• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
• /
• pp.7-8
• /
• 2006

The effects of heat treatment on the electrical properties of SGOI were examined. We proposed the optimized heat treatments for improving the interfacial electrical properties in SGOI-MOSFET. By applying the additional pre-RTA(rapid thermal annealing) before gate oxidation and post-RTA after dopant activation, the driving current, the transconductance, and the leakage current were improved significantly.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2003년도 제24회 학술발표회 초록집
• /
• pp.40-40
• /
• 2003

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
• /
• 제4C권4호
• /
• pp.181-184
• /
• 2004

Thin films of single phase, polycrystalline silicon germanium (Si$_{1-x}$ Ge$_{x}$) were prepared by ion-beam evaporation (IBE) using Si-Ge multi-phase targets. After irradiation of the targets by a pulsed light ion beam with peak energy of 1 MV, 450 and 480 nm thick films were deposited on Si single crystal and quartz glass substrates, respectively. From XRD analysis, the thin films consisted of a single phase Si$_{1-x}$ Ge$_{x}$, whose composition is close to those of the targets.rgets.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제31권5호
• /
• pp.320-323
• /
• 2018

SiGe thin films were deposited by remote plasma enhanced chemical vapor deposition (RPE-CVD) at $400^{\circ}C$ using $SiH_4$ or $SiCl_4$ and $GeCl_4$ as the source of Si and Ge, respectively. The growth rate and the degree of crystallinity of the fabricated films were characterized by scanning electron microscopy and Raman analysis, respectively. The optical and electrical properties of SiGe films fabricated using $SiCl_4$ and $SiH_4$ source were comparatively studied. SiGe films deposited using $SiCl_4$ source showed a lower growth rate and higher crystallinity than those deposited using $SiH_4$ source. Ultraviolet and visible spectroscopy measurement showed that the optical band gap of SiGe is in the range of 0.88~1.22 eV.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.99-100
• /
• 2009

SGOI 1T-DRAM cells with various Ge mole fractions were fabricated and compared to the SOI 1T-DRAM cell. SGOI 1T-DRAM cells have a higher leakage current than SOI 1T-DRAM cell at subthreshold region. The leakage current due to crystalline defects and interface states at Si/SiGe increased with Ge mole. This phenomenon causes sensing margin and the retention time of SGOI 1T-DRAMs decreased with increase of Ge mole fraction.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2011년도 춘계학술발표대회
• /
• pp.64.2-64.2
• /
• 2011

Recently, Silicon Germanium (SiGe) alloys have been received considerable attention for their great potentials in advanced electronic and optoelectronic devices. Especially, microcrystalline SiGe is a good channel material for thin film transistor due to its advantages such as narrow and variable band gap and process compatibility with Si based integrated circuits. In this work, microcrystalline silicon-germanium films (${\mu}c$-SiGe) were deposited by DC/RF magnetron co-sputtering method using Si and Ge target on Corning glass substrates. The film composition was controlled by changing DC and RF powers applied to each target. The substrate temperatures were changed from $100^{\circ}C$ to $450^{\circ}C$. The microstructure of the thin films was analyzed by x-ray diffraction (XRD) and Raman spectroscopy. The analysis results showed that the crystallinity of the films enhances with increasing Ge mole fraction. Also, crystallization temperature was reduced to $300^{\circ}C$ with $H_2$ dilution. Hall measurements indicated that the electrical properties were improved by Ge alloying.

• 한국전산구조공학회논문집
• /
• 제28권1호
• /
• pp.79-83
• /
• 2015

본 논문에서는 헤테로 애피택시(heteroepitaxy) 박막의 표면확산계수를 국부적으로 제어하여 표면에서 형성되는 나노구조물이 정렬되는 과정을 수치해석적으로 연구하였다. 격자 불일치 물질계(lattice-mismatched materials system)의 탄성변형에너지와 표면자유에너지, 그리고 습윤에너지를 고려하여 박막의 변형거동에 대한 지배방정식을 도출하였으며, 확산계수의 활성화 조건이 성장에 미치는 영향을 살펴보았다. 해석결과는 주기함수 형식으로 표면확산계수를 제어하면 표면구조물이 배열 형태로 정렬됨을 나타내며, 이는 노광 및 식각 과정을 거쳐야 하는 포토리소그래피(photolithography)로부터 탈피한 바텀업(bottom-up) 방식의 공정방법에 규칙성을 부여하여 차세대 나노기기의 개발에 일조할 것으로 기대된다.

• 분석과학
• /
• 제8권2호
• /
• pp.171-179
• /
• 1995

흡착벗김전압전류법을 이용하여 게르마늄 분석을 하였으며, 리간드로는 Tannic acid를 사용하였다. 수집전위는 -0.2V, 수집시간은 60초, 평형시간은 20초, 주파수는 10Hz였다. 작업전극으로는 매달린 수은전극을 이용하였고 지지전해질로는 pH=4.5인 아세트산 완충용액을 사용하였다. 게르마늄의 분석을 위한 리간드의 알맞은 조건을 알아내었고 게르마늄 봉우리 전류에 대한 금속이온(납, 구리, 규소, 주석, 갈륨)의 영향에 대하여 조사하였다.

• 전기화학회지
• /
• 제15권3호
• /
• pp.181-189
• /
• 2012

ND-YAG 펄스 레이저를 사용하여 밀폐 반응기에서 가스상 $Ge(CH_3)_4$ (tetramethyl germanium, TMG)을 광분해하여 Ge (germanium) 나노입자를 합성하는 새로운 합성법을 개발하였다. 나노입자의 크기는 간단히 충돌이완가스를 사용하여 5-100 nm로 조절할 수 있었다. $Ge_{1-x}Si_x$ 합금 나노입자는 TMG와 $Si(CH_3)_4$ (tetramethyl silicon, TMS) 혼합가스를 광분해하여 합성하였으며, 이때 반응기 안의 가스 혼합비율에 따라 나노입자의 조성을 조절할 수 있었다. 합성된 나노입자는 얇은 탄소층(1-2 nm) 에 싸여있고, 안정한 콜로이드 용액형태로 잘 분산되어 있다. 합성된 Ge 나노입자와 Ge-RGO (reduced graphene oxide) 하이브리드 구조체 모두 리튬이온전지 특성이 50 사이클 이후 각각 800, 1,100 mAh/g의 높은 방전용량을 갖는 것을 확인하였고, 이 방법은 이전의 Ge 나노입자 합성법과 비교하여 높은 수득률, 우수한 재현성, 성분조절의 용이 하므로, 고성능 리튬 전지의 개발을 위한 음극소재로 기대된다. 이와 같은 Ge 나노입자의 새로운 대량 합성법은 고성능 에너지 변환 소재 실용화에 기여할 것으로 예상된다.

• 대한화학회지
• /
• 제37권11호
• /
• pp.943-950
• /
• 1993

8.0 ${\times}\;10^{-2}$ M catechol이 들어있는 5.0 ${\times}\;10^{-2}$ M 과염소산 지지전해질 용액속에서 네모파 산하전극벗김 전압전류법으로 게르마늄의 미량분석을 조사하였다. ppb 수준의 분석에서는 석출시간 120초, 석출전위 -0.9 volts, 주파수 100Hz일 때 가장 적합하였다. 구리와 납, 실리콘 같은 금속이온이 상당량 존재하여도 공존이온이 영향을 받지 않고 게르마늄의 분석이 가능하였다. 검량선은 0.40 ppb 에서 2.0 ppm 범위까지 양호한 직선성을 보였으며, 검출한계는 0.080 ppb 이였다. 이 방법은 분석시간이 짧고 감도가 좋기 때문에 미량 게르마늄 분석에 유용하였다