Bi co-doped ZnS:Mn,Bi yellow phosphors for white light emitting diodes were prepared by the conventional solidstate reaction method. The optical and structural properties of ZnS:Mn,Bi phosphors were investigated by x-ray diffraction, scanning electro microscopy and photoluminescence. ZnS:Mn,Bi phosphors showed XRD patterns of hexagonal structure. The photoluminescence of ZnS:Mn,Bi phosphors showed spectra extending from 480 to 700 nm, peaking at 580 nm. The photoluminescence of 580 nm in the ZnS:Mn,Bi phosphors was associated with the 4T1 ${\rightarrow}$ 6A1 transition of the Mn2+ ions. The highest photoluminescent intensity of the phosphors under 405 nm and 450 nm excitation was obtained at Bi concentration of 7mol%. The optimum mixing conditions with epoxy and yellow phosphor for white light emitting diodes were observed in a ratio of epoxy:yellow phosphor of 1:3.5. The CIE chromaticity of the white LED at the 1:3.5 ratio was X = 0.3454 and Y = 0.2449.
This paper presents the findings of a visiting scholarship research that was carried out at the Faculty of Engineering, University of Technology Sydney, Australia. Based on the extensive literature review, government databases and international statistics, it introduces an analytical framework for comparison of the national innovation systems (NIS) of China and Australia in regards to their strengths and weaknesses. This is done through individual examination and comparison of functions of typical institutions involved in innovation to reveal the structural characteristics and performances of the two systems. The interactions among these institutions are then analysed to illustrate their dynamics and efficiency. The comparison has shown clearly that China's NIS has several weaknesses and gaps due to its developing and transition stage. There are positive signs that Chinese Government has recognised the nature and scope of the problem and seems to work in the right direction. This paper aims to support this process by providing some recommendations that could help bridge the gaps between the NISs of China and Australia. Due to the fact that both, China's and Australia's NISs, have their unique characteristics but share numerous complementary features, there is a large potential for further cooperation between the two national innovation systems.
We investigated the effect of Nb substitution for Ru on the structural and magnetic properties of $(Ru_{1-x}Nb_x)\;Sr_2(Sm_{1.4}Ce_{0.6})Cu_2O_z$ Samples. X-ray diffraction measurements indicated that nearly single-phase samples are formed in the range from x = 0 to 1.0. The superconducting transition temperature determined from the inflection in the field-cooled magnetic susceptibility decreased only slightly from $T_c$ = 25 K for x = 0 to $T_c$ = 22 K for x = 1.0, in consistent with the change in room temperature thermopower of the samples. However, the Nb substitution for Ru above x = 0.25 significantly suppressed the weak ferromagnetic component of the field-cooled magnetic susceptibility. It was also found that the Nb substitution for Ru results in an enhanced diamagnetic susceptibility with Nb content above x = 0.5 in both zero field-cooled and field-cooled magnetization measurements, in contrast to the behavior of the samples with $x{\leq}0.5$ in which the diamagnetic susceptibility decreases as the Nb content increases.
Lee, Han Sol;Kim, Sung Hyun;Kim, Sun Dong;Woo, Sang Kuk;Chung, Woon Jin
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.56
no.2
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pp.173-177
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2019
Thermal properties of a SiO2-B2O3-BaO ternary glass system depending on compositional change of BaO have been examined to find a proper sealing material for reversible oxide cells. Glass transition temperature and thermal expansion coefficients increased simultaneously up to 55 mol% of BaO content. The structural role of BaO with regard to the thermal properties has been discussed on the basis of Raman spectroscopy results. Flowability of the glass at sealing temperature has been examined with packed glass powders of 12 mm diameter along with a high temperature optical microscope. The practical sealing property of the glass was also examined with YSZ coated with NiO-yittria stabilized zirconia (NiO-YSZ) and it showed good adhesion without noticeable reaction with NiO-YSZ layer.
With varying rapid thermal annealing (RTA) temperature, luminescence properties of $Zn_{0.75}Mg_{0.25}S:Mn$ thin film deposited by RF-magnetron sputtering technique were investigated. In this study, $Zn_{0.75}Mg_{0.25}S:Mn$ thin film phosphor showed more red emission than those of the previous studies when annealed around 600 or $650^{\circ}C$. Although all samples were deposited from identical source composition, a main peak wavelength of photoluminescence spectra of $Zn_{0.75}Mg_{0.25}S:Mn$ shifted toward shorter wavelengths depending upon increase of RTA temperature. The same dependence of wavelength on RTA temperature was also observed in cathodoluminescence as well as electroluminescence measurements. It was revealed that the change of the luminescence properties were originated from structural changes in $Zn_{0.75}Mg_{0.25}S:Mn$ thin film phosphor from cubic to hexagonal phases analyze using conventional X-ray pole figure mapping. The phase transition would be the origin of luminescence property changes with respect to RTA temperature.
The transformation of alkylaromatic hydrocarbons using zeolite catalysts play big part in the current petrochemical industry. Here we review recent advances in the understanding of the reaction mechanisms of various alkylaromatic conversions with respect to the structural and physicochemical properties of zeolite catalysts employed. Indeed, the shape-selective nature of zeolite catalysts determines the type of reaction intermediates and hence the prevailing reaction mechanism together with the product distribution. The prospect of zeolite catalysis in the developement of more efficient petrochemical processes is also described.
A bilayer film consisting of a layer of a-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ with a surface layer of silver -100[.angs.] thick and a monolayer film of a-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ are irradiated with 9[keV] Ga$^{+}$ ion beam. The Ga$^{+}$ ion (10$^{16}$ [ions/cm$^{2}$] exposed a-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ and Ag/a-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ thin films show an increase in optical absorption, and the absorption edge on irradiation with shifts toward longer wavelength. The shift toward longer wavelength called a "darkening effect" is observed also in film exposure to optical radiation(4.5*10$^{20}$ [photons/cm$^{2}$]). The 0.3[eV] edge shift for ion irradiation films is about twice to that obtained on irradiation with photons. These large changes are primarily due to structural changes, which lead to high etch selectivity and high sensitivity.
In this study, we prepared Pb-Ti stock solution by sol-gel processing and deposited PbTiO3 thin film on a Pt coated SiO2/Si wafer by spin coating using the stock solution. We used lead acetate trihydrate and titanium isopropoxide. The stock solution was partially hydrolized and finally a 0.25M coating solution was prepared. We achieved spin coating at 4000rpm for 30 seconds and heated the thin film at 375$^{\circ}C$ for 5 minutes and at $600^{\circ}C$ for 5 minutes successively, first and second heating state. And the thin film was finally sintered at 90$0^{\circ}C$ for 1 hour in the air. The upper electrode of the thin film was made by gold sputtering and was cricle shape with radius 0.4mm. Measured dielectric constant, dissipation factor and phase transition temperature(Cuire Temp.) were about 275, 0.02 and 521$^{\circ}C$ respectively. To observe ferroelectric characteristics we calculated Pr(remnant polarization) and Ec(coercive field) byhysteresis curve. Ec was 72kV/cm and Pr was 11.46$\mu$C/$\textrm{cm}^2$.
MO studies have been carried out on 1,5-hydrogen shifts between tautomeric forms (6${\pi}$ system) of ${\beta}$-diketones, ${\beta}$-thioxoketones and ${\beta}$-dithioketones by determining transition state and analyzing structural stability effects on the activation barriers using MNDO method. The barrier was found to increase with the stability of the ground state having greater charge separation and with the increase (less stabilization) in the one electron energy ${\Delta}(2\sum\limits^{occ}{\varepsilon}i)^{\neq}$ in the activation process.
Recently, the growth of ZnO thin film on glass substrate has been investigated extensively for transparent thin film transistor. We have studied the phase transition of ZnO thin films from metal to semiconductor by changing RF power in the deposition process by RF magnetron sputtering system. The structural, electric, and optical properties of the ZnO thin films were investigated. The film deposited with 75 watt of RF power showed n-type semiconductor characteristic having suitable resistivity $-3.56\;{\times}\;10^{+1}\;{\Omega}cm$, carrier concentration $-2.8\;{\times}\;10^{17}\;cm^{-3}$, and mobility $-0.613\;cm^2V^{-1}s^{-1}$ while other films by 25, 50, 100 watt of RF power closed to metallic films. From the surface analysis (AFM), the number of crystal grain of ZnO thin film increased as RF power increased. The transmittance of the film was over 88% in the visible region regardless of the change in RF power.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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