• 한국세라믹학회지
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• 제38권9호
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• pp.817-821
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• 2001

새로운 형광체로 역스피넬 구조를 갖는 $Mg_{2-x}MN_xSnO_4$ 조성을 선정하여 고상반응에 의하여 제조하였다. $Mg_2SnO_4:Mn$의 광발광 특성이 147nm 파장의 진공 자외선 여기하에 측정되었다. Mn의 첨가에 의하여 $Mg_2SnO_4$ 형광체는 500nm 파장에 발광 중심을 가지며 매우 높은 발광강도를 나타내었다. 이것은 스피넬 구조의 산소 사면체 배위에 위치하는 Mg 자리를 치환하여 들어가는 $Mn^{2+}$ 이온의 $^4T_1$ 상태로부터 $^6A_1$ 상태로의 에너지 전이에 의한 발광으로 해석되었다. 진공 자외선 여기하에 최대의 발광강도를 나타내는 Mn 활성제의 농도는 0.25mol%이었고, 잔광시간은 10ms 이하인 것으로 조사되었다.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2000년도 추계총회,초청강연,특별강연,연구발표회
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• pp.156.1-156
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• 2000

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제5권1호
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• pp.40-43
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• 1999

In order to investigate Sn substitution sites and interstitial O atoms in tin-doped indium oxide, molecular dynamics (MD) simulations were carried out. There are two kinds of cation sites in $In_2O_3$, namely b-site and d-site. NTP-MD simulations under the condition of 300 K and 0 GPa were performed with two kinds of cells substituted by Sn atoms at each site. The excess oxygen atom accompanied with Sn doping was also taken into consideration. According to the calculations of Sn potential energies in each site, it was revealed that Sn atoms were substituted for b-sites rather than for d-sites. It was also revealed that the interstitial excess oxygen atoms tend to be connected with the Sn atoms substituted for the d-sites Sn rather than for the b-site. There MD simulation results well agreed with the experimental results.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제5권2호
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• pp.125-130
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• 1999

After $SnO_2$ fine powder by precipitation method, Ca as crystallization inhibitor and Pd as catalyst were added to $SnO_2$ raw material by various methods. Thick film device was fabricated on the alumina substrate by mixing ethylene glycol and such mixed powders. The sensing characteristics of the device for methane gas were investigated. The most excellent gas sensing property was shown by the thick film device fabricated by Method 3 in which Ca and Pd doped $SnO_2$ powder is prepared by mixing $SnO_2$ powder, 0.1 wt% Ca acetate and 1 wt% $PdCl_2$ in deionized water and by calcining the mixture, after $Sn(OH)_4$ is dried at $110^{\circ}C$ for 36h. The sensitivity of the sensor fabricated with $SnO_2$-0.1 wt%Ca acetate-1wt%$PdCl_2$ powder heat-treated at $700^{\circ}C$ for 1h was about 86% for 5,000 ppm methane in air at $350^{\circ}C$ of the operating temperature. Response time and recovery were also excellent.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1779-1781
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• 2000

Pd doped $SnO_2$ thin film sensors were prepared on alumina substrate by rf magnetron sputtering method. The sensitivity of thin film was investigated by varying the heat-treatment temperature, film thickness and gas species. The thin film heat-treated at 600$^{\circ}C$ and film thickness of 5000${\AA}$ showed the highest sensitivity at an operating temperature of 400$^{\circ}C$.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1555-1557
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• 2004

The Pt-doped $SnO_2$ thin film for CO sensor applications obtained by RF sputtering from a target of the same compound in an Ar-$O_2$ atmosphere. Pt-SnO2-SiC Schottky diode detection of CO gas Cause the remarkable change in electrical resistivity of the semiconductor. the good gas sensitivity is shown when annealing condition is 600$^{\circ}C$, 1hr in RTP and detected temperature is 350$^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.160-161
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• 2008

$SnO_2$는 n형 반도체로써 3.6 eV의 큰 밴드갭을 가지는 물질로 CO와 NOx 가스에 좋은 감도를 나타내는 것으로 보고되고 있다. 문헌에 따른 일반적인 $SnO_2$ 가스센서는 후막이나 벌크형태로 제작되었다. 근래에는 가스감응체가 $SnO_2$ 나노선 형태인 가스센서가 활발한 연구 중에 있다. 본 논문에서는 기판 위에 서로 분리된 전극 패턴에 Au를 촉매로 하여 네트워크 구조로 된 $SnO_2$ 나노선이 합성되었다. 제작된 가스센서에 Pd 도핑에 따른 영향을 알아보기 위하여 1.8 mM의 Pd 용액 ($PdCl_2{\cdot}xH_2O$ 3 mg + $H_2O$ 10 ml)을 이용하여 센서에 도핑하였다. 측정 시스템에서 $NO_2$ 가스에 대한 센서의 특성을 분석한 결과 도핑하지 않은 $SnO_2$ 센서보다 20%정도의 감도가 개선되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.367-367
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• 2014

Transparent conductive oxides (TCOs) 박막은 가시광선영역에서의 높은 투과율과 낮은 저항 특성을 동시에 갖고 있어 최근 smart windows, solar cells, liquid crystal displays (LCD), organic light emitting devices (OLED)등과 같은 최첨단 기기에 필수적인 구성요소로 활발히 사용되고 있다. 따라서, 현재까지 FTO ($SnO_2:F$), ITO ($In_2O_3:Sn$), ATO ($SnO_2:Sb$)등과 같은 다양한 TCO들이 많은 연구자들에 의해 연구되고 있다. 그 중 ITO는 우수한 전기적(${\sim}10^{-4}{\Omega}cm$) 및 광학적(~85%) 특성 때문에 현재 상업적으로 활발히 응용되고 있는 대표적인 물질이다. 하지만 ITO의 주된 구성요소인 indium은 제한적인 매장량과 과도한 소비량 때문에 원가가 비싸다는 문제점이 있다. 반면에, ATO는 우수한 전기적(${\sim}10^{-3}{\Omega}cm$) 및 광학적(~80%) 특성뿐만 아니라 구성물질들의 매장량이 풍부하여 ATO의 원가가 저렴하다는 장점을 가지고 있어 현재 ITO을 대체 할 수 물질로 관심 받고 있다 [1]. 지금까지 우수한 특성을 갖는 ATO박막을 합성하는 방법으로 sol-gel spin coating, sputtering, spray pyrolysis, chemical vapor deposition (CVD)등이 알려져 있다. 이 중에서도, sol-gel spin coating과 spray pyrolysis은 solution기반의 합성법으로 분류되며 합성과정이 간단하고 비용이 저렴하다는 장점이 있고 현재까지 많은 연구가 보고되었다. 그러나, 진공기반이 아닌 우수한 특성을 갖는 solution기반의 ATO박막을 합성하기 위해서는 새로운 합성법의 개발이 학문적으로나 산업적으로도 매우 중요한 이슈이다. 따라서, 본 연구에서는 electrospray을 활용하여 solution기반의 ATO박막을 처음으로 합성하였다. 게다가 ATO박막에 열처리온도에 따른 구조, 화학, 전기, 광학적 특성을 확인하기 위하여 X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Scanning Electron Microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), Hall Effect Measurement System, UV spectrophotometer를 사용하였다. 이러한 실험 결과들을 바탕으로 electrospray을 통해 합성된 solution기반의 ATO박막에 자세한 특성을 본 학회에서 다루도록 하겠다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.262-263
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• 2007

Effect of co-doping on optical and electrical properties of $SnO_2$ based thin films were studied. $SnO_2$ ceramic targets with up to 50mol% $CuSb_2O_6$ were prepared by sintering mixed-oxide compact in the temperature range of $1100^{\circ}C{\sim}1300^{\circ}C$ in air. Thin films were then deposited onto glass substrates by pulsed laser deposition where substrate temperature was maintained in the range of $500{\sim}650^{\circ}C$ with oxygen pressure of 3m~7.5mTorr and energy density of $1Jcm^{-2}$. It was found that with the increase amount of dopant, the electrical properties of thin films tended to improve with the smallest resistivity value obtained at about 8mol% doping, further increase, however, usually impaired the optical transmission in the visible range.

• 한국재료학회지
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• 제8권4호
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• pp.312-316
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• 1998

ZnO와 $SnO_2$에$ TiO_2$를 첨가시킨 $ZnO-TiO_2$와$SnO_2$-$TiO_2$세라믹 복합체를 제작하여 1000ppm 일산화탄소에 대한 감응특성을 조사하였다. 상분석을 위해서 X-선 회절 분석을 하였고, 전자 주사 현미경을 이용해서 시편 파단면의 미세구조를 관찰했다. 일산화탄소 감도는 건조공기 분위기에서 측정한 저항($R_{dry air}$ )과 1000ppm 일산화탄소 분위기에서의 저항($R_{co}$ )을 측정하여 각각의 저항값의 비로 정의하였다. $TiO_{2}$첨가에 의한 ZnO의 일산화탄소 감도의 변화는 ZT5의 경우 최대 감도가 약 1.7배 감소하였고, $TiO _{2}$첨가에 의한 $SnO_{2}$의 일산화탄소 최대 감도는 약 2.5배 증가함으로써 비교적 $ZnO-TiO_2$배 증가함으로써 비교적 $ZnO-TiO_2$배 증가함으로써 비교적 $ZnO-TiO_2$복합체 보다는 $SnO_2$- $TiO_2$복합체의 일산화탄소 감응특성이 우수했다.