond was seriously affected by $CH_4$ concentration and total pressure. The formation condition will be discussed with electrical current of substrate generated by plasma ions which depend on $CH_4$concentration, bias voltage, and total pressure.
Uniform diamond films in a few $\textrm{mm}^2$ size and locally isolated diamond single crystals in size of 60 $\mu\textrm{m}$ were synthesized on Si-wafer and Al2O3 substrate by the method of acetylene flame. The effects of substrate temperature and flow ratio of oxygen to acetylene on the morphology of deposited diamond were investigated. According to the observations of growth behavior of diamond on Si substrate with respect to substrate surface pretreatment and flow ratio, it was shown that well faceted diamonds could grow uniformly when flow ratio was above 0.9 and substrates were densely scratched. With increasing substrates temperature, the crystal morphology changes from octahedron bounded by only {111} plane below 850$^{\circ}C$ to cubo-octahedron with almost equal development of {111} and {100} plane in the temperature range of 850∼950$^{\circ}C$. Between 950∼1050$^{\circ}C$, the {111} faces become rough and concave. Above 1050$^{\circ}C$, new crystallites begin to grow on concave {111} surface and overall morphology looks like cubo-octahedron with degenerated {111} faces. These changes of morphology can be understood in terms of the different growth mode of each crystallographic plane with respect to the substrate temperature and supersaturation. And the observed phenomena on {111} planes can be related to the face instability and twin generation.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.04c
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pp.41-41
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2008
Al-doped ZnO (AZO) thin films have been fabricated by vertical in-line dc magnetron sputtering for transparent conducting oxides (TCOs) applications. The effects of substrate temperature and dc power on the characteristics of AZO thin films are investigated and also optimized the process conditions to get the best electrical and optical properties. The fabricated thin films show a good electrical and optical uniformity within ${\pm}5%$ over the whole area of substrate ($200mm\;{\times}\;200mm$) ; the minimum resistivity of $8\;{\times}\;10^{-4}\;{\Omega}cm$ and the average transmittance of 90% within the visible wavelength range. We have found that the band gap ($E_g$) increases with increasing substrate temperature and dc power, whereas the crystallinity is getting improved with increasing substrate temperature. The binding energy of Zn $2p_{3/2}$ and O 1s is observed to decrease as the substrate temperature increases.
Using fungal (Fusarium solani f. pisi) and bacterial (Pseudomonas mendocina) cutinases, the initial hydrolysis rate of p-nitrophenyl esters was systematically estimated for a wide range of enzyme and substrate concentrations using a 96-well microplate reader. Both cutinases exhibited a high substrate specificity; i.e. a high hydrolytic activity on p-nitrophenyl butyrate (PNB), yet extremely low activity on p-nitrophenyl palmitate (PNP). When compared to the hydrolysis of PNB and PNP by other hydrolases [lipases and esterases derived from different microbial sources, such as bacteria (Pseudomonas cepacia, Psedomonas furescens, Baciilus stearothermophilus), molds (Aspeillus niger, mucor miehei), and yeasts (Candida rugosa, Candida cylindracea)], the above substrate specificity would seem to be a unique characteristic of cutinases. Secondly, the hydrolytic activity of the cutinases on PNB appeared much faster than that of the other hydrolytic enzymes mentioned above. Furthermore, the current study proved that even when the cutinases were mixed with large amounts of other hydrolases (lipases or esterases), the Initial hydrolysis rate of PNB was determined only by the cutinase concentration for each PNB concentration. This property of cutinase activity would seem to result from a higher accessibility to the substrate PNB, compared with the other hydrolytic enzymes. Accordingly, these distinct properties of cutinases may be very useful in the rapid and easy isolation of various natural cutinases with different microbial sources, each of which may provide a novel industrial application with a specific enzymatic function.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07b
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pp.788-791
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2002
Tin doped indium oxide(ITO) films are highly conductive and transparent in the visible region whose property leads to the applications in solar cell, liquid crystal display, thermal heater, and other sensors. This paper investigated ITO films as a transparent conducting films for application of PDP. ITO films were grown on glass substrate by RF magnetron sputtering method. To achieve high transmittance and low resistivity, we examined the various film deposition such as substrate temperature, gas pressure, annealing temperature, and deposition time. We recommend the substrate temperature of $500^{\circ}C$ and post annealing of $200^{\circ}C$ in $O_2$ atmosphere for good conductivity and transmittance. From XRD examination, ITO films showed a preferred(222) orientation. As substrate temperature increased from RT to $500^{\circ}C$, the intensity of the (222) peak increased. The highest peak intensity was observed at a substrate temperature of $500^{\circ}C$. with the optimum growth conditions, ITO films showed resistivity of $1.04{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$ and transmittance of 81.2% for a film 300nm thick in the wavelength range of the visible spectrum.
Synthesis of carbon nanofibers on a metal substrate by an ethylene fueled inverse diffusion flame was illustrated. Stainless steel plates were used for the catalytic metal substrate. The effects of radial distance and residence time of the substrate were investigated. The role of hydrocarbon composition in the fuel was also viewed. Nanofibers with a diameter range of 30-70 nm were found on the substrate. The carbon nanofibers were formed and grown in the region from 4 to 5.5 mm from the central axis of a flame outside of the visible flame front in the radial direction. The minimum residence time required for the formation of carbon nanofibers were about 20 seconds, and over 60 seconds were required for the full-scale growth. The characteristic time of the formation of carbon nanofibers was much shorter than that of the substrate temperature growth. In this study, the variation in hydrocarbon composition had no significant effect on the formation and growth of the carbon nanofibers.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.93-93
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2011
The Indium Zinc Tin Oxide (IZTO) and Indium Tin Oxide (ITO) thin films are grown on PI substrate at different substrate temperature by pulsed DC magnetron sputtering with a sintered ceramic target of IZTO (In2O3 70 wt.%, ZnO 15 wt.%, SnO2 15 wt.%) and ITO (In2O3 90wt.%, SnO2 10wt.%). The structural, electrical, and optical properties are investigated. The IZTO thin films deposited at low temperature showed relatively low electrical resistivity compared to ITO thin films deposited at low temperature. As a result, we could prepare the IZTO thin films with the resistivity as low as $5.6{\times}10^{-4}({\Omega}{\cdot}m)$. Both of the films deposited on PI substrate showed an average transmittance over 80% in visible range (400.800nm). Overall, IZTO thin film is a promising candidate as an alternative TCO material to ITO in flexible and OLED devices.
In this study, we have investigated the structural and electrical characteristics of IZO thin films deposited under hydrogen atmosphere on flexible substrate for the OLED (organic light emitting diodes) devices. For this purpose, PES was used for flexible substrate and IZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering under hydrogen ambient gases (Ar, $Ar+H^2$) at room temperature. In order to investigate the influences of the hydrogen, the flow rate of hydrogen in argon mixing gas has been changed from 0.1sccm to 0.5sccm. All the samples show amorphous structure regardless of flow rate. The electrical resistivity of IZO films increased with increasing flow rate of $H^2$ under $Ar+H^2$. All the films showed the average transmittance over 85% in the visible range. The OLED device was fabricated with different IZO electrodes made by configuration of IZO/$\acute{a}$-NPD/DPVB/$Alq_3$/LiF/Al to elucidate the performance of IZO substrate. OLED devices with the amorphous-IZO (a-IZO) anode film show good current density-voltage-luminance characteristics. This suggests that flat surface roughness and low electrical resistivity of a-IZO anode film lead to more efficient anode material in OLED devices.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.9
no.3
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pp.7-12
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2002
In the measurement of the RF properties, the LTCC substrate must be considered as a system including various conductor patterning processes. In this paper, the LTCC substrate system is compared with a conventional PCB(Printed Circuit Board) substrate such as FR-4, Duroid and Teflon, etc. The microstrip resonator method is employed for the measurement of the RF properties in the range of DC to 20 GHz. Experimental results show that the ring resonator method is suitable for system loss measurement, and the series gap resonator method for dielectric constant measurement. The process of conductor patterning and its effect on the system loss were also studied.
We have introduced polyelectrolyte micro-patterning technique employing agarose plane stamp and a hard substrate having microscale features on its surface. With this method, chemically micropatterned surfaces with both positive and negative functionalities were successfully embedded in well-defined microstructures, and selective impartment of charge functionalities was confirmed by patterning bead bearing surface charge. Furthermore, this technique allows highly sensitive immobilization of protein onto targeted surface simply by endowing functionalities, which extends the potential of its use as a tool for high-throughput protein microarray and proteomics. Because plane agarose stamp is free of structures on its surface, there is no concern for pattern collapse, and the combination of agarose plane stamp with patterned substrate is more suited for selective protein patterning compared with adopting surface-patterned agarose stamp with flat substrate. Our technique using agarose plane stamp and a substrate having microscale features on its surface suggests a range of possible applications, including the micropatterning of biofunctionalized copolymer having polyelectrolyte block, immobilization of micro- and nanoparticle with biofunctionalities such as biotin and streptavidine, and establishing optoelectronic microstructures with micro-beads on various surfaces.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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