• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.311-311
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• 2012

Boron carbide (B-C) 박막은 높은 경도, 열적 안전성, 화학적 안전성이 우수한 하드 코팅 소재로 사용되고 있다. 우수한 특성을 가지는 B-C 박막에 대한 연구는 B4C 비전도성 타겟을 이용하여 RF Sputtering 법으로 증착 공정변수에 대해서 박막의 물성에 관해 일부 연구자들이 진행하였으나, Pulsed dc margnetron sputtering 법으로 증착 공정변수에 대한 물성의 연구는 미진하였다. 반면에, DLC 박막은 우수한 특성을 가지는 하드 코팅 소재이나 400도 이상에서는 내열성이 떨어지는 단점을 가지고 있다. 연구에서는 B-C 박막의 내열성이 우수한 특성을 이용하여 DLC 박막의 내열성을 높이기 위한 목적으로 B-C 박막과 DLC 박막을 다층막으로 제조함으로서 DLC 박막을 구조적으로 안정화를 시키고자 하였다. 그리고 비전도성 B4C 타겟으로 Pulsed dc 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 증착기술을 개발하기 위해서 공정압력과 인가전력에 따른 B-C 박막을 제조하여 그 물성을 조사하였고, B-C/DLC 다층막을 제조하여 DLC 박막의 내열성을 증가시키고자 하였다. B-C 박막과 B-C/DLC 다층막의 경도와 탄성율은 나노인덴테이션과 마이크로 비커스를 이용하였으며, 박막의 성장구조와 박막의 구조를 조사하기 위해 SEM과 FTIR 및 XRD 을 이용하여 측정하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.10a
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• pp.167-169
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• 2003

AC PDP(Plasma Display panel)에서 MgO 보호막은 방전공간에 직접 노출되어 있기 때문에, AC PDP의 수명과 방전 특성이 직접적인 영향을 미친다. 그동안 보다 좋은 특성의 MgO 보호막을 증착하기 위한 연구가 Magnetron-sputtering, E-beam, ion-plating 등 여러 가지 방법에 의해 진행되어 왔다. 본 논문에서는 Bipolar pulse power를 사용하여 sputtering 방법으로 MgO 보호막을 증착하여, 그 전기적, 광학적 특성을 기존의 magnetron-sputtering 방법으로 증착한 MgO 보호막과 비교하였다. 그 결과 Bipo1ar pulse power를 이용한 MgO 보호막의 결정립이 더 크게 나타났으며 그것으로부터 AC PDP의 수명향상에 효과가 있을 것으로 사료된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.299-300
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• 2005

본 연구에서는 $SiO_2$ 판상체 위에 저굴절 및 고굴절 금속 산화물을 다층 교차 증착하여 Pearl Pigment를 sputtering 공법을 이용하여 증착하였다. Pearl Pigment는 Essential Macleod program 을 이용한 색상과 증착된 pigment의 색상이 파장에 따라 blue, violet, pink, red, orange, yellow, green 등(Wave length : 450$\sim$730 nm)으로 동일하게 나타났고, 기존의 제품에 비해 색상효과가 뛰어나고, 표면 morphology가 우수하였다. 주사전자현미경(SEM)으로 막 두께, 표면 조직 및 입자 크기를 측정하였고, 스펙트로미터를 사용하여 각각의 파장을 분석하였으며 EDS, XRD를 이용하여 정성 및 정량 분석을 하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.139-139
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• 2011

DC magnetron sputtering과 DC pulsed magnetron sputtering을 이용하여 공정 압력별, $O_2$ 분압별, 온도등의 증착조건에 따른 IGZO 박막의 특성을 조사하였다. Working pressure 따른 deposition rate 측정한 결과 동일 파워 적용 시 DC magnetron sputtering 대비하여 DC pulsed magnetron sputtering 은 약 84% 수준에 머물렀으며, IGZO 박막 내에 $O_2$의 분압비가 증가함에 따라 투과도는 단파장 영역에서 장파장 영역으로 갈수록 상승 경향을 보였다. 캐리어 농도와 이동도 등 전기적 특성도 증가하는 경향을 보였다. 온도에 따른 전기적 특성을 비교 해 본 결과 상온과 $150^{\circ}C$ 영역에서는 유의차가 없었으며, DC pulsed magnetron sputtering의 경우 $50^{\circ}C$ 영역에서 변곡점이 형성됨을 알수 있었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.4
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• pp.367-372
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• 2000

ZnO thin films were deposited on amorphous slide glass and $SiO_2$/Si substrates by Facing Targets Sputtering method with sputtering current 0.1~0.8 A, working pressure 0.5~3 mTorr and substrate temperature R.T~$400^{\circ}C$. When the sputtering current was 0.4 A, working pressure was 0.5 mTorr and substrate temperature was 30$0^{\circ}C$, ${\Delta}{\Theta}_{50}$ value of ZnO/glass and ZnO/$SiO_2$/si thin film was $3.8^{\circ}$ and $2.98^{\circ}$, respectively. In these conditions, we knew that ZnO thin film were deposited with good c-axis orientation on amorphous slide glass by FTS system.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.11 no.3
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• pp.141-150
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• 2002

Titanium oxide thin films were deposited by DC reactive magnetron sputtering(RMS) with Ar ion-beam assistance using end-Hall ion source at low oxygen partial pressure and long target-to-substrate distance. The optical and structural properties of deposited films were investigated by the measurement of measured transmittance and reflectance, atomic force microscope(AFM), and X-ray diffraction(XRD). The results show that the Ax ion-beam assisted RMS for titanium oxide thin films induces the higher packing density, lower absorption, and smoother surface than the conventional RMS, suggesting that it can be employed in deposition of optical dielectric coatings.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.424-424
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• 2012

나노 구조의 반도성 산화물은 독특한 구조적 특성으로 전기적, 광학적 특성을 향상 시킬 수 있다. 현재 연구되고 있는 나노 구조의 반도성 산화물 중 Zinc oxide (ZnO)는 3.37 eV의 bandgap를 갖는 wurtzite 구조체로서 상온에서 60 meV의 exciton binding energy 등 우수한 특성으로 인하여 최근 많이 연구되고 있다. 특히 단파장 light emitting diode 재료로써 기대를 모으고 있는데, 이를 실현하기 위한 가장 큰 문제점이 바로 안정적인 p-type ZnO 박막의 제조이다. 지금까지 알려진 바에 따르면 P를 doping한 후 급속 열처리한 경우 p-type의 전기전도도를 갖는 ZnO 박막을 제조할 수 있다고 보고되어 있으나 vacancy 농도에 따른 불안정적인 요소가 해결해야 할 문제로 남아 있다. 최근 Ag를 doping 시킨 ZnO 박막의 p-type 반도체로서 가능성에 대한 보고가 제기되고 있다. 합성 방법과 조건에 따라서 수 nm에서 수십 또는 수백 nm 크기의 구형 입자나, 리본, 와이어, 로드 그리고 꽃모영 등 다양한 형상을 갖는 나노 구조체를 합성 할 수 있다. 본 연구에서는 ZnO:Ag 박막을 radio-frequency sputtering 방법으로 증착하여 그 물성을 분석하였다. 보통의 sputtering 증착법에서 사용되는 sintering된 타겟과 달리 본 실험은 분말 타겟을 이용하여 박막을 증착하였다. 타겟은 95 wt% ZnO와 5 wt% Ag를 서로 혼합하여 제조하였다. 본 발표에서는 박막의 증착압력 및 증착 온도의 변화에 따른 ZnO:Ag 박막의 구조적, 광학적 특성에 대하여 논의 할 것이다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.37 no.10
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• pp.1014-1020
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• 2000

RF 마크네트론 스퍼터법으로 Ce의 일부를 희토류 원소로 치환한 Ce$_{1-x}$RE$_{x}$O$_{2-y}$(0.1$\leq$x$\leq$0.4, RE=Y, Nd) 박막을 Si(111), $Al_2$O$_3$(1012) 기판 위에 1450~1$600^{\circ}C$로 소결한 target을 이용하여 성장시켰다. Ce$_{1-x}$RE$_{x}$O$_{2-y}$ 박막의 성장시 기판온도 및 증착시간 등을 변화시켜 성장시켰으며, 성장된 박막의 특성분석은 XRD, SEM, TEM으로 행하였다. 증착된 박막의 방향성 및 결정성장 거동은 증착온도 및 시간에 따라 차이를 보였다. Si(111) 기판 위에 증착된 Ce$_{1-x}$Y$_{x}$O$_{2-y}$(x=0.3) 박막의 경우, 80$0^{\circ}C$에 비해 7$50^{\circ}C$에서 증착 시간에 따른 (111) 우선배향성의 정도가 나은 결과를 보였으며, $Al_2$O$_3$(1012) 기판 위에 증착한 Ce$_{1-x}$Nd$_{x}$O$_{2-y}$(x=0.3) 박막 또는 (111) 우선배향성을 나타내었다.을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.194-194
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• 2010

태양전지용 투명전도막에 사용되는 Al-doped ZnO (AZO) 막은 저가이면서도 가시광역 영역에서 갖는 우수한 투과율과 낮은 비저항을 갖는 특성 때문에 ITO의 대체 재료로서 최근 활발한 연구가 진행되고 있다. 특히, 양산 현장에서는 in-line type의 대형 sputtering system에서 증착하고 있으며 높은 증착 속도와 박막 특성의 균일도가 중요한 과제다. 본 연구에서는 $2\;m\;{\times}\;1\;m\;{\times}\;0.2\;m$의 sputtering system에서 기판 캐리어를 이용해서 커다란 기판을 좁고 긴 타겟의 양쪽으로 왕복 운동을 하는 swing dynamic deposition 방법으로 $272\;mm\;{\times}\;500\;mm$ 크기의 AZO target (Al 2 wt%)을 이용하여 bipolar pulsed dc로 증착하였다. 이 시스템의 배기는 TMP와 cryo pump를 이용해서 $5\;{\times}\;10^{-7}\;Torr$의 기본 진공도를 얻으며, 공정 중에는 TMP만 사용하였다. 하지만, 본 시스템의 TMP는 비대칭 적으로 한쪽에 치우쳐 설치되어 있는데, 이것이 챔버 내에서 공정 가스인 Ar의 유동의 불균일도를 초래하게 되며, 그것이 증착되는 박막의 두께 균일도 및 특성 균일도에 영향을 주고 있음을 알 수 있었다. 본 연구에서는 다른 기본 진공도에서 증착된 AZO 박막의 특성 차이를 알아보고 비대칭 배기 구조가 in-line type 시스템에서 어떠한 두께 및 특성 불균일도를 가져오는지, 그리고 시스템 내부에 발생시키는 압력 불균일도를 상용 3차원 전산 유체해석 프로그램인 CFD-ACE+를 이용하여 분석하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.46 no.4
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• pp.676-680
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• 2008

TiN thin films were deposited on a $SiO_2(2000{\AA})/Si$ substrate by radio-frequency(rf) magnetron sputtering. TiN films were prepared under varying $N_2$ concentration in $N_2/Ar$ gas mix, rf power and gas pressure, and investigated in terms of deposition rate, resistivity and surface morphology. As $N_2$ concentration increased, the deposition rate and the surface roughness of the films decreased and the resistivity increased. With increasing rf power, the deposition rate increased but the resistivity was decreased. As gas pressure increased, little change in deposition rate was obtained but the resistivity rapidly increased. TiN film with resistivity of $2.46{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ at 1 mTorr was formed. It was observed that there existed a correlation between the deposition rate and resistivity. In particular, the gas pressure has a strong influence on the resistivity of thin films.