The formation of front metal contact silicon solar cells is required for low cost, low contact resistance to silicon surface. One of the front metal contacts is Ni/Cu plating that it is available to simply and inexpensive production to apply mass production. Ni is shown to be a suitable barrier to Cu diffusion into the silicon. The process of Ni electroless plating on front silicon surface is performed using a chemical bath. Additives and buffer agents such as ammonium chloride is added to maintain the stability and pH control of the bath. Ni deposition rate is found to vary with temperature, time, utilization of bath. The experimental result shown that Ni layer by SEM (scanning electron microscopy) and EDX analysis. Finally, plated Ni/Cu contact solar cell result in an efficiency of 17.69% on $2{\times}2\;cm^2$, Cz wafer.
구리 촉매를 이용하여 실리콘으로부터 기체상태의 methylchlorosilanes을 직접 생성하는 공정이 Rochow에 의해 제시되었고 이 후로 직접 생산 반응에 관하여 많은 연구가 진행되어 오고 있다. 직접 반응 촉매로서의 구리 외에 조촉매들을 첨가함으로서 반응의 활성을 증가시키고, 주 생산물인 DMDC 로의 선택도를 증가시키는 연구도 많이 보고되었다. 하지만 반응 기구에 있어서는 DMDC 의 생성을 설명하는 연구 외에 부산물로 함께 생성되는 여러 종류의 methylchlorosilanes 들의 생성과정을 설명하는 연구는 없는 실정이다. 그래서 본 연구에서는 실리콘 표면에 존재하는 것으로 보여지는 실리콘 활성점인 $=SlCl_2$와 $=Si(CH_3)Cl$의 존재를 제시하고 이 활성점 들에 메틸, 염소 및 수소가 첨가되어 methylchlorosilanes이 생성된다고 간주하였다. Methyl chloride ($CH_3Cl$)의 해리 흡착으로 인한 메틸-실리콘 결합의 생성과 해리 흡착한 후 표면에 존재하여 표면 이동을 하는 것으로 간주되는 Cl와 H을 이용하여 각 silanes 의 생성 경로를 제시하였다. 제시된 각 silanes 들의 생성 경로는 반응 결과 생성된 각 silanes의 종류뿐만 아니라 TPD 과정에서 생성되는 silanes 종류의 생성도 정확하게 설명해 주고 있다.
이산화망간 존재하에서 사염화규소는 1차, 2차, 3차 및 벤질알코올 유도체 뿐 만 아니라 시클로헥산올과 같은 고리형 알코올, 알릴 알코올 등의 염소화반응을 정량적으로 수행할 수 있음을 발견하였다. 먼저 이산화망간이 사염화규소의 반응성이 큰 규소-염소 결합에 삽입되어 불안정한 중간체인 Manganese(IV) oxodichloride를 생성하고 이 중간체는 계속하여 사염화규소와 반응하여 최종적으로 사염화망간을 생성하리라 예상된다. 이렇게 생성되리라 예상되는 화학종들은 모두 반응메카니즘적으로 알코올의 염소화반응에 관여할 수 있음을 알았다. 이 반응은 Thionyl chloride나 삼염화인등을 사용한 고전적인 알코올의 염소화반응에 비하여 많은 장점을 가짐을 알 수 있었다.
The adsorption processes of methyl chloride on Si(100)-2$\times$1 have been studied by low energy electron diffraction (LEED), Auger electron spectroscopy (AES) and semiempirical PM3 calculations. The dissociative adsorption of the methyl chloride on Si(100) takes place without breaking of the silicon dimer with high efficiency. For adsorption at the room temperature, the existence of a precursor state is confirmed by the behavior of the sticking probability depending on the coverage and temperature. From AES measurements, the determined activation barrier of adsorption ($\Delta$ Hads) is -28.4 kj/mol. This results indicate that the dissociative process is nonactivated. The optimized precursor state of CH3Cl on the Si(100)-2$\times$1 surface was determined by PM3 calculations based on a cluster model.
Thermodynamic calculation for the CVD of SiC from methyltrichlorosilane(MTS) was done in some range of deposition condition to identify optimum condition. The results show that the most considerable chemical species are chloride and chlorosilane for silicon source and methane and acetylene for carbon source. In order to yield single phase ${\beta}$-SiC it is believed that optimum temperature range is between 1500 and $1700^{\circ}k$. With increasing temperature, stable phase is changed from Si+SiC phase to C+SiC phase. It is believed because equilibrium concentration of silicon source decrease and equilibrium concentration of carbon source increases with increasing temperature.
Perchlorosilanes are useful precursors for the synthesis of hydrosilanes for the fabrication of electronic devices such as silicon thin-film transistors and silicon nanoparticles. For this solution process, requirements of precursors applicable to solution process are relatively low volatile and soluble in common organic solvents. In this work, the decaphenylcyclopentasilane has been obtained from the reaction of the lithium wire and dichlorodiphenylsilane. The reaction of decaphenylcyclopentasilane with lewis acid catalyst, HCl/$AlCl_3$, gives the perchlorocyclopentasilane. Decaphenylcyclopentasilane exhibits an unusual optical property. Its optical property was characterized by UV-vis and fluorescence spectroscopy. Absorption wavelength maxima for the decaphenylcyclopentasilane was 272 nm. Decaphenylcyclopentasilane displayed an emission band at 741 nm with excitation wavelength of 272 nm.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.715-717
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2006
$NiCl_2$ vapor was introduced into conventional furnace to conduct vapor-induced crystallization (VIC) process. We made the metal chloride atmosphere by sublimating the $NiCl_2$ compound. The $NiCl_2$ atmosphere enhanced the crystallization of amorphous silicon thin films. As the result, polycrystalline Si film with large grain size and low metal contamination has been obtained.
본 연구에서는 liquid-solid solution 합성법을 통해 고유전 페로브스카이트 구조의 barium strontium titanate(Ba0.6Sr0.4TiO3, BSTO)를 합성하여 trimethylsilyl chloride(TMCS)를 silylation agent로 이용한 표면개질을 진행하였다. Silylation 표면개질을 활용하여 기존 BSTO 나노입자 표면에 있던 -OH 리간드와 TMCS가 갖고 있는 Cl을 반응시켜 나노입자 표면의 리간드를 -Si, -CH3로 치환하였다. 다양한 TMCS 농도의 변화를 주어 silylation을 진행했고, Fourier-transform infrared spectroscopy 및 X 선 회절 분석, 전계방사 주사전자현미경을 통해 silicon network 및 결정구조, 나노입자의 크기를 확인하였다. 접촉각 변화 관찰을 통해 가장 많이 silylation된 BSTO 나노입자에서 120.9°인 소수성 특성을 확인하였다. 나노입자의 silylation을 통해 D.I water 내 BSTO 나노입자의 소수화 정도를 확인하였다.
현재 국내에서 가장 보편적으로 사용되고 있는 제설제는 염화칼슘이며, 우리나라의 기후 변화에 따라 전국적으로 제설제의 사용량이 증가하고 있는 추세이다. 제설 제빙을 목적으로 하는 제설제는 살포되어 염화물이 용해된 노면수에 의해 동결융해 작용으로 콘크리트에 열화 등의 다양한 피해를 주고 있다. 따라서 본 연구에서는, 콘크리트 표면에 도포하여 외부에서 침투하는 수분을 차단하는 방식인 콘크리트 표면 보호재를 실리콘 기반으로 한 콘크리트 미세기공을 코팅할 수 있도록 반응형 우레탄 폴리머를 제조하여, 분자의 크기 제어와 표면 개질을 통해 혼화제를 선정하여, 콘크리트 적용하였고 침투강화제의 특성 및 도포방법에 따른 콘크리트 기초 물성을 평가하였다.
A single particle analytical technique, called low-Z electron probe X-ray microanalysis (low-Z EPMA) was applied to characterize atmospheric particles collected in Busan, Korea, over a daytime period in Dec. 2001. The ability to quantitatively analyze the low-Z elements, such as C, N, and 0, in microscopic volume enables the low-Z EPMA to specify the chemical composition of individual atmospheric particle. Various types of atmospheric particles such as organics, carbon-rich, aluminosilicates, silicon oxide, calcium carbonate, iron oxide, sodium chloride, sodium nitrate, ammonium sulfate, and titanium oxide were identified. In the sample collected in Busan, sodium nitrate particles produced as a result of the reaction between sea salt and nitrogen oxides in the atmosphere were most abundantly encountered both in the coarse and fine fractions. On the contrary, original sea salt particles were rarely observed. The fact that most of the carbonaceous particles were distributed in the fine fraction implies that their origin is anthropogenic.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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