In this paper, zinc oxide (ZnO) films with c-axis (002) orientation have been successfully deposited on the Al/Si substrate by rf magnetron sputtering method. The deposited films were characterized by substate temperature. Physical and structural properties of the deposited films were investigated by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) measurement. Electrical Properties of the deposited films were investigated by 4-poing probe and LCR meter measurement. The optimal condition in this experimental result was found at foot of the substrate temperature and shown good film quality for FBAR application.
This paper presents setting up a laboratory-scale testbed to estimate the aging of power MOSFET devices and integrated power modules by measuring its on-state voltage and current. Based on the aging mechanisms of the component inside the power module (e.g., bond-wire, solder layer, and semiconductor chip), a system to measure the on-state resistance of device-under-test (DUT) is designed and experimented: a full-bridge circuit applies current stress to DUT, and a temperature chamber controls the ambient temperature of DUT during the aging test. The on-state resistance of SiC MOSFET measured by the proposed testbed was increased by 2.5%-3% after 44-hour of the aging test.
The purpose of this paper is to provide the experimenters who use the oblique incidence ultrasonic method for anisotropic elastic constants measurement eith some useful relations. In particular, the equivalence of the times of flight by the energy ad phase velocities, which is key to the oblique incidence method, is proved explicitly. This equivalence greatly simplifies the analysis of immersion measurement results. In oredr to correctly measure the transit time of an immersed sample using the oblique incidence, the receiving transducer should be shifted laterally, and an expression in given for this shift. A method for determining all nine elastic constants of an orthotropic material is briefly described and the measurement results are listed for SiC particulate reinforced A1 matrix composites.
This paper presents the complete genome sequence of a novel marine actinomycete, Streptomyces sp. MMBL 11-1. The genome of Streptomyces sp. MMBL 11-1 was obtained through next-generation sequencing using the PacBio Sequel system and Illumina platform provided by Macrogen, Korea. The assembled genome consists of five contigs, with a total length of 8,496,900 bp and a G+C content of 71.6%. The genome harbors multiple biosynthetic gene clusters (BGCs) associated with producing microbial natural products (MNPs). The comprehensive genomic information of this type of strain will serve as a valuable resource for identifying other marine actinomycetes strains.
Carbon coils could be synthesized using $C_2H_2/H_2$ as source gases and $SF_6$ as an incorporated additive gas under the thermal chemical vapor deposition system. A 304-type stainless steel was used as a substrate with nickel powders as the catalyst. The surface of the substrate was pretreated using a sand paper or a mechanical drill to enhance the production yield of the carbon coils. The characteristics of the deposited carbon nanomaterials on the substrates were investigated according to the surface state on the stainless steel substrate. The protrusion induced by the grooves on the substrate surface could enhance the formation of the carbon nanomaterials having the coils geometries. The cause for the enhancement of the carbon coils formation by the grooves was suggested and discussed with the surface energies for the interaction between as-growing carbon elements. Finally, we could obtain the massive production yield of the carbon coils by the surface pretreatment using SiC sand papers on the several tens grooved stainless steel substrate.
This paper proposes a new automatic compensation network (ACN) for a system-on-chip (SoC) transceiver. We built a 5 GHz low noise amplifier (LNA) with an on-chip ACN using 0.18 ${\mu}m$ SiGe technology. This network is extremely useful for today's radio frequency (RF) integrated circuit devices in a complete RF transceiver environment. The network comprises an RF design-for-testability (DFT) circuit, capacitor mirror banks, and a digital signal processor. The RF DFT circuit consists of a test amplifier and RF peak detectors. The RF DFT circuit helps the network to provide DC output voltages, which makes the compensation network automatic. The proposed technique utilizes output DC voltage measurements and these measured values are translated into the LNA specifications such as input impedance, gain, and noise figure using the developed mathematical equations. The ACN automatically adjusts the performance of the 5 GHz LNA with the processor in the SoC transceiver when the LNA goes out of the normal range of operation. The ACN compensates abnormal operation due to unusual thermal variation or unusual process variation. The ACN is simple, inexpensive and suitable for a complete RF transceiver environment.
This paper presents the effect of driving waveform for piezoelectric bend mode inkjet printhead with optimized mechanical design. Experimental and theoretical studies on the applied driving waveform versus jetting characteristics were performed. The inkjet head has been designed to maximize the droplet velocity, minimize voltage response of the actuator and optimize the firing frequency to eject ink droplet. The head design was carried out by using mechanical simulation. The printhead has been fabricated with Si(100) and SOI wafers by MEMS process and silicon direct bonding method. To investigate how performance of the piezoelectric ceramic actuator influences on droplet diameter and droplet velocity, the method of stroboscopy was used. Also we observed the movement characteristics of PZT actuator with LDV(Laser Doppler Vibrometer) system, oscilloscope and dynamic signal analyzer. Missing nozzles caused by bubbles in chamber were monitored by their resonance frequency. Using the water based ink of viscosity of 4.8 cps and surface tension of 0.025 N/m, it is possible to eject stable droplets up to 20 kHz, 4.4 m/s and above 8 pl at the different applied driving waveforms.
This paper presents a method of self-arranging solderballs by using surface energy difference. After evaporating Au which has high surface energy on Si substrates, Teflon passivation layer which has low surface energy was patterned by lift-off process. Droplets formed only on the hydrophilic Au solderball lands by the surface energy difference, not the hydrophobic Teflon surface. Scattered solderballs sticked by themselves to the wetted solderball lands on the tilted substrate. After setting preheating of $200^{\circ}C$ and soldering of $245^{\circ}C$ hot plates, the solderballs were soldered on the solderball lands and two substrates were soldered together completely. After measuring the mechanical shear strength of the soldered substrates with solderballs of $3{\times}3$, $4{\times}4$ and $5{\times}5$ arrays. the calculated shear strength per one solderball was 1.1~2.4kgf as high as the previous report.
포일 베어링은 공기의 점성과 포일 형태의 구조물을 이용하는 비접촉 베어링으로서, 구름베어링에 비하여 별도의 윤활장치가 필요 없고, 무한수명이 가능하며, 구름베어링을 사용할 수 없는 초고속 회전체와 50$0^{\circ}C$ 이상의 고온 환경에도 적용이 가능하다는 장점이 있다. 최근에는 전통적으로 널리 사용되어 왔던 소형 터보기기 분야뿐만 아니라, 소형 가스터빈 엔진과 같이 극한 온도 조건에서도 작동할 수 있는 포일 베어링에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 본 논문에서는 포일 공기 베어링 원리에 대한 소개와 함께, 현재 당사에서 볼베어링을 사용하여 개발 중인 65마력급 무인기용 터보샤프트 엔진의 고온부 베어링으로 적용하기 위한 가능성 연구를 수행하였다.
So, Myeong-Seob;Suh, Min-Chul;Koo, Jae-Bon;Choi, Byoung-Deog;Choi, Dae-Chul;Lee, Hun-Jung;Mo, Yeon-Gon;Chung, Ho-Kyoon
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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pp.1364-1369
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2005
In this paper, we have identified the mechanism of C-V hysteresis behavior often observed in pentacene organic thin-film transistors (OTFTs). The capacitance-voltage (C-V) characteristics were measured for pentacene OTFTs fabricated on glass substrates with MoW as gate/source/drain electrode and TEOS $SiO_2$ as gate insulator. The measurements were made at room temperature and elevated temperatures. From the room temperature measurements, we found that the hysteresis behavior was caused by hole injection into the gate insulator from the pentacene semiconductor for large negative gate voltages, resulting in the negative flat-band voltage shift. However electron injection was observed only at elevated temperatures
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[게시일 2004년 10월 1일]
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