• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제2권2호
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• pp.1-4
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• 2003

We have developed a rotating compensator spectroscopic ellipsometer (RCSE). As the ellipsometry measures a change in the polarization state of a light wave upon non-normal reflection from surface, the degree of sensitivity is enhanced greatly through the detection of relative phase change. RCSE acquires additional information from the non-ideal surface of sample and operates over the photon energy range from 1.5 to 4.5 eV. We applied RCSE to measure the optical properties of films and the line-width of patterned PR films on crystalline silicon.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권2호
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• pp.240-248
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• 1998

화학기상증착 방법에 의한 다결정 다이아몬드 박막성장을 위한 공정가운데 가장 많이 사용되는 기법중의 하나가 바로 플라즈마에 의한 방법이다. 특히 플라즈마 화학기상증착(Plasma-Enhanced CVD)기술에 의한 다이아몬드 박막응용은 그 공정에 대한 세부 조정을 통하여 더욱 향상시킬 수 있다. 다이아몬드 박막증착의 경우 중요 변수들은 다이아몬드 필름이 증착되는 기판(substrate)의 온도, $CH_4/H_2$가스비율, 전체가스 압력 및 가스 excitation에너지 등이다. 분광 ellipsometry는 다이아몬드 필름 증착과 관련된 극단적인 환경에서도 물리적인 접촉이나 만들어지는 샘플의 손상없이도 필름자체의 여러 성질뿐만 아니라 기초 샘플의 온도까지도 결정할 수 있는 좋은 방법이다. 이러한 장점들을 이용하여 양질의 다이아몬드 박막을 성장시키기 위한 조건과 그에 따른 박막 특성을 얻기 위하여 분광 ellipsomerry의 사용과 해석이 소개된다. 그리고, 분광 ellipsometry를 이용, 플라즈마 화학기상증착 기술에 의하여 성장되는 다이아몬드 박막으로부터 나타나는 중요 변수들이 결정될 것이며 이러한 변수들은 필름의 두께, 필름에 포함되는 void 및 비다이아몬드의 체적비와, 그들의 시간에 따른 변화등을 포함한다. 그리고 샘플이 원하는 두께까지 성장된 후에 라만 분광기로 측정되어 다이아몬드 성분을 확인한다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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• pp.191-194
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• 2005

Evaluating methods of the polar and/or azimuthal anchoring strength coefficients by means of the renormalized transmission spectroscopic ellipsometry are demonstrated. The Anchoring strength coefficients can be evaluated from the measurement of ellipsometric parameters measured by the oblique incident transmission ellipsometry, where the effect of multiplebeam interference is eliminated. The device parameters such as the pretilt angle and cell gap can be determined simultaneously even in the case of the twisted nematic liquid crystal sample cells.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.250-253
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• 2009

Effective methods for monitoring the quality of polycrystalline silicon (poly-Si) films are discussed. Raman spectroscopy is typically used to determine crystallinity of poly-Si, but this method has limitations for data gathering on large substrates for mass production of poly-Si TFT backplanes. Spectroscopic ellipsometry is proposed as an alternative for fast and simple estimation of poly-Si quality on large substrates. By using both ellipsometry and Raman spectroscopy, it is possible to determine whether the quality and uniformity of the poly-Si films meet the criteria required for mass production of TFT backplanes for AMOLED panels.

• 한국광학회지
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• 제14권3호
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• pp.272-278
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• 2003

분광타원법을 이용하여 PDP용 ITO박막의 광학상수 및 패턴을 분석하였다. ITO 박막의 광물성은 로렌쯔 진동자 모델을 사용하고 ITO의 패턴에 의한 효과는 전체빔이 ITO와 유리기층을 덮는 면적비 가중치를 가진 반사율 평균방법으로 반영시켰다. PDP 다층박막을 구성하고 있는 유리기층 위의 ITO박막 패턴이 타원데이터에 미치는 영향을 분석하여 ITO가 패턴에서 차지하는 면적비를 결정하였다. 측정된 분광타원데이터에 최적맞춤한 ITO의 상대면적값이 예측값과 보이는 차이를 검토함으로써 분광타원법을 사용한 ITO패턴분석의 한계와 이를 극복하는 방법을 제시하였다.

• 한국광학회지
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• 제1권1호
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• pp.73-86
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• 1990

The technique of Spectroscopic Ellipsometry (SE) has been examined with emphasis on its inherent sensitivity to the existence of thin films or surface equivalents. A brief review of related theories like the Fresnel reflection coefficients, the effect of a multilayer upon reflectivities, together with the validity of the effective medium theory and the modelling procedure, is followed by a short description of the experimental setup of a rotating polarizer type SE as well as the necessful expressions which lead to tan and cos. Out of its numerous, successful applications, a few are exampled to convince a reader that SE can be applied to a variety of research fields related to surface, interface and thin films. Specifically, those are adsorption and/or desorption on metals or semiconductors, oxidation process, formation of passivation layers on an electrode, thickness determination, interface between semiconductor and its oxide, semiconductor heterojunctions, surface microroughness, void distribution of dielectric, optical thin films, depth profile of multilayered samples, in-situ or in-vitro characterization of a solid surface immersed in electrolyte during electrochemical, chemical, or biological treatments, and so on. It is expected that the potential capability of SE will be widely utilized in a very near future, taking advantage of its sensitivity to thin films or surface equivalents, and its nondestructive, nonperturbing characteristics.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제3권1호
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• pp.31-34
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• 2004

We develop Mueller-matrix spectroscopic ellipsometry based on dual compensator configuration. This technique is very powerful for measuring surface anisotropy in nano-scale, especially when materials show depolarization. Dual-rotating compensator configuration is adopted with the rotational ratio of 5:3 originally developed by Collins et al[1]. The instrument can provide 250-point spectra over the wavelength range from 230 nm to 820 nm in one irradiance waveform with minimum acquisition time of Tc=10 s. In this work, the results obtained in transmission modes are presented for the initial attempt. We present calibration procedures to diagnose the system from the utilized data collected in transmission mode without sample. We expect that the instrument will have important applications in thin films and surfaces that have anisotropy and inhomogeneity.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2001년도 제12회 정기총회 및 01년도 동계학술발표회
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• pp.256-259
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• 2001

Rotating-compensator type ellipsometer was developed for spectroscopic measurements. For accurate data reduction, the azimuths of transmission axises of polarizer and analyzer, and the angular position of the fast axis of compensator should be determined through calibration process. In this paper, we present various calibration methods.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1997년도 제13회 학술발표회 논문개요집
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• pp.152-153
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• 1997

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2001년도 하계학술발표회
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• pp.46-47
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• 2001