Ti-37.5at%Si elemental powder mixtures were mechanically alloyed by a high-energy ball mill, followed by CIP (cold isostatic pressing) and HIP (hot isostatic pressing) for different processing conditions. Only elemental phases (Ti and Si) were observed for the 5 min mechanically alloyed (MA 5 min) powder, but only $Ti_5Si_3$phase was observed for the 30 min mechanically alloyed (MA 30 min) powder. $Ti_5Si_3$phase was observed for the HIPed compact of MA 5 min and 30 min powders at 150 and 190 MPa for 3 hr at $1000^{\circ}C$. For the HIPed compacts, the highest sintered density was obtained to be 99.5% of theoretical density by a HIP step at $1350^{\circ}C$ at 190MPa for 3hr. The hardness values of the HIPed $Ti_5Si_3$compacts at $1350^{\circ}C$ at 150/190 MPa for 3hr were higher than HRC 76. The densification and mechanical property of HIPed $Ti_5Si_3$compacts was found to depend on more HIP temperature than HIP pressure.
Biaxially textured Ni tapes were fabricated by a cold working and recrystallization heat treatment processes from powder compact rods. The processing parameters associated with the cube texture formation in Ni tapes were systematically investigated by using X-ray diffraction and pole-figure analysis. The Ni powder used in this study was 5 $\mu$m in size and 99.99% in purity. To find the optimum sintering temperature, tensile tests were performed for Ni rods sintered at various temperatures. The Ni rods sintered at 100$0^{\circ}C$ showed poor elongation and low fracture strength, while the Wi rods sintered above 100$0^{\circ}C$ revealed good mechanical properties. The higher elongation and fracture strength of the Ni rods sintered at higher temperatures than 100$0^{\circ}C$ are attributed to the full densification of the sintered rods. The sintered Ni rods were cold-rolled with 5% reduction to the final thickness of 100 $\mu$m and then annealed for development of rube texture in rolled Ni tapes. The annealed Ni tapes depicted strong cube texture with FWHM(full-width at half-maximum) of in-plane and out-of-plane in the range of 8$^{\circ}$ to 10$^{\circ}$. The NiO deposited on the Ni tapes by MOCVD process showed good epitaxy with FWHM=10$^{\circ}$, which indicates that the Ni tapes can be used as a substrate for YBCO coated conductors.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.27
no.10
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pp.630-634
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2014
$(Na_{0.525}K_{0.4425}Li_{0.0375})(Nb_{0.9975}Sb_{0.065}Ta_{0.0375})O_3+0.3 wt%CoO$ ceramics were fabricated as a function of CuO addition by traditional solid state sintering process in order to develop excellent lead-free piezoelectric ceramics composition. The addition of CuO in the LNKNTS composition ceramics can effectively enhance the densification of the ceramics, resulting in the oxygen vacancies as hardening effect. The excellent piezoelectric properties of electromechanical coupling factor($k{\small}_P$) of 0.378, piezoelectric constant($d_{33}$) of 152 pC/N were obtained from the 1.0 mol% CuO doped LNKNTS ceramics sintered at $1,020^{\circ}C$ for 3 h.
Y2O3-MgO nanocomposites are promising materials for hypersonic infrared windows and domes due to their excellent midIR transmittance and mechanical properties. In this work, influence of SPS heating rate on the microstructure, IR transmittance, and mechanical properties of Y2O3-MgO nanocomposites was investigated. It was found that the average grain size decreases with a decreasing heating rate, which can be attributed to high defect concentration by rapid heating and deformation during densification. Also, the residual porosity decreases with a decreasing heating rate, which is ascribed to the enhancement of grain boundary diffusion by a large grain-boundary area (a small grain size). Consequently, high transmittance and hardness were attained by the low heating rate. On the other hand, the mechanical strength showed little difference with the heating rate change, which is somewhat different from the general knowledge on ceramics and will be discussed in this letter.
We aimed to examine the co-doping effects of 1/6 mol% $Mn_3O_4$ and 1/4 mol% $Cr_2O_3$ (Mn:Cr = 1:1) on the reaction, microstructure, and electrical properties, such as the bulk defects and grain boundary properties, of ZnO-$Bi_2O_3-Sb_2O_3$ (ZBS; Sb/Bi = 0.5, 1.0, and 2.0) varistors. The sintering and electrical properties of Mn,Cr-doped ZBS, ZBS(MnCr) varistors were controlled using the Sb/Bi ratio. Pyrochlore ($Zn_2Bi_3Sb_3O_{14}$), ${\alpha}$-spinel ($Zn_7Sb_2O_{12}$), and ${\delta}-Bi_2O_3$ (also ${\beta}-Bi_2O_3$ at Sb/Bi ${\leq}$ 1.0) were detected for all of the systems. Mn and Cr are involved in the development of each phase. Pyrochlore was decomposed and promoted densification at lower temperature on heating in Sb/Bi = 1.0 system by Mn rather than Cr doping. A more homogeneous microstructure was obtained in all systems affected by ${\alpha}$-spinel. In ZBS(MnCr), the varistor characteristics were improved dramatically (non-linear coefficient, ${\alpha}$ = 40~78), and seemed to form ${V_o}^{\cdot}$(0.33 eV) as a dominant defect. From impedance and modulus spectroscopy, the grain boundaries can be seen to have divided into two types, i.e. one is tentatively assigned to ZnO/$Bi_2O_3$ (Mn,Cr)/ZnO (0.64~1.1 eV) and the other is assigned to the ZnO/ZnO (1.0~1.3 eV) homojunction.
We have examined the co-doping effects of 1/2 mol% NiO and 1/4 mol% $Cr_2O_3$ (Ni:Cr = 1:1) on the reaction, microstructure, and electrical properties, such as the bulk defects and the grain boundary properties, of ZnO-$Bi_2O_3-Sb_2O_3$ (ZBS; Sb/Bi = 0.5, 1.0, and 2.0) varistors. The sintering and electrical properties of Ni,Cr-doped ZBS, ZBS(NiCr) varistors were controlled using the Sb/Bi ratio. Pyrochlore ($Zn_2Bi_3Sb_3O_{14}$), ${\alpha}$-spinel ($Zn_7Sb_2O_{12}$), and ${\delta}-Bi_2O_3$ were detected for all of compositions. For the sample with Sb/Bi = 1.0, the Pyrochlore was decomposed and promoted densification at lower temperature by Ni rather than by Cr. A homogeneous microstructure was obtained for all of the samples affected by ${\alpha}$-spinel. The varistor characteristics were not dramatically improved (non-linear coefficient, ${\alpha}$ = 5~24), and seemed to form ${Zn_i}^{{\cdot}{\cdot}}$(0.17 eV) and ${V_o}^{\cdot}$(0.33 eV) as dominant defects. From impedance and modulus spectroscopy, the grain boundaries were found to have been divided into two types, i.e., one is tentatively assigned to ZnO/$Bi_2O_3$ (Ni,Cr)/ZnO (0.98 eV) and the other is assigned to a ZnO/ZnO (~1.5 eV) homojunction.
It is known that small amount of MgO in excess is often added to develop pure perovskite single phase of PMN-based composite, however, extra MgO precipitates in grains and inhibits densification of PMN. In this study PMN-PT-BT (PBT) powder was prepared by a conventional mixed oxide method using $(MgCO_3)_4{\cdot}Mg(OH)_2{\cdot}5H_{2}O$ instead of MgO. The precursor was heated at $500^{\circ}C/1h$ and its surface was modified with MgO sol. This effect was investigated in the aspects of sintering and dielectric properties. Small amount of added MgO sol ($0.5{\sim}1.0wt\%$) enhanced sintering substantially below $1000^{\circ}C$. The PBT with $0.5wt\%$ MgO sol sintered at $900^{\circ}C/2h$ had density of $7.62\;g/cm^3$, room temperature dielectric constant of 14800, loss of dielectric constant of $1.1\%$, which were comparable to those of the PBT sintered at $1000^{\circ}C/2h$. It was noticeable that the extra MgO precipitated mostly on triple points and grain boundaries and resulted in inhibition of grain growth.
The LTCCs (Low-Temperature Co-fired Ceramics) are very important for electronic industry to build smaller RF modules and to fulfill the necessity for miniaturization of devices in wireless communication industry. The dielectric materials with sintering temperature $T_{sint}$<90$0^{\circ}C$ are required. In this study, BaO-N $d_2$$O_3$-Ti $O_2$ (BNT : 20∼40 wt%) for ceramic materials and L $a_2$$O_3$- $B_2$$O_3$-Ti $O_2$ (LBT : 80∼60 wt%) for crystallizable glasses were used. The glass/ceramic composites were investigated for sintering behavior, phase evaluation, densities, interface reaction and microwave dielectric properties. It was found that the addition LBT glass frist significantly lowered the sintering temperature to below 90$0^{\circ}C$ and the densification with increasing addition LBT glass frist developed rapidly which was meant to be namely 90% of relative density. The sintered bodies ekhibited applicable dielectric properties, namely 15 for $\varepsilon$$_{r}$,, 10000 GHz for Q* $f_{0}$. The results suggest that the composites have good potential as a new candidate for LTCC materials.
The microwave dielectric properties of low temperature sintered BaO-Nd$_2$O$_3$-TiO$_2$ (here after BNT) with a Pb-based glass-ceramics were studied in order to investigate their applicability to Low Temperature Co-fired Ceramics (LTCC) for fabrication of multilayered Radio Frequency (RF) passive components module. The BNT ceramics, with 5∼30 wt% of PbO-TiO$_2$-A1$_2$O$_3$-SiO$_2$ based glass-ceramics, were sintered at 105$0^{\circ}C$, which is lower than 130$0^{\circ}C$, sintering temperature of pure BNT ceramics. With increasing the amount of the glass-ceramics, sintering rate of the ceramics become activated due to the softening of glass, resulting in low-temperature densification. BaO-Nd$_2$O$_3$-TiO$_2$ microwave ceramics with 20 wt% glass-ceramics exhibit sintered relative densities over 95% and dielectric constant of 72, quality factor of 1500, and temperature coefficient of frequency of +22 ppm/$^{\circ}C$. This enhanced dielectric properties are attributed to mainly the presence of crystalline phases PbTiO$_3$ within the Pb-based glass.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.23
no.12
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pp.942-948
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2010
In this study we aims to examine the effects of 0.5 mol% $Cr_2O_3$ addition on the reaction, microstructure development, resultant electrical properties, and especially the bulk trap and interface state levels of ZnO-$Bi_2O_3-Sb_2O_3$ (Sb/Bi=0.5, 1.0, and 2.0) systems (ZBS). The samples were prepared by conventional ceramic process, and characterized by XRD, density, SEM, I-V, impedance and modulus spectroscopy (IS & MS) measurement. The sintering and electrical properties of Cr-doped ZBS (ZBSCr) systems were controlled by Sb/Bi ratio. Pyrochlore ($Zn_2Bi_3Sb_3O_{14}$) was decomposed more than $100^{\circ}C$ lowered on heating in ZBS (Sb/Bi=1.0) by Cr doping. The densification of ZBSCr (Sb/Bi=0.5) system was retarded to $800^{\circ}C$ by unknown Bi-rich phase produced at $700^{\circ}C$. Pyrochlore on cooling was reproduced in all systems. And $Zn_7Sb_2O_{12}$ spinel ($\alpha$-polymorph) and $\delta-Bi_2O_3$ phase were formed by Cr doping. In ZBSCr, the varistor characteristics were not improved drastically (non-linear coefficient $\alpha$ = 7~12) and independent on microstructure according to Sb/Bi ratio. Doping of $Cr_2O_3$ to ZBS seemed to form $Zn_i^{..}$(0.16 eV) and $V^{\bullet}_o$ (0.33 eV) as dominant defects. From IS & MS, especially the grain boundaries of Sb/Bi=0.5 systems were divided into two types, i.e. sensitive to oxygen and thus electrically active one (1.1 eV) and electrically inactive intergranular one (0.95 eV) with temperature.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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