Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.14
no.4
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pp.1883-1889
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2013
Although Fe-Si based alloy has lower figure of merit than Si-Ge alloy applied for space probe, its low cost related to abundant raw material, rather simple processing, high temperature resistance and reliability up to $800^{\circ}C$ made it one of the most promising middle temperature thermoelectric generation materials. The effect of particle size and additive on the thermoelectric properties of p-$FeSi_2$ prepared by a RF inductive furnace was investigated. The electrical conductivity increased slightly with decreasing particle size and hence better grain-to-grain connectivity due to the increase of density. The Seebeck coefficient exhibited the maximum value at about 600~800K and decreased slightly with increasing particle size. This must be due to the amount of residual metallic phase ${\varepsilon}$-FeSi. $Fe_2O_3$ and/or $Fe_3O_4$-doped specimens showed the higher electrical conductivity and the lower Seebeck coefficient due to increase of the metallic phase and Si-vacancy. On the other hand, $SiO_2$-doped specimen showed the higher electrical conductivity and the higher Seebeck coefficients.
Yue, Chen;Baolin, Dai;Bao, Shangguan;Yongzhen, Zhang;Lemin, Sun
Proceedings of the Korean Society of Tribologists and Lubrication Engineers Conference
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2002.10b
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pp.417-418
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2002
The dry sliding tribological characteristics were investigated using SiC particle-reinforced aluminum composites against semi-metallic frictional materials. The experimental results have indicated that, whether under the condition of continuous braking or not, the wear rates of SiC particle reinforced composites are much less than that of gray cast iron which is used as one of the common brake disk materials. At the same time, their frictional coefficients are about the same.
An, Haeng-Geun;Yu, Jeong-Hui;Kim, Seok-Won;U, Gi-Do
Korean Journal of Materials Research
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v.10
no.12
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pp.793-798
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2000
The age-hardening behavior of unreinforced 6061 Al alloy and SiCp/6061 Al alloy composites reinforced with different size of SiC particle (average diameter ; 0.7$\mu\textrm{m}$ and 7.0$\mu\textrm{m}$) was investigated by hardness measurement, calorimetric technique and transmission electron microscopy. At 17$0^{\circ}C$ isothermal aging treatment, the peak aging time of 0.7$\mu\textrm{m}$SiCp/6061Al alloy composite and 7.0$\mu\textrm{m}$SiCp/6061Al alloy composite is shorter than that of unreinforced 6061Al alloy, and the aging of 7.0$\mu\textrm{m}$SiCp/6061Al alloy composite is accelerated more than that of 0.7$\mu\textrm{m}$SiCp/6061Al alloy composite. This acceleration is due to the increase of dislocation density by the compositeness with SiCp and the SiC particle size. In the peak aged condition, the major strengthening phase of these materials is intermediate $\beta$ phase(Mg$_2$Si), and the activation energy for the formation of $\beta$ phase is considerably decreased by the compositeness with SiCp and the increasing of SiC Particle site.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.15
no.6
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pp.124-138
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1998
Particles reinforced MMCs have many advantages over monolithic metals including a higher specific modulus, higher specific strength, better properties at elevated temperatures and better wear resistance. SiC$_p$/A16061 composites have good results in its mechanical properties. This work investigates SiC$_p$/A16061 composites in the microscopic view and compares the analytical results with the experimental ones. The discrepancy of the material properties between the reinforced particle, SiC$_p$, and the matrix material, A16061 appears to be so significant. Especially the coefficient of thermal expansion(CTE) of A16061 is 5 times larger than that of SiC$_p$. Thermal residual stress in MMCs is induced at high temperatures. The shape of particle is various but the theoretical model is not able to consider the nonuniform shape. Particle distribution is not homogeneous in experimental specimen. However, it is assumed to be homogeneous in simulation model. The shapes of particles are assumed to be not only perfect global but hexahedral shapes. The types of particle distribution are two - simple cubic array(SC array) and face-centered cubic array(FCC array).
${\beta}$-SiC formation mechanism in Si melt-C-SiC system with varying in size of carbon source was investigated. A continuous reaction sintering process using Si melt infiltration method was adopted to control the reaction sintering time effectively. It was found that ${\beta}$-SiC formation mechanism in Si melt-C-SiC system was directly affected by the size of carbon source. In the Si melt-C-SiC system with large carbon source ${\beta}$-SiC formation mechanism could be divided into two stages depending on the reaction sintering time: in early stage of reaction sintering carbon dissolution in Si melt and precipitation of ${\beta}$-SiC was occurred preferentially and then SIC nucleation and growth was controlled by diffusion of carbon throughy the ${\beta}$-SiC layer formed on graphite particle. Furthmore a dissolution rate of graphite particles in Si melt could be accelerated by the infiltration of Si melt through basal plane of graphite crystalline.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.47
no.2
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pp.75-80
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2014
Nanocrystalline diamond(NCD) films on steel(SKH51) has been investigated using SiC interlayer film. SiC was deposited on SKH51 or Si wafer by RF magnetron sputter. NCD was deposited on SiC at $600^{\circ}C$ for 0.5~4 h employing microwave plasma CVD. Film morphology was observed by FESEM and FIB. Film adherence was examined by Rockwell C adhesion test. The growth rate of NCD on SiC/Si substrate was much higher than that on SiC/SKH51. During particle coalescence, NCD growth rate was slow since overall rate was determined by the diffusion of carbon on SiC surface. After completion of particle coalescence, NCD growth became faster with the reaction of carbon on NCD film controlling the whole process. In the case of SiC/SKH51 substrate, a complete NCD film was not formed even after 4 h of deposition. The adhesion test of NCD/SiC/SKH51 samples revealed a delamination of film whereas that of SiC/SKH51 showed a good adhesion. Many voids of less than 0.1 ${\mu}m$ were detected on NCD/SiC interface. These voids were believed as the reason for the poor adhesion between NCD and SiC films. The origin of voids was due to the insufficient coalescence of diamond particles on SiC surface in the early stage of deposition.
Characteristics of hydrodynamics and heat absorption by gas in a directly-irradiated fluidized bed particle receiver (50 mm-ID X 150 mm high) of SiC particles have been determined. Solid holdups of SiC particles show almost constant values with increasing gas velocity. Fine SiC particles (SiC II; dp=52 ㎛, ρs=2992 kg/㎥) showed low values of relative standard deviation of pressure drop across bed but high solids holdups in the freeboard region compared to coarse SiC particles (SiC I; dp=123 ㎛, ρs=3015 kg/㎥). The SiC II exhibited higher values of temperature difference normalized by irradiance due to the effect of additional solar heat absorption and heat transfer to the gas by the particles entrained in the freeboard region in addition to the efficient thermal diffusion of the solar heat received at bed surface. Heat absorption rate and efficiency increased with increasing the gas velocity and fluidization number. The SiC II showed maximum heat absorption rate of 17.8 W and thermal efficiency of 14.8%, which are about 33% higher than those of SiC I within the experimental gas velocity range.
The characterization of monolithic SiC and SiCf/SiC composite materials fabricated by NITE and RS processes was investigated in conjunction with the detailed analysis of their microstructure and density. The NITE-SiC based materials were fabricated, using a SiC powder with average size of 30 nm. RS- SiCf/SiC composites were fabricated with a complex slurry of C and SiC powder. In the RS process, the average size of starting SiC particle and the blending ratio of C/SiC powder were $0.4\;{\mu}m$ and 0.4, respectively. The reinforcing materials for /SiC composites were BN-SiC coated Hi-Nicalon SiC fiber, unidirectional or plain woven Tyranno SA SiC fiber. The characterization of all materials was examined by the means of SEM, EDS and three point bending test. The density of NITE-SiCf/SiC composite increased with increasing the pressure holding time. RS-SiCf/SiC composites represented a great decrease of flexural strength at the temperature of $1000\;^{\circ}C.$
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.29
no.3
s.234
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pp.425-431
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2005
The efficiency of complex slurry preparation route for developing the high performance SiC matrix of $RS-SiC_{f}/SiC$ composites has been investigated. The green bodies for RS-SiC materials prior to the infiltration of molten silicon were prepared with various C/SiC complex slurries, which associated with both the sizes of starting SiC particles and the blending conditions of starting SiC and C particles. The characterization of Rs-SiC materials was examined by means of SEM, EDS and three point bending test. Based on the mechanical property-microstructure correlation, the process optimization is also discussed. The flexural strength of Rs-SiC materials greatly depended on the content of residual Si. The decrease of starting SiC particle size in the C/SiC complex slurry was effective for improving the flexural strength of RS-SiC materials.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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