Building Integrated Photovoltaic (BIPV) is one of the best ways to generate electric power using the solar energy, which is clean and inexhaustible energy resources. The most of BIPV modules have the form of GtoG (Glass to Glass) photovoltaic in building applications. Degradation leading to failure in photovoltaic modules is very important factor in BIPV modules. This paper analyzed the performance of various BIPV modules through outdoor exposure tests. Performance of three BIPV modules(c-Si type, a-Si type and DSSC type) with three installation angles influenced by sun light, outdoor temperature, and wind velocity was monitored and analyzed. As a result, c-Si type BIPV module outperforms other BIPV modules(a-Si type). In terms of power efficiency of the module, the installed angle of $45^{\circ}$ is better than others(90 degree, 0 degree). In addition, more realistic data of various BIPV system performance could be available through the field test and integrated building test. In this study, relationship of the BIPV system is identified module's installation angle, power generation, architectural performance, etc.
In this paper, we report and discuss the semi-permanently hydrophilic (SPH) treatment of polyester fabric using plasma polymerization and oxidation based on atmospheric pressure dielectric barrier discharge (APDBD) technology. SiOxCy(-H) was coated on polyester fabric using Hexamethylcyclotrisiloxane (HMCTSO) as a precursor, and then plasma oxidation was performed to change the upper layer of the thin film to SiO2-like. The degradation of hydrophilicity of the SPH polyester fabrics was evaluated by water contact angle (WCA) and wicking time after repeated washing. The surface morphology of the coated yarns was observed with scanning electron microscopy, and the presence of the coating layer was confirmed by measuring the Si peak using energy dispersive x-ray spectroscopy. The WCA of the SPH polyester fabric increased to 50 degrees after 30 washes, but it was still hydrophilic compared to the untreated fabric. The decrease in hydrophilicity of the SPH fabric was due to peeling of the SiOxCy(-H) thin film coated on polyester yarns.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.71-72
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2008
In this paper, the effect of thermal annealing on surface acoustic wave (SAW) properties of aluminum nitride (AlN) films were described. The films were fabricated on Si substrates by using Pulsed Reactive Magnetron Sputtering System. The SAW properties of $600^{\circ}C$-annealed AlN films were better than those of both $900^{\circ}C$-annealed AlN films and as-deposited ones. Their SAW velocities (Raleigh mode) and insertion losses were about 5212 m/s and 16.19 dB at $600^{\circ}C$ with the wavelength of $40{\mu}m$. The dependence of characteristics of AlN films on annealing conditions were also evaluated by using Fourier Transform-Infrared Spectroscopy (FT-IR) Spectrums and Atomic Force Microscopy (AFM).
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.28A
no.11
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pp.910-914
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1991
This paper describes the improvement of frequency characteristic of crystal oscillator I.C using Ti-Salicide. The characteristics of transistor(drive current) using Ti-Salicide process are better than Poly-Si process, because the mobility. To know frequency characteristic of oscillator I.C, the simulation is performed using inverter buffer chain of Fan-out 10 TTL. Its result shows at once the generation of normal clock pulse in input signal and the improvement of rising and falling time.
Lim, Hyoung Jun;Choi, Ho-Il;Lee, Min-Jung;Yun, Gun Jin
Journal of the Computational Structural Engineering Institute of Korea
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v.34
no.1
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pp.51-58
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2021
In this paper, a multi-scale finite element (FE) modeling methodology for three-dimensional (3D) needle-punched (NP) C/SiC with a complex microstructure is presented. The variations of the material properties induced by the needle-punching process and complex geometrical features could pose challenges when estimating the material behavior. For considering these features of composites, a 3D microscopic FE approach is introduced based on micro-CT technology to produce a 3D high fidelity FE model. The image processing techniques of micro-CT are utilized to generate discrete-gray images and reconstruct the high fidelity model. Furthermore, a subcell modeling technique is developed for the 3D NP C/SiC based on the high fidelity FE model to expand to the macro-scale structural problem. A numerical homogenization approach under periodic boundary conditions (PBCs) is employed to estimate the equivalent behavior of the high fidelity model and effective properties of subcell components, considering geometry continuity effects. For verification, proposed models compare excellently with experimental results for the mechanical behavior of tensile, shear, and bending under static loading conditions.
This paper describes the machining characteristics of the MoSi$_2$--based composites through the process of electric discharge drilling with various tubular electrodes. In addition to hardness characteristics, microstructures of Nb/MoSi$_2$laminate composites were evaluated from the variation of fabricating conditions, such as preparation temperature, applied pressure, and pressure holding time. MoSi$_2$-based composites have been developed in new materials for jet engines of supersonic-speed airplanes and gas turbines for high-temperature generators. These high performance engines may require new hard materials with high strength and high temperature-resistance. Also, with the exception of grinding, traditional machining methods are not applicable to these new materials. Electric discharge machining (EDM) is a thermal process that utilizes a spark discharge to melt a conductive material. The tool electrode is almost -unloaded, because there is n direct contact between the tool electrode and the work piece. By combining a non-conducting ceramic with more conducting ceramic, it was possible to raise the electrical conductivity. From experimental results, it was found that the lamination from Nb sheet and MoSi$_2$ powder was an excellent strategy to improve hardness characteristics of monolithic MoSi$_2$. However, interfacial reaction products, like (Nb, Mo)SiO$_2$and Nb$_2$Si$_3$formed at the interface of Nb/MoSi$_2$, and increased with fabricating temperature. MoSi$_2$composites, with which a hole drilling was not possible through the conventional machining process, enhanced the capacity of ED-drilling by adding MbSi$_2$, relative to that of SiC or ZrO$_2$reinforcements.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1991.10a
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pp.37-39
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1991
This paper is studies the effects of additives on the magnetic properties of Sr-ferrite. The specimens have been composed of SrO and Fe$_2$O$_3$with ratio of 1:5.9. As 1st additives, it is mixed to 0.2wt%, 0.7wt% and 1wt% of CaCo$_3$with 0.3wt% SiO$_2$. As 2nd addition, it is mixed to 0.5wt%, 1wt% of Na$_2$SiO$_3$, 0.5wt%, 1wt% of Cr$_2$O$_3$and 0.5wt%, 1wt% of Al$_2$O$_3$and sintering conditions was carried out at 1210$^{\circ}C$, 1230$^{\circ}C$ and 1250$^{\circ}C$. From experiments on the magnetic properties of specimen, the results were shown follows; (1) In case of additive SiO$_2$and CaO, it is stable magnetoplumbite structure for liquid phase grown, enhances mignetic propertics. (2) In case of basic compositions + 0.5wt% Al$_2$O$_3$, it is confirmed better properties by increasing of the coercivity than 0.5wt% Cr$_2$O$_3$additives. (3) In case of mixed additives of Cr$_2$O$_3$and Al$_2$O$_3$, magnetic propeties decrease with sintering density.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.263-266
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2001
In this paper, we investigated dielectric properies for BST thin films that was deposited on MgO/Si substrates using RF magnetron sputtering. In here, MgO film was used to perform that a diffusion b arrier between the BST film and Si substrate and a buffer layer to assist the BST film growth. A d eposition condition for MgO films was RF Power of 50W, substrate temperature of room temperature and the working gas ratio of Ar:O$_2$ were varied from 90:10 to 60:47. Finally we manufactured the cap acitor of Al/BST/MgO/Si/Al structure to know electrical properties of this capacitor through I-V, C-V measurement. In the results, C-V aha racteristic curves was shown a ferroelectric property so we measured P-E. A remanent poliazation and coerceive electric field was present 2$\mu$C/cm$^2$ and -27kV/cm respectively at Ar:O$_2$=90:10. And a va clue of dielectric constant was 86 at Ar:02=90:10.
As a type of accident-tolerant fuel, fully ceramic microencapsulated (FCM) fuel was proposed after the Fukushima accident in Japan. The FCM fuel consists of tristructural isotropic particles randomly dispersed in a silicon carbide (SiC) matrix. For a fuel element with such high heterogeneity, we have proposed a two-temperature homogenized model using the particle transport Monte Carlo method for the heat conduction problem. This model distinguishes between fuel-kernel and SiC matrix temperatures. Moreover, the obtained temperature profiles are more realistic than those of other models. In Part I of the paper, homogenized parameters for the FCM fuel in which tristructural isotropic particles are randomly dispersed in the fine lattice stochastic structure are obtained by (1) matching steady-state analytic solutions of the model with the results of particle transport Monte Carlo method for heat conduction problems, and (2) preserving total enthalpies in fuel kernels and SiC matrix. The homogenized parameters have two desirable properties: (1) they are insensitive to boundary conditions such as coolant bulk temperatures and thickness of cladding, and (2) they are independent of operating power density. By performing the Monte Carlo calculations with the temperature-dependent thermal properties of the constituent materials of the FCM fuel, temperature-dependent homogenized parameters are obtained.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2007.10a
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pp.200-203
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2007
Devices of junction barrier schottky(JBS) structure using 4H-SiC substrates with wide energy band gaps was designed and fabricated. As a measurement results, the device of reverse I-V characteristics was shown as more than 1000 V, its design optimum length of p-grid was $3{\mu}m$ space. In this paper, I-V characteristics was modeled by using of device fabricated process conditions parameters and it was extracted that the I-V property parameters, and it was compared and analyzed with between device parameters and model parameters.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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