This study reports the CW $CO_2$ laser scribing of soda lime glass. In this study, scribing experiments are carried out at different laser powers, scan speeds, and focal positions to investigate the effect of the process parameters on the interaction characteristics between a laser beam and glass. In particular, the interaction characteristics are analyzed and described with the input laser energy per unit length. According to the experimental results, the damage threshold for the glass surface was found to exist between 0.072 and 0.08 J/mm. The input laser energy in this region induced partial melting of the surface and grain-shaped cracks. These cracks tended to increase as the input laser energy increased. At the laser input energy larger than 1 J/mm, a huge crack propagating along the scan direction was produced, and the volume below the scribed area was fully melted. The growth of this crack finally resulted in the complete cutting of the glass at the input laser energy above 8 J/mm. It was found that both the width and depth of the scribed line increased with increasing input laser energy. For the beam focusing at the rear surface, the width of the scribed line varied irregularly. This could be ascribed to the increased asymmetry of the beam intensity distribution when the laser beam was focused at the rear surface. Under this condition, a large burr was only produced on one side of the scribed line.
소다석회유리에서 Al2O3가 isokom 온도에 미치는 영향을 Lakatos 모델을 이용하여 분석하였다. Na2O와 CaO의 함량이 같고 SiO2의 양이 0.5 mol% 감소하고 Al2O3 양이 0.5 mol% 증가했을 때 isokom 온도는 log η = 12.3, 10, 6.6, 1에서 각각 3.1, 3.3, 3.6, 7.2℃ 높아졌다. 한편, SiO2와 Na2O의 함양이 같고 CaO가 0.5 mol% 감소하고 Al2O3가 0.5 mol% 증가한 경우는 log η = 12.3, 10, 6.6, 1에서 각각 1.6, 2.3, 4.1, 17.7℃ isokom 온도가 높아졌다.
소다석회유리의 성분인 SiO2, Na2O, CaO가 isokom 온도에 미치는 영향을 Lakatos 모델을 이용하여 분석하였다. CaO의 양이 일정하고, SiO2가 1 mol% 줄고 대신 Na2O가 1 mol% 증가할 때, log η = 12.3에서는 6℃, log η = 10에서는 7℃, log η = 6.6에서는 10℃, log η = 1에서는 24℃ isokom 온도가 낮아졌다. 그리고, Na2O의 양이 일정하고, SiO2가 1 mol% 줄고 대신 CaO가 1 mol% 증가할 때, log η = 12.3에서는 3~4℃, log η = 10에서는 2℃ isokom 온도가 높아지고, 반대로 log η = 6.6에서는 1℃, log η = 1에서는 21℃ isokom 온도가 낮아지는 것을 알았다.
Most of the properties of ITO films depend on their substrate nature, deposition techniques and ITO film composition. For the display panel application, it is normally deposited on the glass substrate which has high strain point (>575 degree) and must be deposited at a temperature higher than $250^{\circ}C$ and then annealed at a temperature higher than $300^{\circ}C$ in order to high optical transmittance in the visible region, low reactivity and chemical duration. But the high strain point glass (HSPG) used as FPDs is blocking popularization of large sizes FPDs because it is more expensive than a soda lime glass (SLG). If the SLG could be used as substrate for FPDs, then diffusion of Na ion from the substrate occurs into the ITO films during annealing or heat treatment on manufacturing process and it affects the properties. Therefore proper care should be followed to minimize Na ion diffusion. In this study, we investigate the electrical, optical and structural properties of ITO films deposited on the SLG and the Asahi glass(PD200) substrate by rf magnetron sputtering using a ceramic target ($In_2O_3:SnO_2$, 90:10wt.%). These films were annealed in $N_2$ and air atmosphere at $400^{\circ}C$ for 20min, 1hr, and 2hrs. ITO films deposited on the SLG show a high electrical resistivity and structural defect as compared with those deposited on the PD200 due to the Na ion from the SLG on diffuse to the ITO film by annealing. However these properties can be improved by introducing a barrier layer of $SiO_2$ or $Al_2O_3$ between ITO film and the SLG substrate. The characteristics of films were examined by the 4-point probe, FE-SEM, UV-VIS spectrometer, and X-ray diffraction. SIMS analysis confirmed that barrier layer inhibited Na ion diffusion from the SLG.
이 연구의 목적은 소다회 생산과정에서 발생한 매립지의 압밀특성을 연구하는데 있다. 소다회를 생산하는 과정에서 발생하는 부산물의 주요성분은 대부분 석회석이다. 이 연구는 우선 폐석회의 압밀특성을 파악하기 위해 시추조사를 통한 불교란 시료를 채취하여 실내실험을 실시하였다. 실험결과 폐석회는 소성이 큰 유기질토로 분류되었으며, 유기물 함유량 시험결과 폐석회에 함유된 유기물 함량은 일반 점토에 비하여 높게 나타났다. 또한, 이론적인 방법과 압밀해석 프로그램에 의하여 폐석회의 압밀침하량과 이차침하량을 산정하였다.
한국광학회 1990년도 제5회 파동 및 레이저 학술발표회 5th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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pp.237-241
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1990
A detailed theoretical and experimental study of k-na exchange in soda lime silicate glasses by RTP is presented. Concentration profiles i.e. index profiles are given by complementary error function added Gaussian function. The estimated diffusion coefficient is 1.54${\mu}{\textrm}{m}$2/min.
한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.367-370
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2007
An EEFL with the sodium free alumino-silicate glass of high K and low $tan{\delta}$, has been investigated. As compared with borosilicate and the soda-lime EEFLs, the luminous efficiency as well as the pinhole stability of new EEFLs improves remarkably without blackening of $NaHg_2$.
본 연구는 판유리 등의 생산 기초 원료인 소다회 $(Na_2CO_3)$ 생산 과정에서 발생되는 산업 부산물인 부산석회를 아스팔트 혼합물의 채움재로서 재활용 가능성을 검토하여 부산석회의 실질적인 활용 방안을 제시하고자 한다. 이를 위하여 부산석회를 기존의 석회석분 채움재에서 중량 대비 25%, 50%, 75%, 100%로 대체하여 제조한 아스팔트 혼합물에 대해 간접인장강도 시험, 회복탄성계수 시험, 수분 민감성 시험, 반복하중 간접인장 시험, 휠트래킹 시험을 실시하여 부산석회의 채움재 활용 가능성을 파악하였다. 또한 기존 석회석분 채움재를 사용한 아스팔트 혼합물과 소석회 (Hydrated Lime)를 사용한 아스팔트 혼합물의 공학적 특성을 비교 분석하여 부산석회를 재활용한 아스팔트 혼합물의 성능 증진 효과를 평가하고 본 기술의 실용화 가능성을 판단하였다.
The glass compositions of $PbO-SiO_2-B_2O_3$ system and $P_2O_5-PbO-ZnO$ system for the transparent dielectric materials for front panel and $P_2O_5$-ZnO-BaO and $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ for the reflective dielectric materials for back panel of PDP (Plasma Display Panel) were investigated. As a result, transparent dielectric materials for front panel showed good dielectric properties, high transparency, and proper thermal expansion matching to soda lime glass substrate. And the reflective dielectric layers for back panel were prepared from two series of parent glass and oxide filler. It was found that these glassceramics are useful materials for dielectric layers in PDP device, as they have similar thermal expansion to soda-lime glass plate, high reflectance, and low sintering temperature. In particular, the addition of $BPO_4$ and $TiO_2$ as fillers to $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ system is considered to be the most effective for acquiring good properties of lower dielectric layer for PDP device.
Atomic layer deposition(ALD)를 이용하여 Si와 soda lime glass 기판 위에 ZnO 박막을 증착하였다. 기판의 온도는 비교적 저온인 $130^{\circ}C{\sim}150^{\circ}C$를 채택하였다. 증착결과 단위 cycle 당 $2.72{\AA}$이 증착되어 균일한 박막이 증착되었음이 확인되었다. 증착된 박막의 결정성을 X-ray diffraction(XRD)으로 조사해본 결과 비교적 저온에서도 (100)과 (101)방향의 성장이 우세하였다. 또 Auger electron spectroscopy(AES)로 분석해본 결과 불순물이 없는 순도 높은 박막이 성장되었음을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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