일반적인 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)은 소스와 드레인의 형성을 위해서 불순물을 주입하고 고온의 열처리 과정을 거치게 된다. 이러한 고온의 열처리 과정 때문에 녹는점이 낮은 메탈게이트와 게이트 절연막으로의 high-k 물질의 사용에 제한을 받게된다. 이와 같은 문제점을 보완하기 위해서 소스와 드레인 영역에 불순물 주입공정 대신에 금속접합을 이용한 Schottky Barrier Tunnel Transistor (SBTT)가 제안되었다. SBTT는 $500^{\circ}C$ 이하의 저온에서 불순물 도핑없이 소스와 드레인의 형성이 가능하며 실리콘에 비해서 수십~수백배 낮은 면저항을 가지며, 단채널 효과를 효율적으로 제어할 수 있는 장점이 있다. 또한 고온공정에 치명적인 단점을 가지고 있는 high-k 물질의 적용 또한 가능케한다. 본 연구에서는 p-type SOI (Silicon-On-Insulator) 기판을 이용하여 Pt-silicide 소스와 드레인을 형성하고 전기적인 특성을 분석하였다. 또한 본 연구에서는 기존의 sidewall을 사용하지 않는 새로운 구조를 적용하여 메탈게이트의 사용을 최적화하였고 게이트 절연막으로써 실리콘 옥사이드를 스퍼터링을 이용하여 증착하였기 때문에 저온공정을 성공적으로 수행할 수 있었다. 이러한 게이트 절연막은 열적으로 형성시키지 않고도 70 mv/dec 대의 우수한 subthreshold swing 특성을 보이는 것을 확인하였고, $10^8$정도의 높은 on/off current ratio를 갖는 것을 확인하였다.
Recently, the various performances of vehicle are rapidly improved. Therefore tire noise is recognized as important noise source because vehicle noise is considerably reduced. This study is performed for the control of the cavity resonance noise that is structure-borne noise, due to fluid(air)-structure interaction. For this investigation, FRF analysis has been carried out using FEM and we found an important factor affecting cavity resonance. The effect of this factor is confirmed by objective noise test. We confirmed that the result of FRF analysis and objective noise test is that the structure control of tire sidewall can reduce cavity resonance noise due to fluid-structure interaction
지리산국립공원 종주등산로의 침식속도를 파악하기 위하여 노고단~삼도봉 구간에서 등산로의 형태별 유형을 고려하여 16개 측량지점을 선정하고 2010년 11월부터 2012년 4월까지 18개월간 등산로의 횡단면을 측량하였다. 모든 지점에서 실질적인 침식이 발생하여 등산로 횡단면이 확대되었으나 토양침식량은 지점에 따라 차이가 커 $54.9{\sim}908.8cm^2$, 일평균 침식속도로는 $0.1{\sim}1.72cm^2$의 범위를 보인다. 유형별로는 평탄면형 $172.4cm^2$, 얕은 우곡형 $109.3cm^2$, 깊은 우곡형 $493.9cm^2$, 외벽형은 $573.2cm^2$, 양벽형 $556.8cm^2$이다. 그러나 유형에 관계없이 등산로의 횡단면 변화는 노면보다는 측벽에서 크게 나타났다. 시기별로는 5월~10월의 침식량이 11월~4월보다 많았으며, 2011년 11월~2012년 4월에는 퇴적량이 침식량보다 많아 등산로 횡단면이 줄어들었다. 조사구간에서는 3월과 4월에 등산로 측벽에 서릿발작용으로 토양입자가 쌓이고 5월 이후 강수량이 많아지면서 우세로 제거되며 등산로 침식을 주도한다. 서릿발 발달에 유리하므로 북향 측벽의 침식량이 남향보다 크다. 4월에 관측되는 동결기의 작은 침식량과 등산로 횡단면의 축소는 동상과 서릿발작용에 작은 강우량과 일시적인 답압 중단이 가세하여 만들어낸 계절적인 현상이다. 산악국립공원의 등산로 관리 측면에서 등산로의 침식량과 요인에 대한 지속적인 관측이 이루어지는 등산로 침식 모니터링체제를 구축하는 것이 필요하다.
Wave run-up is an important phenomenon that should be considered in ocean structure design. In this study, the wave run-up of a surface-piercing circular cylinder was calculated in the time domain using the three-dimensional linear and fully nonlinear numerical wave tank (NWT) techniques. The NWT was based on the boundary element method and the mixed Eulerian and Lagrangian method. Stokes second-order waves were applied to evaluate the effect of the nonlinear waves on wave run-up, and an artificial damping zone was adopted to reduce the amount of reflected and re-reflected waves from the sidewall of the NWT. Parametric studies were conducted to determine the effect of wavelength, wave steepness, and the draft of the cylinder on the wave run-up of the cylinder. The maximum wave run-up value occurred at 0°, which was in front of the cylinder, and the minimum value occurred near the circumferential angle of 135°. As the diffraction parameter increased, the wave run-up increased up to 1.7 times the wave height. Furthermore, the wave run-up was 4% higher than the linear wave when the wave steepness was 1/35. In particular, the crest height of the wave run-up increased by 8%.
막장 전방에 파쇄대 등의 불연속면이 존재할 경우, 이를 미리 예측하지 못한채로 굴진을 하게 되면 파쇄대로 인해 터널 굴진에 따라 발생된 종방향 아칭에 영향을 주어 막장면 전방에 응력이 집중하게 된다. 터널 및 지하공간의 설계시에는 불확실한 설계요소를 과다하게 내포하고 있으므로 경제적이고 안정성이 확보된 터널 시공을 위해서는 터널 막장면에서의 정확한 계측으로 막장 전방의 파쇄대를 예측하여 터널 지보체계에 신속히 대비함이 필요하다. 최근의 연구결과에 의하면 3차원 절대변위계측에 의해 터널의 시공 시 굴진에 따라 지반의 강도차이로 인해 발생된 종방향 변위의 변화를 측정하여 막장 전방의 불연속면을 미리 예측할 수 있다고 하였다. 본 연구는 혼합법을 사용한 3차원 수치해석으로부터 얻어지는 변위로부터 L/C (천단부의 종방향 변위[L]와 천단부의 침하량[C]의 비 )와 S/C (측벽의 수평방향 변위[S]와 천단부의 침하량[C]의 비), (Ll-Lr)/C (좌측벽의 종방향변위[Ll]와 우측벽의 종방향변위[Lr]의 차와 천단부의 침하량[C]의 비), 평사투영법을 중심으로 지반에 파쇄대가 존재할 경우에 대해 여러 가지 초기 지중응력조건에서 터널 굴착에 따른 3차원 절대 변위를 분석하여 그 존재를 예측할 수 있는 기법을 제시하였다.
HBr을 이용한 트렌치 식각시 식각 방지막의 형성과 이들이 결함 생성 및 분포에 미치는 영향을 고분해능 투과전자현미경을 이용하여 연구하였다. $O_2$ 및 다른 첨가 가스로 $SiO_xF_y$, $SiO_xBr_y$ 등의 식각 방지막을 표면에 형성시켜 벽면 undercut을 방지하고 표면의 거칠기를 감소할 수 있었으며, 이후의 트렌치 채움 공정에서 void 가 없는 잘 채원진 구조를 얻을 수 있었다. 형성된 식각 방지막은 격자 결함의 생성 및 이들의 분포에 영향을 미쳤다. 대부분의 식각 유도 결함들은 트렌치 바닥의 가장자리에서 $10\AA$ 이내의 깊이로 분포하였으며, 잔류막의 두께에 의존하였다. 두꺼운 잔류막층 아래로는 결함들이 거의 사라졌으며, 결함층의 깊이와 잔류막 두께는 대체로 반비례하는 것을 나타났다. 기판 내에 존재하는 결정학적인 결함들은 식각종의 입사각이나 에너지에 의존하는 반면에,식각된 표면에서 관찰되는 결함들은 트렌치 식각동안 형성되는 이러한 잔류막의 두께에 크게 의존하는 것으로 나타났다.
The temperature hump is found to be most efficient in suppressing parasitic nucleation. With the temperature humps, there are found to be observed in undersaturations along the transport path for convective-diffusive processes ranging from $D_{AB}$ = 0.0584 $\textrm{cm}^2$/s to 0.584 $\textrm{cm}^2$/s, axial positions from 0 to 7.5 cm. With decreasing Ar = 5 to 3.5, the temperature difference is increased because of the imposed nonlinear temperature profile but the rate is decreased. For 2 $\leq$ Ar $\leq$ 3.5, the rate is increased with the aspect ratio as well as the temperature difference. Such an occurrence of a critical aspect ratio is likely to be due to the effect of sidewall and much small temperature difference. The rate is decreased exponentially with the aspect ratio for 2 $\leq$ Ar $\leq$ 10. Also, the rate is exponentially decreased with partial pressure of component B, P for 1 $\leq$ P $\leq$ 100 Torr.$ B/ $\leq$ 100 Torr.
Kim, S.;Bang, B.S.;Ren, F.;d'Entremont, J.;Blumenfeld, W.;Cordock, T.;Pearton, S.J.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제4권3호
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pp.217-221
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2004
[ $CO_2$ ]laser ablation rates for bulk 4H-SiC substrates and GaN/AIN/SiC templates in the range 229-870 ${\mu}m.min^{-1}$ were obtained for pulse energies of 7.5-30 mJ over diameters of 50·500 ${\mu}m$ with a Q-switched pulse width of ${\sim}30$ nsec and a pulse frequency of 8 Hz. The laser drilling produces much higher etch rates than conventional dry plasma etching (0.2 - 1.3 ${\mu}m/min$) making this an attractive maskless option for creating through-wafer via holes in SiC or GaN/AlN/SiC templates for power metal-semiconductor field effect transistor applications. The via entry can be tapered to facilitate subsequent metallization by control of the laser power and the total residual surface contamination can be minimized in a similar fashion and with a high gas throughput to avoid redeposition. The sidewall roughness is also comparable or better than conventional via holes created by plasma etching.
Ferroelectric YMnO$_3$thin films are excellent dielectric materials for high integrated ferroelectric random access memory (FRAM) with metal-ferroelectric-silicon field effect transistor (MFSFET) structure. In this study, YMnO$_3$thin films were etched with Cl$_2$/Ar gas chemistries in inductively coupled plasma (ICP). The maximum etch rate of YMnO$_3$thin films is 285 $\AA$/min under Cl$_2$/Ar of 10/0, 600 W/-200 V and 15 mTorr. The selectivities of YMnO$_3$over CeO$_2$and $Y_2$O$_3$are 2.85, 1.72, respectively. The results of x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) reflect that Y is removed dominantly by chemical reaction between Y and Cl, while Mn is removed more effective by Ar ion bombardment than chemical reaction. The results of secondary ion mass spectrometer (SIMS) were equal to these of XPS. The etch profile of the etched YMnO$_3$film is approximately 65$^{\circ}$and free of residues at the sidewall.
충격파가 초음속 수소-공기 제트화염의 화염 안정한계에 미치는 영향을 충격파의 강도와 위치를 변화시키면서 연구하였다. 이러한 목적으로 마하수 2.5의 초음속 연소기 벽면에 쐐기를 부착시켜 경사 충격파를 발생시켰다. 본 실험은 충격파가 초음속 화염에 미치는 영향을 연구한 최초의 실험연구이다. 쉬릴렌 가시화 사진과 벽면 정압, 화염 안정 한계를 측정하였으며 충격파가 없는 경우와 비교하였다. 보염 재순환 영역에 충격파를 적절히 간섭시킴으로써 화염 안정 한계가 대폭 개선되었다. 화염 안정한계가 대폭 향상된 이유는 충격파에 의해 발생한 역압력구배로 화염안정화에 중요한 아음속 재순환 영역의 크기가 증대된 때문으로 여겨진다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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