This study was conducted on the structural and electrical properties of (Ba0.7Sr0.3)TiO3 thin films prepared by the sol-gel and spin-coating methods in order to investigate their applicability to electrocaloric devices. All specimens showed a tetragonal crystal structure and lattice constants of a = 3.972 Å, c = 3.970 Å. The mean grain size of specimens sintered at 800 ℃ was about 30 nm, and the average thickness of 5 times coated specimens was 304~311 nm. In the specimen sintered at 750 ℃, The relative dielectric constant and loss of specimens measured at 20 ℃ were 230 and 0.130, respectively, while dependence of the dielectric constant on unit DC voltage was -8.163 %/V. The remanent polarization and coercive fields were 95.5 μC/㎠ and 161.3 kV/cm at 21 ℃, respectively. And, the highest electrocaloric property of 2.69 ℃ was observed when the electric field of 330 kV/cm was applied.
Byeong-Jun Park;Sam-Haeng Lee;Ji-Won Kim;Joo-Seok Park;Sung-Gap Lee
Journal of Ceramic Processing Research
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v.22
no.2
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pp.214-220
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2021
Heterolayered potassium tantalate niobate(KTN(70/30)/KTN(30/70)) thin films on Pt/Ti/SiO2/Si substrates prepared by the sol-gel process and spin coating method. When sintered at 700 ℃ or higher, the X-ray diffraction intensities of the perovskite phase were greatly increased, and it was observed as the main phase of the KTN heterolayered thin film. As the sintering temperature increased from 650 ℃ to 800 ℃, the average grain size increased from 146nm to 380 nm, and the average thickness of the KTN films coated six times was about 394-441 nm. Dielectric constant and dielectric loss of the KTN film sintered at 750 ℃ and room temperature showed good properties of about 2850 and 0.573, respectively, and all films exhibited the typical dielectric relaxation characteristics. The phase transition temperature of KTN thin film was around 12-13 ℃. Remanent polarization and the coercive field of KTN film sintered at 750 ℃ showed excellent properties of 23.98 μC/cm2 and 35.41 kV/cm, respectively. Adiabatic temperature changes (ΔT) and electrocaloric strength of the KTN films sintered at 750 ℃ at 60 ℃ were 2.67℃ and 0.012 KcmkV-1, respectively.
Using sol-gel processing method, thin films of lathanum modified lead titanate(PLT) on Corning 7059 glass were prepared. A differential thermal analysis (DTA/TG) curve of gel powder and infrared spectra (FT-IR) of the films were measured to estimate residual organices in them. The heat-treated films were characterized by X-ray diffraction(XRD). Microstructures of the films were observed by a scanning electron microscope (SEM). Optical properties of the films were determined by a UV-VIS spectrophotometer. The waveguiding properties and optical attenuation were measured with the end coupling method and the cut back method. Effects of the drying conditions on the transmittance and the propagation loss of the films were investigated. Experimemtal results showed that the content of residual organics in the film decreased as the drying temperature of the film increased. As the La content of the film increased, the grain size decreased and the transmittance increased. The transmittances of the films increased with the increasing of the drying temperature. The propagation losses in the film decreased as the drying temperature increased.
Monodisperse, spherical $PMSQ/TiO_2$ composite fine powders were prepared by modified sol-gel process where 300 nm $TiO_2$ fine powders were used as seed particles for hetero-condensation with hydrolyzed MTMS (Methyltrimethoxysilane). The reaction was carried out under $N_2$ atmosphere at ambient temperature using $NH_3$ as a catalyst. Methanol was used as a solvent. Powder was obtained by the filtration of the solution with a glass filter and washing with acetone. The stirring rate, reaction temperature, $[H_2O]/[MTMS]$ and $[MTMS]/[TiO_2]$ ratio were varied to investigate shapes and sizes of particles. Monodisperse particles of $1-2{\mu}m$ diameter were obtained with [MTMS]=0.2 M, $[NH_3]=0.6M$, $[H_2O]/[MTMS]=100$, $[MTMS]/[TiO_2]=10-50$ at ambient temperature with mild stirring condition. These composite particles had a contact angle of almost 180 degree contact angle with water, which proves their excellent hydrophobicity. The study of UV absorption spectra showed that they have UV protecting effect.
ITO films were achieved by sintering at $500{\sim}550{^{\circ}C}$. This was possible by inducing a seeding effect on an ITO sol by producing crystalline ITO nanoparticles in situ during heat treatment. Two kinds of ITO sols (named ITO-A and ITO-B) were prepared at 2.0 wt% from indium acetate and tin(IV) chloride in different mixed solvents. The ITO-A sol showed a high degree of crystallinity of ITO without any detectable Sn$O_2$ on XRD at $350{^{\circ}C}$/1 h, but the ITO-B sol showed a small amount of Sn$O_2$ even after annealing at $600{^{\circ}C}$/1 h. The 10 wt% ITO-A//ITO-B showed the sheet resistance of 3600$\Omega$/□, while the ITO-B sol alone showed 5200 $\Omega$/□ by sintering at $550{^{\circ}C}$ for 30 min. Processing parameters were studied by TG/DSC, XRD, SEM, sheet resistance, and visible transmittance.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.05b
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pp.55-61
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2002
Ultra-fine particles of $SnO_{2}$ was synthersized by the sol-gel powder processing using tin(II) chloride dihydrate$(SnCl_{2}{\cdot}2H_{2}O)$ and ethanol$(C_{2}H_{5}OH)$ as raw materials. Gel powders can be obtained by drying of sol at $120^{\circ}C$ after aging 72hrs and 168hrs. The amount of $SnO_{2}$ phase was increased with temperature because of the evaporation of volatile components, and the creation of $SnO_{2}$ phase was almost done by the heat treatment at $700^{\circ}C/30min$ The grain sizes after firing are about 20-30nm, and it showed the narrow distribution of grain size. The specimens to measure electrical properties were fabricated by the thick film screen printing technique on the alumina substrates. The conductance of $SnO_{2}$ was increased with temperature up to $380^{\circ}C$ by the typical conduction mechanism of semiconducting ceramics. There was a region of constant conductance between about $200^{\circ}C$ and $380^{\circ}C$ due to the increment of electron concentration with temperature and the annihilation of conduction carriers by the absorption and electron trapped-ionization of oxygen on the surface of $SnO_{2}$, It was finally showed the intrinsic behaviors above $450^{\circ}C$. The sensing properties of response time, recovery, and sensitivity of CO were improved with aging time.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.13
no.7
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pp.575-582
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2000
The Electrical conduction and optical properties of Ta$_{2}$/O$_{5}$ thin films as the insulators in DRAM capacitors were studied. Liquid Ta/sib 2//O sub 5/ were prepared by a sol-gel processing and multiple layers were applied by spin-coating up to thickness of 800$\AA$. At annealing temperature of 300~$600^{\circ}C$ the electrical conduction and specific dielectric constant were discussed the behaivor of carrier were observed by the Thermally Stimulated Current (TSC) at the temperature range of 30~23$0^{\circ}C$. At annealing temperature of 300~$600^{\circ}C$ the samples were found to be amorphous below $600^{\circ}C$ and crystalline over it. The electrical strength was about 2.2 MV/cm at 40$0^{\circ}C$. In spite of noncrystallization over 50$0^{\circ}C$ the increasing of leakage current due to pinholes and increasing creak. The refractive index was obtained maximum (2.2) at 40$0^{\circ}C$. The dielectric constant was obtained maximum(18.6) at 40$0^{\circ}C$. TSC was observed one peak at the temperature range of 30~23$0^{\circ}C$ from sample at 40$0^{\circ}C$. In the case of collecting voltage the peak size is decreased in proportion to collecting voltage and then the peak may be thought carrier to be a ionic space charge.e.
In this paper, $TiO_2$-xmol%$V_2O_5$, x=0.0, 1.0, 2.0, 3.0 specimens are fabricated by Sol-Gel method. For the improvement of humidity sensitive characteristics for specimens, their microstructures are analysed and the optimum processing condition is established. Grain size increases with substitution rate of $V^{5+}$, on $Ti^{4+}$ site. Their humidity sensitive characteristics is good at 1mol% of $V_2O_5$ rate and heat-treated at $700^{\circ}C$. The capacitance of specimens decreases with frequency.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.361-361
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2012
PZT (Pb(Zr,Ti)O3) thin films have been used widely in the MEMS application, due to their inherent ferroelectric and piezoelectric properties. Such ferroelectricity induces much higher dielectric constants compared to those of the nonperovskite materials. In this work, the PZT thin films were deposited onto Indium-Tin-oxide (ITO) substrates through the spin-coating of PZT sols. The deposited PZT thin films were characterized in terms of the electrical and optical properties with special emphases on conductivity and optical constants. The detailed analysis techniques incorporate the dc-based current-voltage characteristics for the electrical properties, spectroscopic ellipsometry for optical characterization, atomic force microscopy for surface morphology, X-ray Photoelectron Spectroscopy for chemical bonding, Energy-dispersive X-ray Spectrometry for chemical analyses and X-ray diffraction for crystallinity. The ferroelectric phenomena were confirmed using capacitance-voltage measurements. The integrated physical/chemical features are attempted towards energy-oriented applications applicable to next-generation high-efficiency power generation systems.
$WO_3$ films were multicoated on the microscope slide glass and ITO-coated glass using a tungsten alkoxide type solution by the sol-gel deposition process. The effect of dipping and processing parameters on the structure, optical and electrochemical properties of the film were also investigated. Coating using alkoxide solution was very uniformed for low dipping speed of 0.005 m/s, but thickness variations across the sample became apparent for dipping speeds greater than 0.007 m/s. Electrochemical coloration experiments showed that films fired at lower temperatures color more easily than film fired to > $200^{\circ}C$. Rutherford backscattering spectroscopy studies revealed that $K^+$ ions were uniformly distributed throughout the $WO_3$layer in the colored sample.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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