지금까지의 선행연구의 결과를 토대로 필자들은 한중일 3국의 협력적 물류 비즈니스 모델에 대한 보완과 새로운 제안을 시도하였다. 특히 본 연구에서는 특정 산업의 물류네트워크에 초점을 두었고, 지금까지 다루어진 바가 거의 없는 가구산업에서 새로운 한중일 협력적 물류 비즈니스 모델을 발굴하는 것을 목표로 하였다. 가구산업은 한중일 3국에서 모두 해외 의존도가 높고 물류문제가 이슈가 되는 산업이다. 따라서 가구류 수출입 물류구조는 항만배후지를 이용하여 합리화될 수 있는 여지가 크고, 거기에서 새로운 물류 비즈니스를 창출할 기회가 엿보았다. 그 결과 부산항 가구물류센터에서 중-일간 크로스독 기능과 일본향 수입가구 조립배송기능을 담당할 것을 제안하였다. '중일 크로스독 센터' 모델은 중일항로에서 부산항이 가진 지리적 이점과 고밀도 네트워크를 활용한 것이며, '일본향 수입가구 조립배송센터' 모델은 일본 수입가구의 조립과 배송기능을 부산 신항 배후지로 이전시키는 것에 초점을 두었다. 이와 같은 가구류 항만물류 비즈니스모델의 현실화에는 크게 보아 적극적 투자유치활동의 전개, 부산항의 경쟁력 유지 강화, 부산신항 배후부지 활성화 등 3가지의 정책이 필요할 것으로 보인다.
60 nm C-MOSFET 기술 분기점 이상의 고성능, 저전력 트랜지스터를 구현 시키기 위해 SiGe/SiO2/Si위에 성장된 strained Si의 두께가 전자 이동도에 미치는 영향을 두 가지 관점에서 조사 연구하였다. 첫째, inter-valley phonon 산란 모델의 매개변수들을 최적화하였고 둘째, strained Si 반전층의 2-fold와 4-fold의 전자상태, 에너지 밴드 다이어그램, 전자 점유도, 전자농도, phonon 산란율과 phonon-limited 전자이동도를 이론적으로 계산하였다. SGOI n-MOSFET의 전자이동도는 고찰된 SOI 구조의 Si 두께 모든 영역에서 일반적인 SOI n-MOSFET보다 $1.5\~1.7$배가 높음이 관찰 되었다. 이러한 경향은 실험 결과와 상당히 일치한다. 특히 strained Si의 두께가 10 nm 이하일 때 Si 채널 두께가 6 nm 보다 작은 SGOI n-MOSFET에서의 phonon-limited 전자 이동도는 일반 SOI n-MOSFET과 크게 달랐다. 우리는 이러한 차이가 전자들이 suained SGOI n-MOSFET의 반전층에서 SiGe층으로 터널링 했기 때문이고, 반면에 일반 SOI n-MOSFET에서는 캐리어 confinement 현상이 발생했기 때문인 것으로 해석하였다. 또한 우리는 10 nm와 3 nm 사이의 Si 두께에서는 SGOI n-MOSFET의 phonon-limited 전자 이동도가 inter-valley phonon 산란율에 영향을 받는 다는 것을 확인하였으며, 이러한 결과는 더욱 높은 드레인 전류를 얻기 위해서 15 nm 미만의 채널길이를 가진 완전공핍 C-MOSFET는 stained Si SGOI 구조로 제작하여야 함을 확인 했다
최근에 고품질 이동 멀티미디어 서비스에 대한 사용자의 요구가 증대되고, 계층 변조 전송 기법을 통하여 추가적인 전송 대역폭을 확보할 수 있게 됨에 따라 스케일러블 비디오 부호화(Scalable Video Coding)를 이용하여 기존의 T-DMB(Terrestrial DMB)의 화질을 개선한 고품질 지상파 DMB(Advanced Terrestrial DMB) 서비스를 제공하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 T-DMB와 AT-DMB의 호환적인 서비스를 지원하는 SVC 계층 부호기는 매우 복잡한 구조를 갖게 되므로, 조기 서비스 도입을 위하여 부호기의 복잡도 감소에 대한 연구가 요구된다. 본 논문에서는 기존의 T-DMB와 호환성을 갖는 공간 확장성 SVC 부호기에서 매크로블록 계층의 부호화 모드 제한을 통한 고속 부호화 모드 결정 기법을 제안한다. 제안된 기법은 매크로블록 계층의 부호화 모드 결정 함수의 구조 분석을 통한 기저 계층과 향상 계층, 그리고 계층 간에 사용되는 부호화 모드의 통계적 특성에 기초한다. 모의실험을 통하여, 제안된 기법이 우수한 성능을 유지하면서, 수행시간을 크게 단축시킬 수 있는 호환적인 부호기를 얻을 수 있음을 보인다.
Quantum wells infrared photodetectors (QWIPs) have been used to detect infrared radiations through the principle based on the localized stated in quantum wells (QWs) [1]. The mature III-V compound semiconductor technology used to fabricate these devices results in much lower costs, larger array sizes, higher pixel operability, and better uniformity than those achievable with competing technologies such as HgCdTe. Especially, GaAs/AlGaAs QWIPs have been extensively used for large focal plane arrays (FPAs) of infrared imaging system. However, the research efforts for increasing sensitivity and operating temperature of the QWIPs still have pursued. The modification of heterostructures [2] and the various fabrications for preventing polarization selection rule [3] were suggested. In order to enhance optical performances of the QWIPs, double barrier quantum well (DBQW) structures will be introduced as the absorption layers for the suggested QWIPs. The DBWQ structure is an adequate solution for photodetectors working in the mid-wavelength infrared (MWIR) region and broadens the responsivity spectrum [4]. In this study, InGaAs/GaAs/AlGaAs double barrier quantum well infrared photodetectors (DB-QWIPs) are successfully fabricated and characterized. The heterostructures of the InGaAs/GaAs/AlGaAs DB-QWIPs are grown by molecular beam epitaxy (MBE) system. Photoluminescence (PL) spectroscopy is used to examine the heterostructures of the InGaAs/GaAs/AlGaAs DB-QWIP. The mesa-type DB-QWIPs (Area : $2mm{\times}2mm$) are fabricated by conventional optical lithography and wet etching process and Ni/Ge/Au ohmic contacts were evaporated onto the top and bottom layers. The dark current are measured at different temperatures and the temperature and applied bias dependence of the intersubband photocurrents are studied by using Fourier transform infrared spectrometer (FTIR) system equipped with cryostat. The photovoltaic behavior of the DB-QWIPs can be observed up to 120 K due to the generated built-in electric field caused from the asymmetric heterostructures of the DB-QWIPs. The fabricated DB-QWIPs exhibit spectral photoresponses at wavelengths range from 3 to $7{\mu}m$. Grating structure formed on the window surface of the DB-QWIP will induce the enhancement of optical responses.
본 연구에서는 방사선영상학 수업에서 3D 프린팅 해부학 구조물을 이용한 자기주도 학습이 교육 효과에 미치는 영향을 분석하고자 하였다. 대상은 4년제 대학교의 방사선학과 2학년의 32명(남자: 20명, 여자: 12명)으로 방사선영상학 교과목을 수강한 재학생들로서 소극적인 학생 그룹과 적극적인 학생 그룹으로 구분하였다. 학습방법은 3D 프린팅 해부학적 구조물을 이용한 자기주도 학습으로 진행했으며 학습 전·후로 정량적 학습개선효과를 평가하였다. 학생들의 정성적인 평가를 위해 수업의 흥미도, 만족도 그리고 학습효과(해부학 명칭 암기 용이성, X선 영상 해독력, 해부학 구조물 이해도, X선 촬영법 이해도)에 대해서 5점 리커트 5점 척도로 분석하였다. 그 결과 학습개선효과는 평균 65.4%가 향상되었으며 모든 학생들이 모든 변수에서 높은 점수를 얻었다 특히, 흥미도와 X선 영상 해독력을 제외한 모든 변수에서 소극적 학생그룹이 적극적인 학생그룹보다 높은 상관계수를 보였다. 이러한 결과는 3D 프린팅 해부학 구조물을 이용한 자기주도 학습이 방사선학과 학생들에게 긍정적인 교육효과를 기대할 수 있다.
본 논문은 차세대 재구성 전력증폭기용을 위해서, 새로운 타입의 다중 모드 혼합형 전압 공급기를 제안한다. 이를 위한 핵심 회로인 스위칭 증폭기의 새로운 구조를 제안하였다. 혼합형 전압 공급기의 가장 중요한 성능지표 중의 하나인 효율을 증가시키기 위해 멀티 스위칭 증폭기 구조를 이용하였고, 또한 다중 모드 구현을 위해서 멀티 스위칭 증폭기와 입력 신호 검출단을 이용하였다. 성능 비교를 위해서 기본 구조를 지닌 혼합형 가변전압 공급기도 같이 설계되었으며, 새롭게 제안하는 구조 이외에는 모두 동일하게 설계하여 비교를 용이하도록 하였다. 설계된 혼합형 전압 공급기의 효율을 측정하기 위해 384 kHz/3.84 MHz/5 MHz 대역폭을 가지는 EDGE, WCDMA, LTE 신호를 적용하였다. EDGE를 적용한 효율은 85 %, WCDMA를 적용한 효율은 84 % 그리고 LTE를 적용한 효율은 79 %의 결과를 얻게 되었다. 이는 기본 구조보다 최대 9 %의 성능 향상을 얻었으며, 차세대 재구성 송신기인 다중 대역 및 다중 모드 송신기 구현에 적용 가능함을 입증한다.
본 연구는 기업 외부와 내부 환경요소들이 외부주체와의 협력 추진에 미치는 영향을 기업의 해외직접투자로서의 해외생산법인의 유무에 따른 차이와 함께 규명하고자 한다. 본 연구는 지금까지 협력(제휴)과 관련하여 그 결정요인에 대한 연구는 다양하게 분석이 이루어 졌으나, 해외직접투자의 유무에 따라 외부와 내부환경요소로 나뉘어 복합적 분석을 한 연구는 거의 찾아보기 어렵기 때문에 이를 규명하고자 하였다. 분석 결과로는 해외직접투자를 한 기업은 내부요인 중 설비투자의 효율, 가격경쟁력, 3년간 투자실적이 각각 유효한 제휴의 동기로 나타났고, 해외직접투자를 하지 않은 기업은 외부요인인 비용구조의 불확실성, 내부요인인 가격경쟁력, 투자실적이 유효한 결과로 나타났다. 결국, 본 연구에서는 해외직접투자를 한 기업과 해외직접투자를 하지 않는 기업은 모두 내부역량인 가격경쟁력과 3년간의 투자실적이 중요한 협력의 동기가 된다는 것과, 해외투자를 한 기업과 해외투자를 하지 않는 기업의 차이는 해외직접투자를 한 기업은 내부요인에서 설비투자의 효율이, 해외직접투자를 하지 않는 기업은 외부요인 중 비용구조의 불확실성이 각각 주요한 환경요인이 된다는 것을 규명하였다. 종합하여 보면, 본 연구의 시사점은 기업의 내부역량은 협력의 중요한 동기가 된다는 동시에 내부역량 강화는 또한 기업이 다른 기업과의 협력의 기회를 넓혀준다는 것이다.
Background: The structure and function of bone tissue is maintained through a constant remodeling process, which is maintained by the balance between osteoblasts and osteoclasts. The failure of bone remodeling can lead to pathological conditions of bone structure and function. Remifentanil is currently used as a narcotic analgesic agent in general anesthesia and sedation. However, the effect of remifentanil on osteoclasts has not been studied. Therefore, we investigated the effect of remifentanil on pre-osteoclast (pre-OCs) differentiation and the mechanism of osteoclast differentiation in the absence of specific stimulus. Methods: Pre-OCs were obtained by culturing bone marrow-derived macrophages (BMMs) in osteoclastogenic medium for 2 days and then treated with various concentration of remifentanil. The mRNA expression of NFATc1 and c-fos was examined by using real-time PCR. We also examined the effect of remifentanil on the osteoclast-specific genes TRAP, cathepsin K, calcitonin receptor, and DC-STAMP. Finally, we examined the influence of remifentanil on the migration of pre-OCs by using the Boyden chamber assay. Results: Remifentanil increased pre-OC differentiation and osteoclast size, but did not affect the mRNA expression of NFATc1 and c-fos or significantly affect the expression of TRAP, cathepsin K, calcitonin receptor, and DC-STAMP. However, remifentanil increased the migration of pre-OCs. Conclusions: This study suggested that remifentanil promotes the differentiation of pre-OCs and induces maturation, such as increasing osteoclast size. In addition, the increase in osteoclast size was mediated by the enhancement of pre-OC migration and cell fusion.
근래 국내 산업의 고도화와 수출입 증가에 따른 경제력의 상승과 함께 도로, 교량 및 항만시설의 확충과 각종 호안 및 해상구조물의 건설요구가 급증하고 있다. 해양수산부는 9대신항만의 건설과 기존어항의 재개발을 추진하고 있다. 이들 구조물의 대부분은 교각기초, 안벽, 돌핀, 안벽, 돌제 등은 강재나 콘크리트 파일로 새롭게 건설되고 있다. 이들 기초, 지지격벽 및 파일은 건설 후에 수면아래에 있게 되므로 구조물의 상태를 파악하기가 어렵고, 그 구조물의 보수나 보강이 충분하지 못한 상태이다. 더구나 매년 이러한 유지 보수작업은 구조물의 부식을 방지하기 위한 불완전한 보수와 수중공사로 인한 장기작업으로 고비용 때문에 정부의 예산을 소진하게 된다. 이와 같은 정부예산의 지출을 절감하기 위해서는 기존 구조물의 내구연한을 연장시킬 필요가 있는 것이다. 그러므로, 부유식 케이슨으로 건식작업환경을 제공함으로써 수선부근에서의 수중구조물의 유지를 위한 새로운 기법을 개발하였다. 개발한 방법은 작업구간을 쉽게 이동하고 취급이 용이한 것으로 나타났다. 또한 기 기법은 유지보수비용 및 방식작업 시간을 현저하게 줄이는 것은 물론 보다 나은 방식을 제공하는 것으로 나타났다. 이 기술은 해안 및 수중구조물의 유지와 건설비용을 줄이는 이정표가 될 것으로 본다.
본 연구에서, 랜덤(r-) 및 블록(b-) 구조를 가지는 가교 공중합 폴리이미드를 N,N-bis(2-hyoxyethyl)-2-aminoethanesulfonic acid와 pentanediol을 가교제로 사용하여 제조하였다. 비교를 위하여 가교되지 않은 r- 과 b- 술폰화 공중합 폴리이미드도 제조하였다. 술폰산기의 조성에 강한 의존성을 보이는 이온교환능 값은 r- 과 b- 술폰화 공중합 폴리이미드에서 서로 비슷한 경향을 나타냈다. 카르복실산 기의 dimerization을 통한 물리적 가교현상은, 가교되지 않은 b- 술폰화 공중합 폴리이미드 고분자의 평균 사슬 거리를 감소시켰으며, 결과적으로 함수율과 메탄올 투과도를 r- 술폰화 공중합 폴리이미드보다 감소시켰다. 동시에, 고분자의 평균 사슬 거리의 감소는 단위 부피당 fixed-charged 이온의 함량을 증가시켰고, 이렇게 높아진 liked-charged 이온 밀도는 b- 술폰화 공중합 폴리이미드의 수소이온 전도도의 향상에 기여하였다. 가교제 및 고분자 구조에 상관없이, 가교구조의 도입은 고분자 사슬간의 평균 거리를 감소시켰고, 메탄올 투과도를 낮추었다. 반면에, 수소이온 전도도는 향상되는 경향을 나타내었는데, 이는 수소이온의 전달을 담당하는 친수성 채널이 효과적으로 형성 될 수 있기 때문이다. 특히, 이러한 경향은 술폰산기를 가진 가교제로 가교된, r- 술폰화 공중합 플리이미드에서 뚜렷하게 나타났다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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