A micro-gas sensor with heater and sensing electrode on the same plane was fabricated on phosphosilicate glass(PSG, 800nm)/$Si_3N_4$ (150nm) dielectric membrane. PSG film was provided by atmospheric pressure chemical vapor deposition(APCVD), and $Si_3N_4$ film by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). Total area of the fabricated device was $3.78{\times}3.78mm^2$. The area of diaphragm was $1.5{\times}1.5mm^2$, and that of the sensing layer was $0.24{\times}0.24mm^2$. Finite-element simulation was employed to estimate temperature distribution for a square-shaped diaphragm. The power consumption of Pt heater was about 85mW at $350^{\circ}C$. Tin thin films were deposited on the silicon substrate by thermal evaporation at room temperature and $232^{\circ}C$, and tin oxide films($SnO_2$) were prepared by thermal oxidation of the metallic tin films at $650^{\circ}C$ for 3 hours in oxygen ambient. The film analyses were carried out by SEM and XRD techniques. Effects of humidity and ambient temperature on the resistance of the sensing layer were found to be negligible. The fabricated micro-gas sensor exhibited high sensitivity to butane gas.
Kim, S. J.;Kim, S. Y.;Seo, H.;Park, J. W.;Chung, T. H.
Korean Journal of Optics and Photonics
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v.8
no.6
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pp.445-449
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1997
The complex refractive indices of $Ge_2Se_2Te_5$ which show reversible phase change between the crystalline phase and an amorphous one depending upon the annealing process have been determined in the spectral range of 0.7-4.5 eV. The $Ge_2Se_2Te_5$ films were DC sputter deposited on the crystalline silicon substrate. The spectro-ellipsometry data of a thick film were analyzed following the modelling procedure where the quantum mechanical dispersion relation were used for the complex refractive indices of both the cryastalline phase $Ge_2Se_2Te_5$ and and amorphous phase $Ge_2Se_2Te_5$, respectively. On the other hand, with the surface micro-roughness layer whose effective thickness was determined from AFM analysis, the spectro-ellipsometry data were numerically inverted to yield the complex refractive index of $Ge_2Se_2Te_5$ at each wavelength. With these set of complex refractive indices, the reflectance spectra were calculated and those spectra obtained from the numerical inversion showed better agreement with the experimental reflection spectra for both the cryastalline phase and an amorphous phase. Finally, the thin $Ge_2Se_2Te_5$ film which has the optimum thickness of 26 nm as the medium for optical recording was also analyzed and the quantitative result of the film thickness and the surface microroughness has been reported.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.100-102
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2013
Magnetron-sputtering법을 사용하여 기존에 연구하였던 CrAlN (Cr 7:Al 3)박막에 Si를 첨가하여 Si의 함량 변화에 따라 미세구조와 화학적 결합상태, 온도저항계수(TCR) 및 산화저항의 영향과 기계적특성 개선을 통한 multi-functional heater resistor layer로써의 가능성을 연구하였다. CrAlSiN 박막의 Si 함량에 변화에 따라 온도저항계수 변화를 확인하였으며 X-선 회절 분석(XRD) 패턴 분석결과 CrAlSiN 박막의 결정구조가 Bl-NaCl 구조를 가지고 있는 것을 확인하였으며 SEM과 AFM을 통한 표면 및 미세구조 분석결과 Si의 함량이 증가할수록 입자가 조밀해짐을 알 수 있었다. 최근 digital priting technology의 핵심 기술로 부각되고 있는 inkjet priting technology는 널리 태양전지뿐만 아니라 thin film process, lithography와 같은 반도체 공정 기술에 활용 할 수 있기 때문에 반도체 제조장비에도 사용되고 있으며, 현재 thermal inkjet 방식을 사용하고 있다. Inkjet printing technology는 전기 에너지를 잉크를 배출하기 위해 열에너지로 변환하는 thermal inkjet 방식을 사용하고 있는데, 이러한 thermal inkjet 방식은 기본적으로 전기저항이 필요하지만 electrical resistor layer는 잉크를 높은 온도에서 순간적으로 가열하기 때문에 부식이나 산화 등의 문제가 발생할 수 있어 이에 대한 보호층을 필요로 한다. 하지만, 고해상도, 고속 잉크젯 프린터, 대형 인쇄 등을 요구되고 있어 저 전력 중심의 잉크젯 프린터의 열효율을 방해하는 보호층 제거에 필요성이 제기되고 있다. 본 연구는 magnetron-sputtering을 사용하여 기존의 CrAlN 박막에 Si를 합성하여 anti-oxidation, corrosion resistance 그리고 low temperature coefficient of resistance 값을 갖는 multi-functional heater resistor layer로써 CrAlSiN 박막의 Si 함량에 따른 효과에 초점을 두었다. 본 실험은 CrAlN 박막에 Si 함량을 4~11 at%까지 첨가시켜 함량의 변화에 따른 특성변화를 확인하였다. 함량이 증가할수록 amorphous silicon nitride phase의 영향으로 박막의 roughness는 감소하였으며 XRD 분석결과 (111) peak의 Intensity가 감소함을 확인하였으며 SEM 관찰시 모든 박막이 columnar structure를 나타내었으며 Si함량이 증가할수록 입자가 치밀해짐을 보여주었다.Si함량이 증가할수록 CrAlN 박막에 비하여 면저항은 증가하였으며 TCR 측정결과 Si함량이 6.5 at%일 때 가장 안정한 TCR값을 나타내었다. Multi-functional heater resistor layer 역할을 하기 위해서, CrAlSiN 박막의 원소 분포, 표면 거칠기, 미세조직, 전기적 특성 등을 조사하였다. CrAlN 박막의 Si의 첨가는 크게 XRD 분석결과 주상 성장을 억제 할 수 있으며 SEM 분석을 통하여 Si 함량이 증가할수록 Si3N4 형성이 감소하며 입자크기가 작아짐을 확인하였다. 면저항의 경우 Si 함량이 증가함에 따라 높은 면저항을 나타내었으며 Si함량이 6.5 at%일 때 가장 낮은 TCR 값인 3120.53 ppm/K값을 보였다. 이 값은 상용되고 있는 heater resistor보다 높지만, CrAlSiN 박막이 더 우수한 기계적 특성을 가지고 있기 때문에 hybrid heater resistor로 적용할 수 있을 것으로 기대된다.
Recently, a problem related to the thermal management in portable electronic and telecommunication devices is becoming issued. That is due to the trend of slimness of the devices, so it is not easy to find the optimal thermal management technology for the devices. From now on, a pressed circular type cooling device has been mainly used, however the cooling device with thin thickness is becoming needed by the inner space constraint. In the present study, the silicon and metal flat plate type cooling device with the separated vapor and liquid flow path was designed and fabricated. Through the experimental study, the normal isothermal characteristic by vapor-liquid phase change was confirmed and the cooling device with 70mm of total length showed 6.8W of the heat transfer rate within the range of $4{\sim}5^{\circ}C$/W of thermal resistance. In the meantime, the metal cooling device was developed for commercialization. The device was designed to have all structures of evaporator, vapor flow path, liquid flow path and condenser in one plate. And an envelope of that could be completed by combining the two plates of same structure and size. And the simplicity of fabrication process and reduction of manufacturing cost could be accomplished by using the stamping technology for fabricating large flow paths relatively. In the future, it will be possible to develop the commercialized cooling device by revising the fabrication process and enhancing the thermal performance of that.
Kim, Do-Hwan;Im, Jung-Gyu;Lee, Sang-Shin;Ahn, Seh-Won;Lee, Ki-Dong
Korean Journal of Optics and Photonics
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v.16
no.4
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pp.384-391
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2005
A polymer optical microring resonator, which is laterally coupled to a straight bus waveguide, has been proposed and demonstrated using a nanoimprint technique. The propagation loss of the ring waveguide and the optical power coupling between the ring and bus waveguides was calculated by using a beam propagation method, then the dependence of the device performance on them was investigated using a transfer matrix method. We have especially introduced an imprint stamp incorporating a smoothing buffer layer made of a silicon nitride thin film. This layer played an efficient role in improving the sidewall roughness of the waveguide pattern engraved on the stamp and thus reducing the scattering loss. As a result the overall Q factor of the resonator was greatly increased. Also it reduced the gap between the ring and bus waveguides effectively to enhance the coupling between them, without relying on the direct writing method based on an e-beam writer. As for the achieved device performance at the wavelength of 1550 nm, the quality factor, the extinction ratio, and the free spectral range were ~103800, ~11 dB, and 1.16 m, respectively.
Park, Moon Chan;Lee, Jong Geun;Joo, Kyung Bok;Lee, Wha Ja;Kim, Eung Soon;Choi, Kwang Ho
Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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v.14
no.1
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pp.63-68
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2009
Purpose: TiN films were deposited on sus304 by unbalanced magnetron sputtering system which was designed and developed as unbalancing the strength of the magnets in the magnetron electrode. The effect of oxygen incorporation in the fabrication of deposited films was investigated. Methods: The cross sections of deposited films on Silicon wafer were observed by SEM to measure the thickness of the films, the components of the surface of the films were identified by XPS survey spectra, the compositional depth-profile of deposited films was examined by an XPS apparatus. Results: From the data of XPS depth profile of films, it could be seen that the element O as well as the elements Ti and N present in the surface of the film and the relative percentage of the element O was constant at 65 at.% with respect to the depth of film. Conclusions: The color change with thickness of the films had something to do with the change of Ti $ 2p_{3/2}$ peak intensity and shape mixed of $ TiO_2$, TiN, $ TiO_{x}N_{y}$ compound.
Purpose: TiN films were deposited on sus304 by unbalanced magnetron sputtering system which was designed and developed as unbalancing the strength of the magnets in the magnetron electrode. The color and hardness of deposited TiN films was investigated. Methods: The cross sections of deposited films on silicon wafer were observed by SEM to measure the thickness of the films, the components of the surface of the films were identified by XPS, the components of the inner parts of the films were observed by XPS depth profiling. XPS high resolution scans and curve fittings of deposited films were performed for quantitative chemical analysis, Vickers micro hardness measurements of deposited films were performed with a nano indenter equipment. Results: The colors of deposited films gradually changed from light gold to dark gold, light violet, and indigo color with increasing of the thickness. It could be seen that the color change come from the composite change of three compound,$TiO_{x}N_{y}$, $TiO_2$, TiN. Especially, the composite change of$TiO_{x}N_{y}$ compound was thought to affect the color change with respect to thickness. Conclusions: Deposited films had lower than the value of general TiN film in Vickers hardness, which was caused by mixing three TiN, $TiO_2$,$TiO_{x}N_{y}$ compound in the deposited films. The increasing and decreasing of micro hardness with respect to thickness was thought to have something to do with the composite of TiN in the films.
The purpose of this study was to investigate the bonding of resin- based root canal sealer, AH26 when the sealer was applied as a thin layer between dentine and gutta-percha surface. In this study forty non-caries extracted human molars and resin-based root canal sealer(AH 26, DeTrey/Dentsply, Germany) were used. Disks of gutta-percha, 6mm in diameter.6mm thick (Diadent/Dentsply, Korea) for thermoplastic obturation were used and dentin surfaces were treated with 2% NaOCl(Group 1) or 2%NaOCl+17% EDTA(Group 3). Disks of gutta-Percha, 6mm in diameter.6mm thick (Diadent/Dentsply, Korea) for conventional obturation were used and dentin surface were treated with 2% NaOCl(Group 2) or 2%NaOCl+17% EDTA(Group 4). Enamel was removed by a horizontal section 1mm below the deepest portion of the central occlusal groove by using a watercooled low speed diamond saw. A second horizontal section was done around cementoenamel junction. Exposed dentin surface was cut to approximately $8{\times}8{\;}mm$ rectangular shape and was ground against 320, 400, 600 grade silicon carbide abrasive paper serially. After grinding, the dentine surface were soaked in a solution of 2% NaOCl for 30 minutes and twenty of specimens were treated with 17% EDTA solution for 1 minute. The treated specimens were washed and dried, Root canal sealer, AH26 was prepared according to the manufacture's instructions The Gutta-percha and dentin surface were coated with a thin layer of the freshly mixed seal or. The specimens were left overnight at room temperature. After their initial set, they were transferred to an incubator at $37$^{\circ}C$ for 72 h. After 72 hours, resin blocks were made. The resin block was serially sectioned vertically into stick of $1{\cdot}1mm$. Twenty sticks were prepared from each group. After that, tensile bond strength f3r each stick was measured with Microtensile Tester Failure patterns of the specimens at the interface between gutta-percha and dentin were observed under the SEM(x1000) and Stereomicroscope (LEICA M42O, Meyer Inst., TX U.S.A) at 1.25 x25 magnification. The results were statistically analysed by using a One-way ANOVA and Tukey's test. The results were as follows; 1. Tensile bond strengths($mean{\pm}SD$) were expressed with ascending order as follows: Group 1, $3.09{\pm}$ 1.05Mpa : Group 2, $6.23{\pm}1.16MPa$ : Group 3, $7.12{\pm}1.07MPa$ : Group 4, $10.32{\pm}2.06MPa$. 2. Tensile bond strengths of the group 2 and 4 used disks of gutta-percha for conventional obturation were significantly higher than that of the group 1 and 3 used fir thermoplastic obturation. (p < 0.05). 3. Tensile bond strengths of the group 3 and 4 treated with 2% NaOC1+17% EDTA were significantly higher than that of the group 1 and 2 treated with 2% NaOCl. (p < 0.05). 4. In analysis of failure patterns at the interface between sealer and gutta-percha, there were observed 49 (61%)cases of adhesive failure patterns and 31 (39%) cases of mixed failures patterns.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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