$SiO_x/ZnO$ composites were prepared from sol-gel method for excellent cycle life characteristics. The composites were coated by PVC as a carbon precursor. ZnO removal to create a void space therein was able to buffer the volume change during charge and discharge. To determine the crystal structure and the shape of the synthesized composite, XRD, SEM, TEM analysis was performed. The carbon contents in the composites were confirmed by TGA. The pore structure and pore size distribution of the composite was measured with the BET specific surface area analysis and BJH pore size distribution. Enhanced electric conductivity by carbon addition was determined from powder resistance measurement. Electrochemical properties were measured with the AC impedance and the charge and discharge cycle life characteristics. When carbon was coated on the $SiO_x/ZnO$ sample, the electrical conductivity and the discharge capacity were increased. After removal of ZnO with HCl the surface area of the sample was increased, but the discharge capacity was decreased. $SiO_x/ZnO$ sample without acarbon coating showed very low discharge capacity, and after carbon coating the sample showed high discharge capacity. For cycle life characteristics, $C-SiO_x/ZnO$ composite (Zn : Si : C = 1 : 1 : 8) with a capacity of $815mAh\;g^{-1}$ at 50 cycle and 0.2 C has higher capacity than existing graphite-based anode materials.
Nanostructured spinel NiZn ferrites were prepared by the sol-gel method from metal nitrate raw materials. Analyses by X-ray diffraction and scanning electron microscopy showed the average particle size of NiZn ferrite was under 50 nm. The single phase of NiZn ferrites was obtained by firing at 250${\circ}C$, resulting in nanoparticles exhibiting normal ferrimagnetic behavior. The nanostructured $Ni_{1-X}Zn_XFe_2O_4$ (x=0.0∼1.0) were found to have the cubic spinel structure of which the lattice constants ${\alpha}_2$ increases linearly from 8.339 to 8.427 ${\AA}$ with increasing Zn content x, following Vegard's law, approximately. The saturation magnetization $M_s$ was 48 emu/g for x=0.4 and decreased to 8.0 emu/g for higher Zn contents suggesting the typical ferrimagnetism in mixed spinel ferrites. Pure NiZn ferrite phase substituted by Cu was observed before using the additive but hematite phase was partially appeared at $Ni_{0.2}Zn_{0.2}Cu_{0.6}Fe_2O_4$. On the other hand, the hematite phase in this NiZn Cu ferrite was disappeared after using the additive of acethyl aceton with small amount. The saturation magnetization Ms of $Ni_{0.2}Zn_{0.8-y}Cu_yFe_2O_4$(y=0.2∼0.6) as measured was about 51 emu/g at 77K and 19 emu/g at room temperature, respectively.
Rho, Seung Yun;Kim, Ki Do;Song, Gun Yong;Kim, Hee Taik
Applied Chemistry for Engineering
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v.17
no.3
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pp.274-279
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2006
To synthesize ZnO colloidal solution by a sol-gel process, zinc acetate ($C_{4}H_{6}O_{4}Zn{\cdot}2H_{2}O{\cdot}0.2\;mol$) and lithium hydroxide ($LiOH{\cdot}H_{2}O{\cdot}0.14\;mol$) in the ethanol were added to the solution containing a dispersing agent, hydroxypropyl cellulose (HPC). The nanosize and physical shape of the synthesized ZnO particles were determined by HPC acting as the dispersing agent. Nanosized ZnO particles were also obtained by a precipitation method based on zinc-2-ethylhexagonate. The precipitates were characterized by DLS, XRD, FE-SEM, and UV-vis. As the results, the ZnO colloids tend to self-assemble into a well-ordered hexagonal close-packed structure. The ZnO nanoparticles have an average diameter of nearly 40 nm with a narrow size distribution.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.352.2-352.2
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2016
In recent times, much effort has been concentrated on trivalent rare-earth ions activated ceramics or oxide phosphors to develop display industries due to their promising applications in optoelectronic devices and field-emission displays. To prepare efficient phosphors, citrate sol-gel method is one of the best synthetic methods. Green and blue emissive CaLa2ZnO5:RE3+ nanocrystalline materials are synthesized by a citrate sol-gel method. After the samples annealing at $1100^{\circ}C$, morphological and structural properties are investigated by scanning electron microscope images and X-ray diffraction patterns, respectively. At low electron beam voltage of <5 kV, the visible photoluminescence properties are obtained. Various concentrations of the RE3+ ions exhibited their characteristic emission peaks at different excitation wavelengths, respectively. Similarly, at high electron beam anodic voltage, the cathodoluminescence properties are studied as a function of acceleration voltage and filament current. The chromaticity coordinates are calculated for the optimized CaLa2ZnO5 nanocrystalline luminescent materials.
In order to improve the performance of green emitting phosphors for plasma display panel, the $Zn_2SiO_4:Mn,Al$ phosphors were synthesized using sol-gel technique and studied using SEM and VUV photoluminescence spectrometer. pH values of the starting solutions (pH = 0.5$\~$2.34) were controled by HCl as the catalysis of hydrolysis and wet gels were dried at $80^{\circ}C$ and $120^{\circ}C$, respectively. We investigated the effects of pH and drying temperatures during sol-gel processes. The results indicated that the phosphor prepared at pH = 1 showed the maximum emission intensity in both drying conditions and the effect of pH of the starting solution on morphology were increased with particle size as HCl and phosphor dried at high temperature showed more spherical and smaller particles than at low.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.31
no.1
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pp.55-60
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2018
Transparent conductive thin films (TCFs) are essential materials for solar cells, organic light-emitting diodes, and display panels. Indium tin oxide (ITO) is one of the most widely used commercial materials to create TCFs'; however, new materials that can possibly replace ITO at a lower cost and/or those possessing mechanical flexibility are urgently needed. Silver nanowire (AgNW) is one of those promising materials, as it is less expensive and possesses superior mechanical flexibility as compared to ITO. We used AgNW and sol-gel ZnO to fabricate composite thin films by spray coating. We propose two spray-coating methods: the 'metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)/AgNW' method and the Mixture method. These two methods are expected to be commercialized for high-quality and low-cost products, respectively.
In this work, Zinc ferrite nanoparticles have been prepared by various methods, conventional (ZC), mechanochemical processing (ZM) and Sol-Gel (ZS) method, to compare their structural and magnetic properties. The cation distribution obtained from XRD shows the degrees of inversions are 4%, 14.8%, and 16.4% from the normal $ZnFe_2O_4$ structure. Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) confirms changes in cation distribution of $ZnFe_2O_4$ fabricated by sol-gel and mechanochemical processing. The $^{57}Fe$ M$\ddot{o}$ssbauer spectra of the samples were recorded at room temperature. The spectra exhibit a line broadening. The magnetic properties of the samples were studied by vibration sample magnetometer (VSM) at room temperature and the results show that the sample ZM has ferrimagnetic behaviour.
Yoon, Hyunsik;Kim, Ikhyun;Kang, Daeho;Kim, Soaram;Kim, Jin Soo;Son, Jeong-Sik;Leem, Jae-Young
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.204.2-204.2
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2013
Wide band gap II-VI semiconductors have attracted the interest of many research groups during the past few years due to the possibility of their applications in light-emitting diodes and laser diodes. Among the II-VI semiconductors, ZnO is an important optoelectronic device material for use in the violet and blue regions because of its wide direct band gap (Eg ~3.37 eV) and large exciton binding energy (60 meV). F-doped ZnO (FZO) and undoped ZnO thin films were grown onto quartz substrate by the sol-gel spin-coating method. The doping level in the solution, designated by F/Zn atomic ratio of was varied from 0 to 5 in 1 steps. To investigate the effects of the structure and optical properties of FZO thin films were investigated using X-ray diffraction (XRD), UV-visible spectroscopy, and photoluminescence (PL). In the XRD, the residual stress, FWHM, bond length, and average grain size were changed with increasing the doping concentration. For the PL spectra, the high INBE/IDLE ratio of the FZO thin films doping concentration at 1 at.% than the other samples.
For the high efficiencies of quantum dot-sensitized solar cells (QDSCs), it is important to control the severe electron recombination at the interface of photoanode/electrolyte. In this work, we optimize the surface passivation process of ZnS/SiO2 double overlayers for the enhanced photovoltaic performances of QDSCs. The overlayers of zinc sulfide (ZnS) and SiO2 are coated on the surface of QD-sensitized photoanode by successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method, and sol-gel reaction, respectively. In particular, for the sol-gel reaction of SiO2, the influences of temperature of precursor solution are investigated. By application of SiO2 overlayers on the ZnS-coated photoanode, the conversion efficiency of QDSCs is increased from 5.04% to 7.35%. The impedance analysis reveals that the electron recombination at the interface of photoanode/electrolyte is obviously reduced by the SiO2 overlayers.
Isopropanol of low boiling point was used as a solvent to prepare Al-doped ZnO(AZO) thin films. A homogeneous and stable sol was made from Zn acetate a solute whose mole concentration was 0.7mol/$\iota$ and Al chloride as a dopant. Al-doped ZnO thin films were prepared by sol-gel method as a function of post-heating temperature from 500 to $700^{\circ}C$ and the optical and electrical properties were investigated. The c-axis orientation along (002) plane was enhanced with the increasing of post-heating temperature and the surface morphology of the films showed a homogeneous and nano-sized microstructure. The optical transmittance of the films post-heated below $650^{\circ}C$ was over $86\%$, but decreased at $700^{\circ}C$. The electrical resistivity of the thin films decreased from 73 to 22 $\Omega$-cm as the post-heating temperature increased up to $650^{\circ}C$, but increased greatly to 580 $\Omega$-cm at $700^{\circ}C$. XPS analysis indicated that the deterioration of electrical and optical properties was attributed to the precipitation of $Al_2O_3$ phase on the surface of AZO thin film. This result suggests that the optimum post-heating temperature to improve electrical and optical properties is $600^{\circ}C$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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